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순수한 이소프탈알데히드 바이설파이트 부가체 및 그의 신규한 제조방법(Pure isophthalaldehyde bisulfite adduct and novel preparation method thereof)

  • 기술번호 : KST2018002115
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 특유의 정제과정을 통하여 불순물이 전혀 함유되지 않은 순수한 이소프탈알데히드 바이설파이트 부가체를 제조하고, 이를 온화한 조건하에서 폴리벤즈이미다졸을 중합하기 위한 출발물질로 사용하는 기술에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 미반응물이나 부산물과 같은 불순물을 전혀 함유하지 않은 순수한 이소프탈알데히드 바이설파이트 부가체를 얻을 수 있으며, 이를 유기용매 상의 온화한 조건하에서 폴리벤즈이미다졸을 중합하기 위한 출발물질로 사용함으로써 고분자량의 폴리벤즈이미다졸을 산업적으로 양산할 수 있다.
Int. CL C07F 1/04 (2016.09.20) C08G 73/18 (2016.09.20) C08L 79/08 (2016.09.20)
CPC C07F 1/04(2013.01) C07F 1/04(2013.01) C07F 1/04(2013.01)
출원번호/일자 1020160104349 (2016.08.17)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0019980 (2018.02.27) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.17)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 서울특별시 성북구
2 이소영 대한민국 서울특별시 성북구
3 장종현 대한민국 서울특별시 성북구
4 김진영 대한민국 서울특별시 성북구
5 유성종 대한민국 서울특별시 성북구
6 김은기 대한민국 서울특별시 성북구
7 헨켄스마이어 디억 독일 서울특별시 성북구
8 최대기 대한민국 서울특별시 성북구
9 한종희 대한민국 서울특별시 성북구
10 남석우 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-0797828-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0052015-87
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0246880-14
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-0561834-33
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.06.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0561833-98
7 등록결정서
Decision to grant		 2018.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0665581-39
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번호 청구항
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I) 소듐바이설파이트를 증류수에, 이소프탈알데히드를 메탄올에 각각 녹이고 두 용액을 혼합 및 10~30℃에서 반응시킨 후, 여과 및 건조하여 이소프탈알데히드 바이설파이트 부가체를 수득하는 단계;II) 상기 수득된 부가체와 소듐바이설파이트를 물에 용해시켜 반응을 더욱 진행한 후, 여기에 메탄올을 섞어 부가체를 침전, 여과 및 건조하여 1차 정제하는 단계; 및(III) 상기 1차 정제된 부가체를 디메틸술폭시드(DMSO), 디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸포름아미드(DMF), N-메틸피롤리돈(NMP) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 유기용매에 녹이고, 녹지 않은 과량의 출발물질과 무기염을 여과한 후, 여과액을 아세톤, 이소프로필알코올 또는 헥산을 사용하여 재침전, 침전물을 거듭 여과 및 건조하여 2차 정제하는 단계;를 포함하는 불순물을 전혀 함유하지 않은 순수한 이소프탈알데히드 바이설파이트 부가체의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 I) 단계의 소듐바이설파이트는 이소프탈알데히드 1 당량에 대하여 2 당량 내지 3 당량의 비율로 사용하는 것을 특징으로 하는 불순물을 전혀 함유하지 않은 순수한 이소프탈알데히드 바이설파이트 부가체의 제조방법
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1 US2018050984 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국과학기술연구원 핵심소재원천기술개발사업 고내구성 고내열성 폴리벤지미다졸 소재