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저온 용액공정을 이용한 인듐갈륨산화물 박막트랜지스터의 제조방법(Method for manufacturing Indium Gallium Oxide Thin Film Transistors by a solution-based deposition method)

  • 기술번호 : KST2018002143
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 스핀코팅을 이용하여 인듐갈륨(Indium Gallium) 조성물을 코팅하는 단계; 및 상기 인듐갈륨 조성물을 열처리함으로써 상기 인듐갈륨산화물(Indium Gallium Oxide) 박막을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 인듐갈륨 조성물을 코팅하는 단계에서 인듐과 갈륨은 2:1의 화학양론비로 공급되는 단계를 포함하는, 저온 용액공정을 이용한 인듐갈륨산화물 박막트랜지스터의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 29/786 (2016.09.09) H01L 21/02 (2016.09.09) H01L 21/324 (2016.09.09)
CPC H01L 29/786(2013.01) H01L 29/786(2013.01) H01L 29/786(2013.01) H01L 29/786(2013.01) H01L 29/786(2013.01) H01L 29/786(2013.01)
출원번호/일자 1020160104468 (2016.08.17)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0020024 (2018.02.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류시옥 대한민국 대구광역시 수성구
2 유성구 대한민국 경상북도 영천
3 박선영 대한민국 대구광역시 달서구
4 전호영 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-0798899-12
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-0137786-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.12.07 수리 (Accepted) 4-1-2020-5277862-17
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 스핀코팅을 이용하여 인듐갈륨(Indium Gallium) 조성물을 코팅하는 단계; 및상기 인듐갈륨 조성물을 열처리함으로써 상기 인듐갈륨산화물(Indium Gallium Oxide) 박막을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 인듐갈륨 조성물을 코팅하는 단계에서 인듐과 갈륨은 2:1의 화학양론비로 공급되는 단계를 포함하는,저온 용액공정을 이용한 인듐갈륨산화물 박막트랜지스터의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 열처리는 공기중에서 300℃ 내지 600℃의 온도범위 및 50min 내지 70min의 시간동안 수행하는,저온 용액공정을 이용한 인듐갈륨산화물 박막트랜지스터의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 인듐갈륨산화물 박막은 0
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제 1 항에 있어서,상기 인듐갈륨산화물 박막은 105 이상의 on/off 전류비 값을 갖는, 저온 용액공정을 이용한 인듐갈륨산화물 박막트랜지스터의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 인듐갈륨산화물 박막은 98% 이상의 투과율 값을 갖는, 저온 용액공정을 이용한 인듐갈륨산화물 박막트랜지스터의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 스핀코팅은 3000rpm에서 1분 동안 수행되는,저온 용액공정을 이용한 인듐갈륨산화물 박막트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 영남대학교 LINC사업단 산학협력 선도대학(LINC) 육성사업 저온 용액공정에 의한 IGO 투명 전도성 산화물 박막 제조
2 지식경제부 영남대학교 산학협력단 지역혁신센터조성(RIC)사업 대경 태양전지 지역혁신센터(8차년도 교비대응)