맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

ＣＩＧＳ 박막의 형성방법, 이를 이용한 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 ＣＩＧＳ 박막과 태양전지(FORMING METHOD FOR CIGS FILM, MANUFACTURING METHOD FOR SOLAR CELL BY USING THE FORMING METHOD, CIGS FILM AND SOLAR CELL)

  • 기술번호 : KST2018002148
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상대적으로 낮은 비용으로 고효율의 CGIS계 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로서, Cu를 포함하는 전구체층을 형성하는 단계; 및 상기 전구체층의 표면에 In, Ga 및 Se를 진공증발법으로 증착하는 단계로 구성되며, In, Ga 및 Se를 진공증발법으로 증착하는 과정에서 전구체층에 포함된 Cu가 In, Ga 및 Se와 반응하여 CIGS를 형성하는 것을 특징으로 한다.본 발명은, Cu를 포함하는 박막을 먼저 형성한 뒤에 나머지 원소를 진공증발 증착함으로써, 진공증발 공정에서 Cu 증발원에 대하여 소요되는 비용을 줄일 수 있기 때문에, 낮은 비용으로 CIGS 박막을 형성할 수 있는 효과가 있다.또한, 본 발명의 태양전지 제조방법은 CIGS 광흡수층 제조과정에서 공정비용을 줄임으로써, 제조비용 당 발전 효율이 향상된 태양전지를 제공할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/0392 (2018.02.22) H01L 31/0749 (2018.02.22) H01L 31/18 (2018.02.22) H01L 31/0216 (2018.02.22)
CPC
출원번호/일자 1020180017895 (2018.02.13)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0020193 (2018.02.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2016-0080389 (2016.06.27)
관련 출원번호 1020160080389
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 어영주 대전광역시 유성구
2 조준식 대전광역시 유성구
3 윤재호 대전광역시 서구
4 안세진 대전광역시 유성구
5 곽지혜 대전광역시 유성구
6 유진수 대전광역시 중구
7 안승규 대전광역시 서구
8 박주형 대전광역시 유성구
9 조아라 대전광역시 유성구
10 김기환 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2018.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0158776-30
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Cu를 포함하는 전구체층을 비진공 공정인 용액 공정으로 형성하는 단계; 및상기 전구체층의 표면에 In, Ga 및 Se를 진공증발법으로 증착하는 단계로 구성되며,In, Ga 및 Se를 진공증발법으로 증착하는 과정에서 전구체층에 포함된 Cu가 In, Ga 및 Se와 반응하여 CIGS를 형성하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 형성 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 진공증발법이 동시진공증발 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 형성 방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 진공증발법을 수행하는 과정에서 기판의 온도를 500℃이상으로 유지하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 형성 방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 용액 공정이 스핀 코팅 공정인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 형성 방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 전구체층이 CuS 또는 CuSe를 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 형성 방법
6 6
CIGS계 광흡수층을 구비한 태양전지를 제조하는 방법으로서,상기 CIGS계 광흡수층을 제조하는 단계가 청구항 1 내지 청구항 5 중 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
7 7
청구항 6에 있어서,상기 태양전지를 제조하는 방법이 소다라임 유리 기판 상에서 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
8 8
비진공 공정인 용액 공정으로 형성된 Cu를 포함하는 전구체층 표면에 In, Ga 및 Se를 진공증발법으로 증착하여 제조되며, 전구체층에 포함된 Cu가 진공증발로 증착된 In, Ga 및 Se와 반응하여 형성된 것을 특징으로 하는 CIGS 박막
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 전구체층이 CuS 또는 CuSe를 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막
10 10
CIGS계 광흡수층을 구비한 태양전지로서,상기 CIGS계 광흡수층이, 비진공 공정인 용액 공정으로 형성된 Cu를 포함하는 전구체층 표면에 In, Ga 및 Se를 진공증발법으로 증착하여, 전구체층에 포함된 Cu가 진공증발로 증착된 In, Ga 및 Se와 반응하여 형성된 CIGS 박막인 것을 특징으로 하는 태양전지
11 11
청구항 10에 있어서,상기 태양전지가 소다라임 유리 기판에 형성된 것을 특징으로 하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020180001357 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국에너지기술연구원 창의형 융합연구사업 25%급 이중접합 CIGS계 박막 태양전지 핵심 원천 기술 개발
2 산업통상부 한국에너지기술연구원 산업기술혁신사업 모듈 단가 0.3$/W 달성을 위한 저독성 범용소재 기반 차세대 박막 태양전지 개발
3 미래창조과학부 한국에너지기술연구원 주요사업(구, 기본사업) 비진공 R2R 공정기반 CIGS 박막 모듈 개발