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C4F8 가스 중합을 이용한 실리카 파이버 어레이용 그루브의 제조방법(Method for manufacturing groove of silica fiber array using C4F8 gas polymerization)

  • 기술번호 : KST2018002197
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 C4F8 가스 중합을 이용한 실리카 파이버 어레이용 그루브의 제조방법에 대한 것으로, 보다 구체적으로는 기판으로서 실리카 기판을 사용하고, C4F8 가스 중합을 이용하여 건식식각함으로써 고정밀의 경사식각면을 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 파이버 어레이의 성능을 나타내는 코어피치가 우수한 실리카 파이버 어레이용 그루브를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명의 실리카 파이버 어레이용 그루브의 제조방법에 의하면, 실리카 기판을 사용하고 C4F8 가스 중합을 이용하여 건식식각함으로써 고채널에서도 고정밀의 경사식각면을 형성할 수 있다는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 실리카 파이버 어레이용 그루브의 제조방법에 의하면, 파이버 어레이의 성능을 나타내는 코어피치가 우수한 실리카 파이버 어레이용 그루브를 제조할 수 있는 장점이 있다.
Int. CL G02B 6/02 (2016.09.21) C25D 5/02 (2016.09.21) C25D 3/38 (2016.09.21) G02B 6/38 (2016.09.21)
CPC G02B 6/02395(2013.01) G02B 6/02395(2013.01) G02B 6/02395(2013.01) G02B 6/02395(2013.01)
출원번호/일자 1020160104673 (2016.08.18)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0020415 (2018.02.28) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.18)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영백 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 허기석 대한민국 충청남도 천안시 서북구
3 하태원 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0800594-96
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0154207-37
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-0450115-54
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.05.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0450091-46
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0640223-80
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.11.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1146762-00
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-1146767-27
9 등록결정서
Decision to grant		 2019.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0172473-11
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번호 청구항
1 1
실리카(SiO2) 기판을 준비하는 제1단계;상기 실리카 기판상에 Cu 성분으로 이루어지는 메탈마스크를 진공열증착 방법으로 형성하는 제2단계; 및C4F8 가스 주입을 통한 건식식각으로 경사 식각하여 복수개의 그루브를 형성하는 제3단계;를 포함하되,상기 제2단계는상기 실리카 기판상에 Ti으로 이루어진 접착층을 진공열증착법으로 형성하는 2-1단계;상기 접착층 상에 Cu로 이루어진 시드층(seed layer)를 형성하는 2-2단계;상기 시드층 상에 포토레지스트패턴을 형성하는 2-3단계;상기 시드층 상에 Cu를 전기도금을 하여 도금층을 형성하는 2-4단계; 및상기 포토레지스트패턴을 제거한 후, 상기 시드층을 식각하는 2-5단계;를 포함하고,상기 제3단계는 주입되는 상기 C4F8 가스의 유량 조절을 통해 그루브의 경사각을 조절하며,상기 접착층은 상기 제3단계의 건식식각 과정에서 제거되고,상기 실리카 기판은 1㎜의 두께이며, 상기 접착층은 500Å, 상기 시드층은 3000Å, 상기 포토레지스트패턴은 10㎛, 상기 도금층은 8㎛의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리카 파이버 어레이용 그루브의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 C4F8 가스는 20 내지 80sccm 범위의 일정 유량으로 주입되며, 상기 그루브의 경사식각면은 59 내지 67°범위의 일정 경사각으로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리카 파이버 어레이용 그루브의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 제3단계는 보조가스로서 CF4, CHF3, 및 Ar으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 가스를 더 주입하며, 주입되는 상기 C4F8 가스와 상기 보조가스의 유량 조절을 통해 그루브의 경사각, 식각률 및 메탈마스크와 실리카의 식각비를 의미하는 선택비를 조절하는 것을 특징으로 하는 실리카 파이버 어레이용 그루브의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 C4F8 가스 및 보조가스가 주입되면 F원소는 Si원소와 반응하여 식각률을 증가시키는 한편, C원소는 CFx폴리머를 생성함으로써 경사 식각을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리카 파이버 어레이용 그루브의 제조방법
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6 6
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9 9
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