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반도체 전구체용액, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체층(semiconductor precursor solution, preparation method thereof and a semiconductor layer prepared by using this)

  • 기술번호 : KST2018002218
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 전구체용액, 이의 제조방법, 이를 이용하여 제조된 반도체층 및 박막트랜지스터를 제공하는 것으로, 본 발명의 반도체 전구체용액은 카르복실산기를 가지는 화합물로 개질된 탄소나노튜브 및 금속산화물 전구체를 포함한다.
Int. CL H01L 21/02 (2016.09.13) H01L 51/00 (2016.09.13) H01L 29/66 (2016.09.13)
CPC H01L 21/02205(2013.01) H01L 21/02205(2013.01) H01L 21/02205(2013.01) H01L 21/02205(2013.01) H01L 21/02205(2013.01) H01L 21/02205(2013.01) H01L 21/02205(2013.01)
출원번호/일자 1020160105628 (2016.08.19)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0020764 (2018.02.28) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.19)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정선호 대한민국 대전광역시 유성구
2 최영민 대한민국 대전광역시 유성구
3 류병환 대한민국 대전광역시 서구
4 이수연 대한민국 대전광역시 유성구
5 홍규리 대한민국 대전광역시 유성구
6 조예진 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0808298-62
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0807699-70
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0055129-83
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0055128-37
7 등록결정서
Decision to grant		 2018.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0355065-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
폴리아크릴산, 폴리메타아크릴산 또는 이들의 혼합물로 개질된 탄소나노튜브 및 금속산화물 전구체를 포함하는 반도체 전구체용액
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,상기 반도체 전구체용액은 폴리아크릴산, 폴리메타아크릴산 또는 이들의 혼합물로 개질된 탄소나노튜브가 0
4 4
제 1항에 있어서,상기 폴리아크릴산, 폴리메타아크릴산 또는 이들의 혼합물로 개질된 탄소나노튜브는 다중벽 탄소나노튜브인 반도체 전구체용액
5 5
제 1항에 있어서,상기 금속산화물 전구체는 0
6 6
제 1항에 있어서,상기 금속산화물 전구체는 금속염, 금속염 수화물 또는 이들의 혼합물인 반도체 전구체용액
7 7
제 1항에 있어서,상기 금속산화물 전구체는 인듐염 수화물 및 아연염 수화물인 반도체 전구체용액
8 8
금속산화물 전구체용액을 제조하는 단계;폴리아크릴산, 폴리메타아크릴산 또는 이들의 혼합물로 개질된 탄소나노튜브용액을 제조하는 단계; 및상기 금속산화물 전구체용액 및 폴리아크릴산, 폴리메타아크릴산 또는 이들의 혼합물로 개질된 탄소나노튜브용액을 혼합하여 금속산화물 반도체용액을 제조하는 단계;를 포함하는 반도체 전구체용액의 제조방법
9 9
제 1항 및 제 3항 내지 제 7항에서 선택되는 어느 한항의 반도체 전구체용액을 이용하여 제조된 반도체층
10 10
제 9항의 반도체층을 포함하는 박막트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 기획예산처 한국화학연구원 정부출연 일반사업 3D Device Printing 기반 HMI용 One-patch 소자 기술 개발사업
2 미래창조과학부 한국화학연구원 국제공동(협력)사업 (EZ)자가전원 마이크로소자 제조용 하이브리드 3D 프린팅 공정 및 기능성 잉크개발