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이종상을 갖는 열전반도체 분말 및 그 제조방법(Thermoelectric semiconductor powder having heterogeneous phase and manufacturing method of the same)

  • 기술번호 : KST2018002245
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 그래핀(graphene), 그래핀옥사이드(graphene oxide) 및 환원된 산화그래핀(reduced graphene oxide) 중에서 선택된 1종 이상의 그래핀계 물질과 열전반도체 재료가 복합화된 열전반도체 분말로서, 그래핀, 그래핀옥사이드 및 환원된 산화그래핀 중에서 선택된 1종 이상의 그래핀계 물질이 상기 열전반도체 재료에 분산되어 있는 구조를 이루고, 두께보다 길이가 큰 리본 형태의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 이종상을 갖는 열전반도체 분말의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 열전반도체 분말은 그래핀계 물질과 열전반도체 재료가 복합화되어 있고, 비표면적이 높은 그래핀계 물질이 함유되어 있으므로 열물성(thermal property)인 열전도도 저감에 의해 열전성능이 향상될 수 있으며, 리본 형태의 형상을 갖는다.
Int. CL H01L 35/14 (2006.01.01) H01L 35/02 (2006.01.01) H01L 35/16 (2006.01.01) H01L 35/18 (2006.01.01) H01L 35/34 (2006.01.01)
CPC H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01)
출원번호/일자 1020160105173 (2016.08.19)
출원인 한국세라믹기술원, 부경대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1903425-0000 (2018.09.21)
공개번호/일자 10-2018-0020588 (2018.02.28) 문서열기
공고번호/일자 (20181002) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.19)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***
2 부경대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신원호 대한민국 서울특별시 서초구
2 임영수 대한민국 부산광역시 수영구
3 서원선 대한민국 서울특별시 용산구
4 이순일 대한민국 경상남도 창원시 의창구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 고길수 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 **, *층 (서초동)(정석국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
2 부경대학교 산학협력단 부산광역시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0804437-29
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-0816867-74
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0822424-39
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0076974-73
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0189446-05
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0290975-83
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-0405127-57
8 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2018.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0063551-63
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.05.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0502123-73
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0502165-80
11 등록결정서
Decision to grant		 2018.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0623969-77
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5132722-09
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5161225-98
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2019-5277245-32
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2020-5172403-90
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번호 청구항
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(a) 그래핀(graphene), 그래핀옥사이드(graphene oxide) 및 환원된 산화그래핀(reduced graphene oxide) 중에서 선택된 1종 이상의 그래핀계 물질과, 열전반도체 재료를 혼합하여 복합 원료를 준비하는 단계; 및(b) 상기 복합 원료를 용융시키고 노즐을 통해 회전하는 휠에 분사하여 급속고화시켜 리본 형태의 형상을 갖는 열전반도체 분말을 얻는 단계를 포함하며, 상기 열전반도체 분말은 그래핀, 그래핀옥사이드 및 환원된 산화그래핀 중에서 선택된 1종 이상의 그래핀계 물질이 상기 열전반도체 재료에 분산되어 있는 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 이종상을 갖는 열전반도체 분말의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 리본 형태의 형상은 100㎚∼10㎛의 두께, 100㎛∼5㎝의 폭, 100㎛∼5㎝의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 이종상을 갖는 열전반도체 분말의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 열전반도체 재료는 Bi-Te계, Bi-Sb-Te계, Sb-Te계, Bi-Se-Te계, Sb-Se-Te계, Pb-Te계, Bi-Se계, Si-Ge계, Fe-Sb계 및 Co-Sb계 화합물 중에서 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종상을 갖는 열전반도체 분말의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 열전반도체 재료는 비스무트 안티모니 텔루라이드(BixSb2-xTe3, 여기서 X는 2보다 작은 실수)를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종상을 갖는 열전반도체 분말의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 그래핀계 물질은 1∼100의 층수와 10㎚∼10㎛의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 이종상을 갖는 열전반도체 분말의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 (a) 단계에서, 상기 열전반도체 재료 대비 0
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제8항에 있어서, 상기 (a) 단계에서,Te 및 Se 중에서 선택된 1종 이상의 금속을 더 혼합하여 복합 원료를 준비하며, 상기 금속은 상기 열전반도체 재료 100중량부에 대하여 0
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제8항에 있어서, 상기 열전반도체 재료는 잉곳(ingot) 형태의 열전반도체 재료이고,상기 잉곳 형태의 열전반도체 재료는 상기 열전반도체 재료의 원료 금속을 조성비에 맞게 혼합하여 혼합물을 준비하고, 상기 혼합물을 석영 튜브(quartz tube)에 넣고 진공 실링(vacuum sealing)한 후, 용융하고 급냉하여 얻으며, 상기 (a) 단계에서의 혼합은 밀링에 의한 분쇄 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종상을 갖는 열전반도체 분말의 제조방법
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1 산업통상자원부 희성금속 핵심소재원천기술개발사업 고차 나노구조 제어를 통한 Pilot Scale급 Bi-Te 열전 에너지 변환소재 기술 개발
2 미래창조과학부 부경대학교 중견연구자지원사업(핵심-개인) 고온안정성이 우수하며 구조적으로 다결정-전기적으로 단결정인 그래핀 복합 열전 복합소재