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페로브스카이트 화합물을 포함하는 포토컨덕터를 구비한 엑스선 검출기(X-RAY DETECTOR HAVING PHOTOCONDUCTOR COMPRISING PEROVSKITE COMPOUND)

  • 기술번호 : KST2018002354
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 페로브스카이트 화합물을 포함하는 포토컨덕터를 구비한 엑스선 검출기를 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 엑스선 검출기는 기판; 상기 기판 상에 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되고, 입사된 엑스선(X-ray)에 의해 전자-정공 쌍을 발생시키는 포토컨덕터층(photoconductor layer); 및 상기 포토컨덕터층 상에 형성된 제2 전극을 포함하고, 상기 포토컨덕터층은 하기 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.[화학식 1] A2A'n-1MnX3n+1 (상기 화학식 1에서, A는 1가의 양이온이고, A'는 1가의 양이온이며, M은 1가, 2가, 3가 또는 4가의 금속 양이온이고, X는 1가 음이온이며, n은 적어도 1이상임.)
Int. CL A61B 6/00 (2016.09.22) G01T 1/161 (2016.09.22) C08L 29/14 (2016.09.22) C08K 5/56 (2016.09.22) C08K 3/10 (2016.09.22) C07F 7/24 (2016.09.22)
CPC A61B 6/4216(2013.01) A61B 6/4216(2013.01) A61B 6/4216(2013.01) A61B 6/4216(2013.01) A61B 6/4216(2013.01) A61B 6/4216(2013.01)
출원번호/일자 1020160106406 (2016.08.22)
출원인 경희대학교 산학협력단, 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0021611 (2018.03.05) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.22)
심사청구항수 27

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임상혁 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 신동희 대한민국 충청남도 천안시 서북구
3 허진혁 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0815978-65
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-0235034-87
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2017.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0261980-08
4 [출원인지분변경]권리관계변경신고서
[Applicant Share Change] Report on Change of Proprietary Status		 2017.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0291530-13
5 보정요구서
Request for Amendment		 2017.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0042833-62
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-5007731-94
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0142137-47
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0677008-91
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.11.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1092705-73
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-1092695-04
12 등록결정서
Decision to grant		 2018.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0064043-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되고, 입사된 엑스선(X-ray)에 의해 전자-정공 쌍을 발생시키는 포토컨덕터층(photoconductor layer); 및 상기 포토컨덕터층 상에 형성된 제2 전극을 포함하고, 상기 포토컨덕터층은 하기 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트 화합물을 포함하며, 상기 포토컨덕터층의 두께는 1 ㎛ 내지 1,000 ㎛이고, 상기 포토컨덕터층의 트랩 밀도(trap density)는 108 ㎝-2 내지 1016 ㎝-2인 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
2 2
제1항에 있어서, 상기 A 또는 상기 A'는 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 화합물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 X선 검출기
3 3
제1항에 있어서, 상기 A 또는 상기 A'는 C1~24의 직쇄 또는 측쇄 알킬, 아민기(-NH3), 수산화기(-OH), 시아노기(-CN), 할로겐기, 니트로기(-NO), 메톡시기(-OCH3) 또는 이미다졸리움기가 치환된 C1~24의 직쇄 또는 측쇄 알킬, Li+, Na+, K+, Rb+, Cs+, Fr+, Cu(I) +, Ag(I)+ 및 Au(I)+으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
4 4
제1항에 있어서, 상기 M은 Li+, Na+, K+, Rb+, Cs+, Pb2+, Sn2+, Ge2+, Cu2+, Co2+, Ni2+, Ti2+, Zr2+, Hf2+, Rf2+, In3+, Bi3+, Co3+, Sb3+, Ni3+, Al3+, Ga3+, Tl3+, Sc3+, Y3+, La3+, Ce3+, Fe3+, Ru3+, Cr3+, V3+, Ti3+, Si4+, C4+, Ge4+, Hf4+, Zr4+ 및 Ti4+으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
5 5
제1항에 있어서, 상기 X는 F-, Cl-, Br-, I-, SCN- 및 BF4-으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
6 6
제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트 화합물은 나노결정입자인 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
7 7
제6항에 있어서, 상기 나노결정입자의 입자 크기는 1 ㎚ 내지 500 ㎚ 범위인 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서, 상기 포토컨덕터층은 트랩 힐링 물질(trap healing material)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
10 10
제9항에 있어서, 상기 트랩 힐링 물질은 그래핀 양자점(graphene quantum dot), 풀러렌(fullerene, C60) 또는 이들의 유도체로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
11 11
제1항에 있어서, 상기 포토컨덕터층은 유기 바인더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
12 12
제11항에 있어서, 상기 유기 바인더는 폴리비닐 부티랄 수지, 폴리비닐 클로라이드 수지, 아크릴 수지, 페녹시 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리비닐 포르말 수지, 폴리아미드 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리비닐 아세테이트 수지, 폴리우레탄 수지 및 에폭시 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
13 13
제11항에 있어서, 상기 포토컨덕터층에는 상기 페로브스카이트 화합물 및 상기 유기 바인더가 90:10 내지 10:90의 중량비로 포함되는 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
14 14
제1항에 있어서, 상기 포토컨덕터층은 무기 바인더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
15 15
제14항에 있어서, 상기 무기 바인더는 TiO2 나노입자, SiO2 나노입자, Al2O3 나노입자, VO2 나노입자, 층상구조 화합물, 금속알콕사이드 및 금속할라이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
16 16
제14항에 있어서, 상기 포토컨덕터층에는 상기 페로브스카이트 화합물 및 상기 무기 바인더가 90:10 내지 10:90의 중량비로 포함되는 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
17 17
제14항에 있어서, 상기 무기 바인더의 입자 크기는 1 ㎚ 내지 100 ㎚ 범위인 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
18 18
삭제
19 19
제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 인듐주석산화물(ITO), 알루미늄아연산화물(AZO), 불소산화주석(FTO), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene) 및 폴리에틸렌디옥시티오펜:폴리스티렌설포네이트(PEDOT:PSS)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
20 20
제1항에 있어서, 상기 제2 전극은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 인듐주석산화물(ITO), 알루미늄아연산화물(AZO), 불소산화주석(FTO), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene) 및 폴리에틸렌디옥시티오펜:폴리스티렌설포네이트(PEDOT:PSS)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
21 21
제1항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 전자 전달층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
22 22
제21항에 있어서, 상기 전자 전달층은 금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
23 23
제1항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 정공 전달층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
24 24
제23항에 있어서, 상기 정공 전달층은 티오펜계, 파라페닐렌비닐렌계, 카바졸계 및 트리페닐아민계로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
25 25
제1항에 있어서, 상기 기판은 유리(glass), 석영(quartz), 실리콘(silicon) 및 플라스틱(plastic)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
26 26
제1항에 있어서, 상기 기판은 박막트랜지스터(TFT), 전하결합소자(CCD) 또는 상보형금속산화반도체(CMOS)를 포함하는 어레이 기판인 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
27 27
엑스선을 발생시키는 엑스선 발생기; 상기 엑스선을 검출하는 제1항 내지 제7항, 제9항 내지 제17항 및 제19항 내지 제26항 중 어느 한 항에 따른 엑스선 검출기; 상기 엑스선 검출기를 구동시키는 구동부; 및 엑스선 검출 전압을 처리하는 데이터 처리부를 포함하는 엑스선 시스템
28 28
제27항에 있어서,상기 엑스선 시스템은 엑스선 회절 분석 장치(XRD)인 것을 특징으로 하는 엑스선 시스템
29 29
제27항에 있어서,상기 엑스선 시스템은 비파괴 검사 장치인 것을 특징으로 하는 엑스선 시스템
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단(학술진흥) 경희대학교 산학협력단 중견연구자 지원 사업 고효율 하이브리드 감응체 기반 유연 박막 태양전지 기술개발
2 한국연구재단(학술진흥) 경희대학교 산학협력단 선도 연구 지원 사업 고효율 하이브리드 감응체 기반 유연 박막 태양전지 기술개발
3 한국연구재단(학술진흥) 경희대학교 산학협력단 기후 변화대응 기술 개발 사업 고효율 무연 페로브스카이트형 태양전지 기술 개발
4 미래부 경희대학교 산학협력단 글로벌 프런티어 사업 고내구성 페로브스카이트 소재기술