| 1 |
1
하기 화학식 1의 조성을 가지고,003c#화학식 1003e# (AX)n(D2X'3)m상기 화학식 1 중,A는 Ge, Sn 및 Pb 중 적어도 어느 하나이고, X는 칼코겐 화합물로서 S, Se 및 Te 중 적어도 어느 하나이며, D는 Bi 및 Sb 중 적어도 어느 하나이고, n과 m은 각각 1 내지 100 사이의 정수이며, A 또는 X의 적어도 일부는 도펀트로 치환되는 것을 특징으로 하는 초격자 열전소재
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 A는 Sn인 것을 특징으로 하는 초격자 열전소재
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 Sn의 중량비는 D 물질 대비 3 내지 5%인 것을 특징으로 하는 초격자 열전소재
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 도펀트는, A에 치환되는 p형 도펀트 또는 X에 치환되는 n형 도펀트를 포함하는 것을 특징으로 하는 초격자 열전소재
|
| 5 |
5
제4항에 있어서, 상기 p형 도펀트는, Ga, In, Zn, Cu, Ag 및 Sn 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 초격자 열전소재
|
| 6 |
6
제4항에 있어서, 상기 n형 도펀트는, Cl, Br 및 I 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 초격자 열전소재
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 AX로 이루어진 물질은 부도체이거나 위상 계면을 가지는 부도체인 것을 특징으로 하는 초격자 열전소재
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 D2X'3은 위상 계면을 가지는 물질인 것을 특징으로 하는 초격자 열전소재
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 AX 물질과 D2X'3 물질 사이의 계면에는 위상학적으로 보존되는 금속 계면이 존재하는 것을 특징으로 하는 초격자 열전소재
|
| 10 |
10
제1항에 있어서, 상기 AX는 GeTe, SnTe, GeSe 및 SnSe 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 초격자 열전소재
|
| 11 |
11
제1항에 있어서, 상기 D2X'3는 Bi2Te3 또는 Sb2Te3인 것을 특징으로 하는 초격자 열전소재
|
| 12 |
12
초격자 열전소재를 이용한 열전소자에 있어서,초격자 열전소재를 이용한 제1열전소재 및 제2열전소재를 포함하는 열전소재; 및상기 제1열전소재 및 제2열전소재를 통하여 서로 전기적으로 직렬로 연결되는 다수의 전극을 포함하여 구성되고,상기 초격자 열전소재는 하기의 화학식 1로 표현되며,003c#화학식 1003e# (AX)n(D2X'3)m상기 화학식 1 중,A는 Ge, Sn 및 Pb 중 적어도 어느 하나이고, X는 칼코겐 화합물로서 S, Se 및 Te 중 적어도 어느 하나이며, D는 Bi 및 Sb 중 적어도 어느 하나이고, n과 m은 각각 1 내지 100 사이의 정수이며, A 또는 X의 적어도 일부는 도펀트로 치환되는 것을 특징으로 하는 초격자 열전소재를 이용한 열전소자
|
