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평균입경이 15 ㎛ 이하이며, 하기 화학식 1로 표시되는 활성금속 수소화물 분말을 포함하는 소결용 조성물:[화학식 1]MHx상기 화학식 1에서, M은 티타늄, 지르코늄, 알루미늄, 하프늄, 바나듐, 우라늄, 팔라듐, 이트륨, 루비듐, 프루토늄, 탈륨, 리튬, 인듐, 갈륨 및 베릴륨으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속을 나타내고, H는 수소이며, x는 1 내지 4이다
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제 1 항에 있어서, M은 티타늄이고 x는 2인 소결용 조성물
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제 1 항에 있어서, 활성금속 수소화물 분말은 평균 입경이 0
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제 1 항에 있어서, 소결조제를 추가로 포함하는 소결용 조성물
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제 4 항에 있어서, 소결조제는 하기 일반식 1을 만족하는 소결용 조성물:[일반식 1]Ps - Pa 003e# 0상기 일반식 1에서, Ps는 소결조제의 평형 산소 분압이며,Pa는 화학식 1의 활성금속 M의 평형 산소 분압이다
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제 1 항에 있어서, 소결조제는 하기 일반식 2를 만족하는 소결용 조성물:[일반식 2]S1 - S2 003e# 0상기 일반식 2에서, S1은 활성금속 M의 소결조제에 대한 용해도이고, S2는 소결조제의 활성금속 M에 대한 용해도이다
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제 1 항에 있어서, 소결조제는 3 내지 12족의 전이금속; 13 내지 15족의 금속; 및 란타넘족 또는 악티늄족의 희토류 금속으로 이루어진 군으로 선택된 하나 이상을 포함하는 소결용 조성물
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제 1 항에 있어서, 소결조제는 활성금속 수소화물 분말 100 중량부에 대하여 5 중량부 이하의 함량으로 포함되는 소결용 조성물
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제 4 항에 있어서, 첨가제 금속을 추가로 포함하는 상기 소결용 조성물
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10
제 9 항에 있어서, 첨가제 금속은 소결조제와 상이한 금속이며, 3 내지 12족의 전이금속 중 1종 이상의 금속을 포함하는 소결용 조성물
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11
제 9 항에 있어서, 첨가제 금속은 알루미늄, 바나듐, 하프늄, 니오븀, 철, 니켈, 텅스텐, 탄탈륨, 실리콘, 코발트, 크롬, 루테늄, 주석, 지르코늄 및 몰리브덴으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 소결용 조성물
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12
제 9 항에 있어서, 첨가제 금속은 활성금속 수소화물 분말 100 중량부에 대하여 0
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13
티타늄, 지르코늄, 하프늄, 바나듐, 우라늄, 팔라듐, 이트륨, 루비듐, 프루토늄, 탈륨, 리튬, 인듐, 갈륨 및 베릴륨으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 제 1 금속; 및 3 내지 12족의 전이금속; 13 내지 15족의 금속; 및 란타넘족 또는 악티늄족의 희토류 금속으로 이루어진 군으로 선택된 하나 이상의 제 2 금속을 포함하며, 상대 밀도가 90% 이상인 금속 소결체
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14
제 13 항에 있어서, 공극률이 5% 이하인 금속 소결체
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제 13 항에 있어서, 제 1 금속은 티타늄인 금속 소결체
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제 13 항에 있어서, 제 2 금속은 제 1 금속 100 중량부에 대하여 5 중량부 이하의 함량으로 포함되는 금속 소결체
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17
제 13 항에 있어서, 제 2 금속과 상이한 제 3 금속을 추가로 포함하고, 상기 제 3 금속은 3 내지 12족의 전이금속 중 1종 이상의 금속을 포함하는 금속 소결체
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18
제 17 항에 있어서, 제 3 금속은 알루미늄, 바나듐, 하프늄, 니오븀, 철, 니켈, 텅스텐, 탄탈륨, 실리콘, 코발트, 크롬, 루테늄, 주석, 지르코늄 및 몰리브덴으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 금속 소결체
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19
제 17 항에 있어서, 제 3 금속은 제 1 금속 100 중량부에 대하여 0
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제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항의 소결용 조성물을 준비하는 단계;상기 소결용 조성물을 성형하여 성형체를 제조하는 단계; 및상기 성형체를 열처리하는 단계를 포함하는 금속 소결체의 제조방법
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제 20 항에 있어서, 열처리하는 단계는 1000℃ 이하의 온도에서 5분 내지 10시간 동안 수행되는 금속 소결체의 제조방법
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제 20 항에 있어서, 열처리하는 단계는 진공, 수소 또는 비활성 기체 분위기 하에서 수행되는 금속 소결체의 제조방법
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23
제 20 항에 있어서, 열처리하는 단계는 가압되지 않은 상태에서 수행되는 금속 소결체의 제조방법
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제 20 항에 있어서, 열처리 하는 단계는 성형체가 티타늄, 텅스텐, 몰리브덴, 탄소강 및 스테인리스강으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속재료로 이루어진 용기 내에서 수행되는 금속 소결체의 제조방법
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제 24 항에 있어서, 용기 내부에 티타늄, 칼슘, 마그네슘 및 알루미늄으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 재료로 이루어진 칩, 스크랩, 그래뉼 또는 포일이 장입되어 있는 금속 소결체의 제조방법
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제 20 항에 있어서, 열처리 하는 단계는 진공 전기로를 이용한 저항발열체 가열, 전자기 유도가열, 전자선 가열, 레이저 가열, 적외선 가열, 플라즈마 가열, 마이크로웨이브 가열 또는 급속 가열 방법에 의해 수행되는 금속 소결체의 제조방법
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제 20 항에 있어서, 소결용 조성물을 준비하는 단계는, 평균 입경이 5 ㎛ 초과이며 하기 화학식 1로 표시되는 활성금속 수소화물 분말을 밀링하는 것을 포함하는 금속 소결체의 제조방법:[화학식 1]MHx상기 화학식 1에서, M은 티타늄, 지르코늄, 알루미늄, 하프늄, 바나듐, 우라늄, 팔라듐, 이트륨, 루비듐, 프루토늄, 탈륨, 리튬, 인듐, 갈륨 및 베릴륨으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속을 나타내고, H는 수소이며, x는 1 내지 4이다
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제 27 항에 있어서, 밀링은 볼밀링, 프래니터리밀링, 진동밀링, 고에너지밀링, 제트밀링 또는 어트리션 밀링에 의해 수행되는 금속 소결체의 제조방법
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