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조건 반사 동작을 수행하는 신경 소자 및 이의 구동 방법(Memristor Device of performing Conditioned Response and Method of driving the same)

  • 기술번호 : KST2018002395
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 조건 반사 기능이 부여된 신경 소자 및 이의 구동방법이 개시된다. 상하부 2개의 전극들 사이에는 양자점과 고분자 절연층이 형성된다. 양자점과 고분자 절연층의 계면은 전도성 필라멘트의 형성이 이루어진다. 무조건 자극 신호인 양의 펄스가 인가되면 전도성 필라멘트는 형성되고, 저저항 상태를 구현한다. 조건 자극 신호인 음의 펄스의 인가 횟수가 증가함에 따라 신경 소자는 고저항 상태에서 저저항 상태로 전환된다. 이를 통해 조건 자극 신호에 대한 학습능력을 가진 신경 소자를 구현하고, 구동할 수 있다.
Int. CL G06N 3/063 (2016.09.23) G06N 3/08 (2016.09.23)
CPC G06N 3/063(2013.01) G06N 3/063(2013.01)
출원번호/일자 1020160107921 (2016.08.24)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0022462 (2018.03.06) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.24)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 강남구
2 우 차오 싱 중국 서울특별시 성동구
3 이대욱 대한민국 경기도 고양시 일산동구
4 최환영 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-0825126-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2017-0011110-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0747028-79
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-1292690-12
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1292691-57
7 등록결정서
Decision to grant		 2018.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0284274-46
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성된 양자점;상기 양자점들의 이격공간을 충진하는 고분자 절연층; 및상기 양자점 및 고분자 절연층 상에 형성되고, 상기 양자점과 접촉되는 상부 전극을 포함하고,상기 상부 전극은 금속 양이온을 상기 양자점과 상기 고분자 절연층 사이의 계면에 공급하고, 상기 금속 양이온의 환원을 통해 상기 계면에 전도성 필라멘트를 형성하는 것을 특징으로 하는 신경 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 하부 전극은 Au, Pt, Cr, Ni, Al, Cu, Ag, Au, Ni, Zn, Cd, Pd Ti, AlZnO 또는 ITO를 포함하는 것을 특징으로 하는 신경 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 양자점은 Al2O3를 가지고, 상기 양자점의 직경은 5nm 내지 10nm인 것을 특징으로 하는 신경 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 고분자 절연층은 폴리이미드를 포함하는 것을 특징으로 하는 신경 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 상부 전극은 Cu, Ag, Au, Ni, Zn, Cd, Pd 또는 이들의 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 신경 소자
6 6
삭제
7 7
상부 전극과 하부 전극 사이에 양자점 및 고분자 절연층을 가지는 신경 소자의 구동방법에 있어서,상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 양전압차를 인가하여 상기 양자점과 접촉하는 상기 상부 전극으로부터 금속 양이온을 상기 양자점과 상기 고분자 절연층 사이의 계면에 공급하여 전도성 필라멘트를 형성하고, 상기 신경 소자를 저저항 상태로 진입시키는 단계;상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 음전압차를 인가하여 상기 양자점과 상기 고분자 절연층 사이의 계면에 공급된 상기 금속 양이온을 제거하여 상기 상부 전극에 인접한 전도성 필라멘트를 제거하는 단계; 및상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 양전압차와 음전압차를 번갈아 인가하여 상기 상부 전극에 인접하여 제거된 전도성 필라멘트를 축적시키는 단계를 포함하는 신경 소자의 구동방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제7항에 있어서, 상기 양전압차를 무조건 자극으로 사용하고, 상기 음전압차를 조건 자극으로 사용하는 것을 특징으로 하는 신경 소자의 구동방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 무조건 자극과 상기 조건 자극의 반복 인가 횟수가 증가함에 따라 상기 신경 소자는 무조건 자극과 동일한 저저항 상태에 진입하는 것을 특징으로 하는 신경 소자의 구동방법
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2 WO2018038546 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2019311250 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2018038546 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 미래창조과학부 (재)한국연구재단 이공분야 기초연구사업 / 중견연구자지원사업 / 도약연구(도전-후속연구지원) 나노 복합체 기반 memristive 메모리 소자와 고효율 유기 발광 소자 개발