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기술번호
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KST2018002494
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자료제공기관
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기관
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기술공급기관
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한국재료연구원
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기술명
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물질막 형성 방법(Methods of forming material layer)
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기술개요
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본 발명은 폴리머 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층 상에 몰리브덴 또는 산화몰리브덴을 함유하는 예비층을 형성하는 단계 및 황화수소를 함유하는 분위기에서 상기 예비층에 대하여 플라즈마 처리를 수행하여 이황화몰리브덴층을 형성하는 단계를 포함하는 물질막 형성 방법을 제공한다.
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개발상태
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TRL 3
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기술의 우수성
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○ 주요 성능 목표
？ 대면적 균일도 gt90#37 at 300mm 사이즈
？ 증착온도 lt 200℃
？ 금속 원자층 균일도 gt 90 #37 at [Aspect ratiogt (10:1)]
？ surface roughness (RMS) lt 5nm
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응용분야
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- 반도체 및 디스플레이 응용
- Aspect ratio 가 높은 3차원 형상의 표면에서 금속 원자층을 균일하게 증착하는 기술 및 장비 개발
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시장규모 및 동향
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○ 국내 동향
- 대표적인 국내 생산 업체의 경우 원익IPS, 주성엔지니어링이 있으며, 반도체 뿐만 아니라, 디스플레이, 태양광 장비등에도 공급하고 있다.
○ 국외 동향
- 세계적으로 선도하고 있는 기업은 Applied Materials, ASM 으로 다양한 원자층 단위 증착장비 뿐만 아니라, 반도체 공정의 장비들을 대기업에 납품하고 있다. 장비 개발에 있어서, 삼성, SK하이닉스 등 소자기업의 요구사항이 비공개로 반영되어 기술유출에 대한 우려로 국내 장비기업의 해외시장 진출에 소극적이다.
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희망거래유형
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기술 라이선스
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사업화적용실적
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도입시고려사항
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상담요망
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