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제1전극, 복합광전극, 광활성층, 정공전달층 및 제2전극을 포함하고, 상기 복합광전극은 제1전극 상에 형성된 금속나노선 망상구조층, 상기 금속나노선 망상구조층 상에 형성된 제1금속산화물층, 상기 제1금속산화물층 상에 형성된 금속나노입자층 및 상기 금속나노입자층 상에 형성된 제2금속산화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 금속나노선은 은(Ag) 또는 금(Au)을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 금속나노선은 20 nm 내지 200 nm의 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 금속나노입자는 은(Ag) 또는 금(Au)을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 금속나노입자는 10 nm 내지 100 nm의 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 금속산화물층은 이산화티타늄(TiO2) 또는 산화아연(ZnO)을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 금속산화물층 각각의 두께는 20 nm 내지 40 nm인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 광활성층은 황화안티몬, 페로브스카이트 및 황화납 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1전극 상부에 금속나노선 망상구조층을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 형성된 금속나노선 망상구조층 상에 제1금속산화물층을 형성하는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 형성된 제1금속산화물층 상에 금속나노입자층을 형성하는 단계(단계 3);상기 단계 3에서 형성된 금속나노입자층 상에 제2금속산화물층을 형성하는 단계(단계 4);상기 단계4에서 형성된 제2금속산화물층 상에 광활성층을 형성하는 단계(단계 5);상기 광활성층 상에 정공 전달층을 형성하는 단계(단계 6); 및상기 단계 6에서 형성된 정공 전달층 상에 제2전극을 형성하는 단계(단계 7);를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 단계 1의 금속나노선은 은(Ag) 또는 금(Au)을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 단계 1의 금속나노선은 20 nm 내지 200 nm의 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 단계 1의 금속나노선층은 스핀코팅 또는 전기방사법을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 단계 3의 금속나노입자층은 은(Ag) 또는 금(Au)을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 단계 3의 금속나노입자는 10 nm 내지 100 nm의 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 단계 3의 금속나노입자층은 스핀코팅을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 단계 2 또는 4의 금속산화물층은 이산화티타늄(TiO2) 또는 산화아연(ZnO)을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 단계 2 및 단계 4의 금속산화물층 각각의 두께는 20 nm 내지 40 nm인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 단계2 또는 단계4의 금속산화물층은 원자층증착법을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 단계 5의 광활성층은 황화안티몬, 페로브스카이트 및 황화납의 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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