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기판; 및상기 기판 상에 형성되며 구리(Cu) 또는 구리합금으로 구성되는 구리 박막;을 포함하되,상기 구리 박막의 (111)면의 전체 결정면에 대한 비율은 상기 구리 박막의 두께가 증가함에 따라 감소하며 상기 구리 박막의 I(111)/I(200)이 17을 초과하는 구리 박막 기판
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기판; 및상기 기판 상에 형성되면 구리(Cu) 또는 구리합금으로 구성되는 구리 박막;을 포함하되,상기 구리 박막은 물리기상증착법(PVD, Physical Vapor Deposition)을 통하여 형성되며,상기 PVD 공정 가스는 질소(N2)를 포함하는 구리 박막 기판
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 구리 박막의 두께가 9nm 이하인 경우 상기 구리 박막의 I(111)/I(200)이 23 이상인 구리 박막 기판
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 구리 박막의 두께는 0nm 초과, 40nm 이하인 구리 박막 기판
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 구리 박막의 조도가 0 nm 초과, 0
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판은 투명 폴리머 기판인 구리 박막 기판
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판은 전도성 산화물 또는 질화물을 포함하는 구리 박막 기판
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 구리 박막 기판은 50Ω/sq 이하의 면저항을 가지는 구리 박막 기판
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 구리 박막 기판은 85% 이상의 광투과도를 가지는 구리 박막 기판
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판 및 상기 구리 박막 사이에 형성되는 중간층;을 더 포함하는 구리 박막 기판
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 구리 박막 상에 형성되는 보호층;을 더 포함하는 구리 박막 기판
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제1항에 있어서,상기 구리 박막은 질소로 도핑되는 구리 박막 기판
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 구리 박막의 질소 함유량은 4% 이하인 구리 박막 기판
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 구리 박막은 아르곤(Ar) 및 질소(N2)를 공정가스로 한 물리기상증착법(PVD, Physical Vapor Deposition)에 의해 형성되는 구리 박막 기판
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제14항에 있어서,상기 공정 가스는 아르곤(Ar) : 질소(N2)가 50 : 0
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제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 기재된 구리 박막 기판을 포함하는 물품
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제16항에 있어서, 상기 물품은 디스플레이용 투명 전극, 편광판, 태양전지용 투명 전극, 저방사코팅, 투명히터용 전극, 또는 반도체용 미세금속전극인 물품
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기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 물리기상증착법(PVD, Physical Vapor Deposition)에 의해 구리(Cu) 또는 구리합금을 포함하는 구리 박막을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 물리기상증착법(PVD, Physical Vapor Deposition)의 공정 가스는 질소(N2)를 포함하는 구리 박막 기판의 제조방법
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제18항에 있어서,상기 물리기상증착법(PVD, Physical Vapor Deposition)의 공정 가스는 아르곤(Ar) 및 질소(N2)를 포함하는 구리 박막 기판의 제조 방법
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제19항에 있어서,상기 공정 가스는 아르곤(Ar) : 질소(N2)가 50 : 0
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제18항에 있어서,상기 구리 박막을 형성하는 단계는 100℃ 이하에서 수행되는 구리 박막 기판의 제조 방법
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