| 1 |
1
절연 기판, 상기 절연 기판 상에 배치된 제1 전극, 및 상기 절연 기판 상에 배치되고 상기 제1 전극과 절연되도록 배치된 제2 전극을 포함하는 표시 기판;상기 표시 기판 상에 배치된 액정층; 및상기 표시 기판과 상기 액정층 사이에 배치된 배향 유도층을 포함하되,상기 배향 유도층은 하기 화학식 1-A로 표현되는 구조를 갖는 화합물을 포함하는 표시 장치
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서,상기 배향 유도층 내 상기 화학식 1-A로 표현되는 구조를 갖는 화합물은 상기 표시 기판의 표면 상에 정렬되되,상기 화학식 1-A의 말단기 R1은 상기 표시 기판을 향하도록 정렬되고,상기 화학식 1-A의 연결기 A는 상기 표시 기판의 표면과 나란한 방향을 향하도록 정렬된 표시 장치
|
| 3 |
3
제1 항에 있어서,상기 액정층은 광 경화성 단량체를 포함하고,상기 배향 유도층은 복수의 광 경화성 중합체를 더 포함하는 표시 장치
|
| 4 |
4
제3 항에 있어서,상기 배향 유도층은 하기 화학식 2-A로 표현되는 구조를 갖는 화합물을 더 포함하는 표시 장치
|
| 5 |
5
제4 항에 있어서,상기 배향 유도층은 상기 화학식 1-A로 표현되는 구조를 갖는 화합물, 상기 화학식 1-B로 표현되는 구조를 갖는 화합물 및 상기 광 경화성 중합체만으로 이루어진 표시 장치
|
| 6 |
6
복수의 액정;광 경화성 단량체; 및하기 화학식 2-A로 표현되는 구조를 갖는 화합물을 포함하는 액정 조성물
|
| 7 |
7
제6 항에 있어서,상기 화학식 2-A로 표현되는 구조를 갖는 화합물은,하기 화학식 2-B로 표현되는 구조를 갖는 화합물인 액정 조성물
|
| 8 |
8
제6 항에 있어서,상기 화학식 2-A로 표현되는 구조를 갖는 화합물은,하기 화학식 2-G로 표현되는 구조를 갖는 화합물인 액정 조성물
|
| 9 |
9
제6 항에 있어서,상기 광 경화성 단량체는,메조겐 코어 구조, 및, , , , , , 및 으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 말단기를 포함하는 액정 조성물
|
| 10 |
10
제6 항에 있어서,상기 액정 조성물은 양의 유전율 이방성을 가지고,상기 화학식 2-A로 표현되는 구조를 갖는 화합물의 분자량은 200 내지 650인 액정 조성물
|
| 11 |
11
제10 항에 있어서,상기 액정 조성물 전체 중량에 대하여,상기 광 경화성 단량체의 함량은 0
|
| 12 |
12
제11 항에 있어서,상기 화학식 2-A로 표현되는 구조를 갖는 화합물의 상기 복수의 액정에 대한 25℃에서의 용해도는 0
|
| 13 |
13
기판 상에 액정 및 아조벤젠기를 갖는 화합물을 포함하는 액정 조성물을 제공하여 액정층 및 프리-배향 유도층을 형성하는 단계; 및상기 액정층에 광을 조사하는 단계를 포함하는 횡전계용 표시 장치의 제조 방법
|
| 14 |
14
제13 항에 있어서,상기 액정 조성물은 광 경화성 단량체를 더 포함하고,상기 광을 조사하는 단계에서,상기 광 경화성 단량체는 상기 액정층 내에 균일하게 분산된 상태인 표시 장치의 제조 방법
|
| 15 |
15
제13 항에 있어서,상기 광을 조사하는 단계는, 350nm 내지 450nm 범위의 파장을 갖는 광을 조사하는 단계인 표시 장치의 제조 방법
|
| 16 |
16
제15 항에 있어서,상기 프리-배향 유도층을 형성하는 단계는, 상기 기판의 표면 상에 상기 아조벤젠기를 갖는 화합물을 정렬시키는 단계이고,상기 아조벤젠기를 갖는 화합물은 하기 화학식 2-A로 표현되는 화합물이며,상기 광을 조사하는 단계에 의해, 하기 화학식 2-A로 표현되는 구조를 갖는 화합물들 중 적어도 일부는 하기 화학식 1-A로 표현되는 구조를 갖는 화합물로 변형되는 표시 장치의 제조 방법
|
| 17 |
17
제16 항에 있어서,상기 액정 조성물은 광 경화성 단량체를 더 포함하고,상기 광을 조사하는 단계는 제1 파장을 갖는 광을 조사하는 단계이며,상기 제1 파장을 갖는 광을 조사하는 단계 후에, 상기 제1 파장보다 짧은 제2 파장을 갖는 광을 조사하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법
|
| 18 |
18
제16 항에 있어서,상기 액정 조성물은 광 경화성 단량체를 더 포함하고,상기 광을 조사하는 단계는 제1 파장을 갖는 광을 제1 노광량으로 조사하는 단계이며,상기 제1 파장을 갖는 광을 상기 제1 노광량으로 조사하는 단계 후에, 상기 제1 파장을 갖는 광을 상기 제1 노광량보다 큰 제2 노광량으로 조사하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법
|
| 19 |
19
제13 항에 있어서,상기 액정층 및 프리-배향 유도층을 형성하는 단계와 상기 광을 조사하는 단계 사이에,상기 액정 조성물의 등방성 상전이 온도보다 0
|
| 20 |
20
제19 항에 있어서,상기 액정층을 가열하는 단계와 상기 광을 조사하는 단계 사이에,상기 액정 조성물의 등방성 상전이 온도로 상기 액정층을 냉각하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법
|
