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소자 보호특성이 개선된 페시베이션 박막을 적용한 유기발광다이오드의 제조방법 및 이에 따라 제조한 유기발광다이오드(Manufacturing method for Organic Light Emitting Diodes comprising a passivation thin film having improved property of protecting devices, and Organic Light Emitting Diodes manufactured thereby)

  • 기술번호 : KST2018002789
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기발광다이오드 음극층 상에 폴리비닐알코올(PVA) 및 소듐 알지네이트(Sodium Alginate, SA)를 포함하는 페시베이션 보호막을 형성하는 단계;를 포함하는 유기발광다이오드의 제조방법 및 이에 따라 제조한 유기발광다이오드에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 배리어 보호 특성이 향상된 페시베이션 보호막을 제조하여 유기발광다이오드의 시간 경과에 따른 광학 특성 변화를 최소화할 수 있다. 즉, 본 발명에 따르면 유기발광다이오드는 수명을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 51/52 (2016.09.30) H01L 51/00 (2016.09.30) C09D 129/04 (2016.09.30) C09D 7/12 (2016.09.30)
CPC H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01)
출원번호/일자 1020160111497 (2016.08.31)
출원인 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0025458 (2018.03.09) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.10.19)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단 대한민국 충청남도 천안시 동남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장호정 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 김동성 대한민국 충청남도 천안시 서북구
3 박병민 대한민국 대전광역시 유성구
4 이상희 대한민국 경기도 안성시
5 문세찬 대한민국 경상남도 창녕군
6 김기홍 대한민국 충청남도 천안시 동남구
7 김지묵 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손민 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, *층(문정동)(특허법인한얼)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단 대한민국 충청남도 천안시 동남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2016-0848035-09
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-1032735-47
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0340624-26
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0710148-82
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0822330-34
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0822329-98
7 등록결정서
Decision to grant
2018.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0587219-18
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번호 청구항
1 1
유기발광다이오드 음극층 상에 폴리비닐알코올(PVA) 및 소듐 알지네이트(Sodium Alginate, SA)를 포함하는 페시베이션 용액을 사용하여 페시베이션 보호막을 형성하는 단계;를 포함하는 유기발광다이오드의 제조방법으로서,상기 소듐 알지네이트는 페시베이션 용액 총 중량을 기준으로 20 내지 40 중량%로 포함되는 것인, 유기발광다이오드의 제조방법
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삭제
3 3
삭제
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제1항에 있어서, 상기 페시베이션 보호막은 상기 페시베이션 용액을 사용하여 스핀코팅, 잉크젯 프린팅, 롤코팅, 스크린 프린팅 또는 딥핑의 방법으로 형성되는 것인 유기발광다이오드의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 페시베이션 보호막의 두께는 30 내지 3000 nm인 것인 유기발광다이오드의 제조방법
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기판, 정공주입층, 발광층, 버퍼층, 전자주입층 및 음극층을 포함하는 유기발광다이오드로서, 상기 음극층 상에 폴리비닐알코올(PVA) 및 소듐 알지네이트(Sodium Alginate, SA)를 포함하는 페시베이션 용액으로 페시베이션 보호막이 형성된 것을 특징으로 하고,상기 소듐 알지네이트는 페시베이션 용액 총 중량을 기준으로 20 내지 40 중량%로 포함되는 것인, 유기발광다이오드
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삭제
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제6항에 있어서, 상기 페시베이션 보호막의 두께는 30 내지 3000 nm인 것인 유기발광다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단 산학연 첫걸음기술개발사업 새로운 보호막을 적용한 무인 항공기용 플렉시블 CIGS 태양전지 모듈 개발