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탄소구조체를 준비하는 단계; 상기 탄소구조체에 비금속 원소를 포함하는 소스를 제공하여, 상기 비금속 원소를 상기 탄소구조체에 도핑하는 단계;상기 도핑된 탄소구조체를 후 전이금속(post transition metal)을 포함하는 제1 물질 및 황(S)을 포함하는 제2 물질과 함께 혼합하는 단계; 및혼합된 상기 제1 물질, 상기 제2 물질, 및 상기 도핑된 탄소구조체를 환원제와 함께 열처리하여, 상기 후 전이금속 및 상기 황을 포함하는 화합물 및 상기 도핑된 탄소구조체를 포함하는 복합 구조체를 제조하되, 상기 후 전이금속 및 상기 황을 포함하는 화합물 내의 상기 후 전이금속은 상기 도핑된 탄소구조체와 화학적으로 결합되고, 상기 후 전이금속 및 상기 황을 포함하는 화합물 내의 상기 황은 상기 도핑된 탄소구조체와 화학적으로 결합된 것을 포함하는 촉매의 제조방법
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제1 항에 있어서, 상기 비금속은, N, P, Se, B, I, 또는 F 중 적어도 어느 하나를 포함하는 촉매의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 소스는, C2H4N4, (C6H5)3P, selenium 파우더, boron trichloride(BCl3), Boric acid(H3BO3), Boron trioxide(B2O3), Ammonia borane, Iodine 파우더 또는 Ammonium fluoride(NH4F) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 촉매의 제조방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 물질은, SnCl2를 포함하고,상기 제2 물질은, Na2S를 포함하는 촉매의 제조방법
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제1 항에 있어서, 상기 탄소구조체를 준비하는 단계는, 그래핀 산화물을 열처리하여 그래핀 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 촉매의 제조방법
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질소가 도핑된 탄소구조체, 및 후 전이금속 및 황을 포함하는 화합물을 포함하되, 상기 후 전이금속 및 상기 황을 포함하는 화합물 내의 상기 후 전이금속은 상기 도핑된 탄소구조체와 화학적으로 결합되고, 상기 후 전이금속 및 상기 황을 포함하는 화합물 내의 상기 황은 상기 도핑된 탄소구조체와 화학적으로 결합된 것을 포함하는 촉매
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제6 항에 있어서, 상기 질소의 도핑 농도는 1at% 초과 3at% 미만인 것을 포함하는 촉매
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제6 항에 있어서, 인 또는 황이 상기 탄소구조체에 더 도핑된 것을 포함하는 촉매
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인이 도핑된 탄소구조체, 및 후 전이금속 및 황을 포함하는 화합물을 포함하되, 상기 후 전이금속 및 상기 황을 포함하는 화합물 내의 상기 후 전이금속은 상기 도핑된 탄소구조체와 화학적으로 결합되고, 상기 후 전이금속 및 상기 황을 포함하는 화합물 내의 상기 황은 상기 도핑된 탄소구조체와 화학적으로 결합된 것을 포함하되,상기 인의 도핑 농도는 1at% 초과 5at% 미만인 것을 포함하는 촉매
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셀레늄이 도핑된 탄소구조체, 및 후 전이금속 및 황을 포함하는 화합물을 포함하되, 상기 후 전이금속 및 상기 황을 포함하는 화합물 내의 상기 후 전이금속은 상기 도핑된 탄소구조체와 화학적으로 결합되고, 상기 후 전이금속 및 상기 황을 포함하는 화합물 내의 상기 황은 상기 도핑된 탄소구조체와 화학적으로 결합된 것을 포함하되,상기 셀레늄의 도핑 농도는 3at% 초과 7at% 미만인 것을 포함하는 촉매
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