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적어도 하나의 원자층 증착 모듈을 포함하는, 롤-투-롤(Roll-to-Roll) 방식의 투명전극 제조장치를 이용한 투명전극 제조 방법에 있어서,제 1 원자층 증착 공정을 수행하여 유연기판의 제 1 면 및 상기 제 1 면과 대향하는 제 2 면 상에 제 1 보호막 및 제 2 보호막을 각각 형성하는 것;제 2 원자층 증착 공정을 수행하여 상기 제 1 보호막 상에 제 1 산화막을 형성하는 것;상기 제 1 산화막 상에 금속막을 형성하는 것; 및제 2 산화막을 형성하는 것을 포함하고,상기 제 1 원자층 증착 공정 및 상기 제 2 원자층 증착 공정을 수행하는 것의 각각은 상기 적어도 하나의 원자층 증착 모듈을 이용하는 것을 포함하는 투명전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 적어도 하나의 원자층 증착 모듈은 제 1 원자층 증착 모듈을 포함하되,상기 제 1 보호막 및 상기 제 2 보호막은 상기 제 1 원자층 증착 모듈을 이용하여 동시에 형성되는 투명전극 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 산화막을 형성하는 것은 상기 제 1 원자층 증착 모듈을 이용하는 것을 포함하는 투명전극 제조 방법
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제 3 항에 있어서,투명전극 제조 장치는 플라즈마 처리 모듈을 더 포함하되,상기 제 1 산화막의 형성 전에, 상기 플라즈마 처리 모듈 이용하여 상기 제 1 보호막의 표면을 플라즈마 처리하는 것을 더 포함하는 투명전극 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 플라즈마 처리는 수소 플라즈마를 이용하여 수행하는 투명전극 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 제 1 산화막을 형성하는 것은 상기 유연 기판을 상기 플라즈마 처리 모듈로부터 상기 제 1 원자층 증착 모듈로 이동시키는 것을 더 포함하는 투명전극 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 금속막의 형성 전에, 상기 제 1 산화막의 표면을 플라즈마 처리하는 것을 더 포함하되,상기 제 1 산화막의 표면을 플라즈마 처리하는 것은 상기 플라즈마 처리 모듈을 이용하는 것을 포함하는 투명전극 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 플라즈마 처리는 수소 플라즈마를 이용하여 수행하는 투명전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 적어도 하나의 원자층 증착 모듈은 제 1 원자층 증착 모듈 및 제 2 원자층 증착 모듈을 포함하되,상기 제 1 원자층 증착 공정은 상기 제 1 원자층 증착 모듈을 이용하여 수행되고,제 2 원자층 증착 공정은 상기 제 2 원자층 증착 모듈을 이용하여 수행되는 투명전극 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 투명전극 제조장치는 상기 제 1 및 제 2 원자층 증착 모듈들 사이에 배치되는 플라즈마 처리 모듈을 더 포함하되,상기 제 1 산화막의 형성 전에, 상기 플라즈마 처리 모듈 이용하여 상기 제 1 보호막의 표면을 플라즈마 처리하는 것을 더 포함하는 투명전극 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 플라즈마 처리 모듈은 제 1 플라즈마 처리 모듈이고,상기 투명전극 장치는 제 1 플라즈마 처리 모듈을 더 포함하되,상기 금속막의 형성 전에, 상기 제 2 플라즈마 처리 모듈을 이용하여 상기 제 1 산화막의 표면을 플라즈마 처리 하는 것을 더 포함하는 투명전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명전극 제조장치는 제 1 스퍼터링 모듈 및 제 2 스퍼터링 모듈을 더 포함하되,상기 금속막은 상기 제 1 스퍼터링 모듈을 이용하여 형성하고,상기 제 2 산화막은 제 2 스퍼터링 모듈을 이용하여 형성하는 투명전극 제조 방법
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13
제 12 항에 있어서,상기 제 1 스퍼터링 모듈은 DC 스퍼터링 모듈이고,상기 제 2 스퍼터링 모듈은 RF 스퍼터링 모듈인 투명전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 보호막 및 상기 제 2 보호막은 실질적으로 동일한 두께를 갖도록 형성되는 투명전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속막의 두께는 상기 제 1 산화막 및 상기 제 2 산화막의 두께보다 작은 투명전극 제조 방법
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