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Mg-Si계 열전재료 및 이의 제조방법(Mg-Si based thermoelectric material and method for manufacturing the same)

  • 기술번호 : KST2018002837
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열전재료 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상기 열전재료는 열전성능이 우수하고 기계적 강도(특히, 압축강도)가 높기 때문에 이를 열전모듈에 적용할 경우, 성능 및 효율이 우수하면서도 장수명을 가지는 열전모듈을 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 35/14 (2016.10.05) H01L 35/16 (2016.10.05) H01L 35/18 (2016.10.05) H01L 35/34 (2016.10.05) H01L 35/02 (2016.10.05)
CPC H01L 35/14(2013.01)H01L 35/14(2013.01)H01L 35/14(2013.01)H01L 35/14(2013.01)H01L 35/14(2013.01)
출원번호/일자 1020160112636 (2016.09.01)
출원인 현대자동차주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0025666 (2018.03.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.12.02)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 현대자동차주식회사 대한민국 서울특별시 서초구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김병욱 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이종국 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 이한샘 대한민국 서울특별시 금천구
4 여인웅 대한민국 경기도 수원시 장안구
5 곽진우 대한민국 경상북도 경산시 대학로*
6 이우영 대한민국 서울특별시 마포구
7 김관식 대한민국 경기도 용인시 기흥구
8 이휘종 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태평양 대한민국 서울특별시 중구 청계천로 **, *층(다동, 예금보험공사빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0854945-17
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5148973-60
3 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2020.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2020-1303652-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Mg2Si의 조성을 포함하는 결정립으로 이루어진 결정조직; 및상기 결정조직 내의 계면에 존재하는 금속 입자를 포함하고,상기 금속 입자의 함량이 상기 결정조직 100 중량부를 기준으로 0
2 2
청구항 1에 있어서,상기 금속 입자의 크기가 50 내지 500 ㎚인 Mg-Si계 열전재료
3 3
청구항 1에 있어서,상기 금속 입자는 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것인 Mg-Si계 열전재료
4 4
청구항 1에 있어서,비스무트(Bi), 안티모니(Sb), 비소(As), 인(P), 텔루륨(Te), 셀레늄(Se) 및 알루미늄(Al)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 도핑제를 더 포함하는 Mg-Si계 열전재료
5 5
a) Mg2Si 분말과 금속 전구체 분말을 혼합하여 혼합물을 얻는 단계;b) 상기 혼합물을 환원열처리하여 상기 Mg2Si 분말에 금속 입자가 결합된 과립(granule)을 얻는 단계; 및c) 상기 과립을 소결하는 단계를 포함하는 Mg-Si계 열전재료의 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 a) 단계의 금속 전구체 분말은 구리 아세테이트 분말, 아연 아세테이트 분말, 알루미늄 아세테이트 분말, 지르코늄 아세테이트 분말 및 주석 아세테이트 분말로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것인 Mg-Si계 열전재료의 제조방법
7 7
청구항 5에 있어서,상기 b) 단계의 환원열처리하는 온도가 상기 금속 전구체 분말의 녹는점보다 낮은 것인 Mg-Si계 열전재료의 제조방법
8 8
청구항 5에 있어서,상기 b) 단계의 환원열처리하는 온도가 150 내지 400 ℃인 Mg-Si계 열전재료의 제조방법
9 9
청구항 5에 있어서,상기 b) 단계의 환원열처리는 수소와 비활성 기체가 혼합된 혼합 가스 존재 하에 이루어지는 것인 Mg-Si계 열전재료의 제조방법
10 10
청구항 9에 있어서,상기 비활성 기체는 헬륨, 아르곤 및 질소로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것인 Mg-Si계 열전재료의 제조방법
11 11
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항의 Mg-Si계 열전재료를 포함하는 열전소자
12 12
상부 절연기판;상기 상부 절연기판에 대향하는 하부 절연기판;상기 상부 절연기판에 형성되는 상부 전극;상기 하부 절연기판에 형성되는 하부 전극; 및상기 상부 전극 및 상기 하부 전극과 각각 접촉하는 청구항 11의 열전소자를 포함하는 열전모듈
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.