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전류제어 전자센서용 적층형 기판 및 그 제조방법(Multilayer type substrate for electronic sensor of current controlled and manufacturing method thereof)

  • 기술번호 : KST2018002980
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 누설전류가 없는 확산전류를 이용하는 전자센서에 있어서 낮은 확산전류를 증폭시키기 위하여 절연체를 수직으로 쌓아서 높은 확산전류를 얻을 수 있는 전자소자 기판과 그 제조방법에 대한 것으로, 기판, 실리콘기판과 SiC기판인 경우 상기 기판 위에 배치되는 게이트 절연막은 SiOC로 이루어지며, 상기 게이트 절연막의 유전상수는 1.0~2.0인 것을 특징으로 하는 누설전류가 없이 확산전류에 의해서 전도가 이루어지도록 하며, 상기 절연 기판 위에 다시 절연막을 적층하기 위해서 투명전극을 포함하고, 상기 투명전극 위에 게이트 절연막 SiOC 박막을 구성하여 확산전류가 2배 증가하는 효과를 얻을 수 있다. 확산전류에 의한 전류의 증폭을 하기 위해서 다시, 상기의 절연할 수 있도록 게이트 절연막을 포함하고 투명전극을 포함하여, 확산전류가 3배의 증가효과를 얻을 수 있다. SiOC/투명전극 구조를 반복적으로 구성하여 확산전류의 증폭효과에 의해서 전자소자의 동작전류를 높여주는 기판 및 그 제조방법을 제공한다. 기판이 전도성이 없는 유리 혹은 플라스틱인 경우 표면을 ITO를 포함하는 다중절연기판 위에 상기의 SiOC/투명전극의 구조를 반복하여 확산전류를 증폭할 수 있다. 상기 다중절연기판 위에 소스와 드레인 전극은 제작하고자 하는 센서의 용도에 맞게 선택적으로 설계 제작될 수 있다. 게이트 전극과 소스/드레인 전극은 게이트 절연막을 사이에 두고 서로 반대쪽에 위치하므로 게이트 전압이 음(-)의 바이어스인 경우에는 소스와 드레인 전류은 (+)값을 갖고, 게이트 전압이 양(+)의 바이어스인 경우 소스와 드레인 전류는 (-)값을 나타내므로 게이트 전압이 (-)바이어스에서 (+)로 이동함에 따라 소스와 드레인 전류는 (+)에서 (-)값을 갖는 양방향성 트랜지스터의 전달 특성을 나타내는 확산전류 증폭기판 및 그 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 29/423 (2016.10.07) H01L 21/8234 (2016.10.07) H01L 21/28 (2016.10.07) H01L 29/66 (2016.10.07) H01L 21/02 (2016.10.07) G01N 27/414 (2016.10.07)
CPC H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01)
출원번호/일자 1020160114509 (2016.09.06)
출원인 포스컨트롤 주식회사, 청주대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0027201 (2018.03.14) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.06)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포스컨트롤 주식회사 대한민국 충청남도 아산시
2 청주대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 청원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남기선 대한민국 충남 천안시 서북구
2 오데레사 충청북도 청주시 상당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 추혁 대한민국 경기도 화성시 동탄대로 ***-** 효성아이씨티타워 ****호(지엠국제특허)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포스컨트롤 주식회사 충청남도 아산시
2 청주대학교 산학협력단 충청북도 청주시 청원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2016-0869300-30
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.12.07 수리 (Accepted) 9-1-2016-0049335-70
4 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.07.12 무효 (Invalidation) 1-1-2017-0664344-76
5 보정요구서
Request for Amendment
2017.07.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0097651-26
6 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.07.28 무효 (Invalidation) 1-1-2017-0728108-97
7 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2017.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0121636-50
8 보정요구서
Request for Amendment
2017.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0122237-14
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0655303-40
10 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2017.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0922003-08
11 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2017.10.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0147264-77
12 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-1072388-23
13 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2017.11.02 재발송완료 (Re-dispatched) 1-5-2017-0156958-55
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.11.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1150336-78
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1149821-86
16 등록결정서
Decision to grant
2018.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0216144-92
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2018-5093402-10
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 기판; 상기 전도성 기판 위에 형성된 게이트 전극;유전상수가 1
2 2
비 전도성 기판; 상기 비 전도성 기판 위에 형성된 투명전극;상기 투명전극 위에 형성된 게이트 전극;유전상수가 1
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 투명전극은,Al, 나노와이어, 그래핀, ITO, 투명전도성 산화물(TCO)기반의 투명전극인 AZO, ZTO, IGZO, ZITO, SiZO, 하이브리드 (복합소재) 투명전극 및 CNT 기반 투명전극 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전류제어 전자센서용 적층형 기판
7 7
삭제
8 8
제 2항의 전류제어 전자센서용 적층형 기판을 제조하기 위한 제조방법으로서, 기판을 준비하는 단계;상기 기판 위에 투명전극을 형성하는 단계;상기 투명전극 위에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 기판 및 상기 게이트 전극 위에, 초기조건 10-5 Torr, 공정조건 1
9 9
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10 10
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11 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.