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질화물 반도체를 이용한 이종접합 트랜지스터 및 그 제조 방법(HETERO-JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR USING NITRIDE SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2018003017
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 GaN으로 이루어진 질화물 반도체가 포함된 버퍼층; 상기 버퍼층 상부에 성장된 AlGaN으로 이루어진 장벽층; 상기 장벽층 상부에 국부적으로 선택 성장된 캡층; 상기 장벽층과 캡층 사이에 형성된 산화막과 금속으로 이루어진 게이트 전극 및 상기 캡층 상부에 각각 형성되는 소스 전극과 드레인 전극을 포함하여, 리세스 게이트 구조가 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체를 이용한 이종접합 트랜지스터 및 그 제조 방법을 개시한다.
Int. CL H01L 29/778 (2016.09.22) H01L 29/66 (2016.09.22) H01L 29/47 (2016.09.22)
CPC H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01)
출원번호/일자 1020160115312 (2016.09.07)
출원인 전북대학교산학협력단, 주식회사 시지트로닉스
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0027979 (2018.03.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 취하
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.07)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 주식회사 시지트로닉스 대한민국 전라북도 완주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장태훈 대한민국 서울특별시 서초구
2 조제희 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 심규환 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 맹성재 대한민국 대전광역시 서구 청사로 *** (둔산동) 수협빌딩 *층(RnD특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.09.07 취하 (Withdrawal) 1-1-2016-0875297-76
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0576940-27
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-1031563-12
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.11.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1152890-97
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1152887-59
6 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2018.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0207276-09
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.05.25 무효 (Invalidation) 1-1-2018-0513760-94
8 보정요구서
Request for Amendment		 2018.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0084615-23
9 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2018.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0111186-61
10 [특허 등 절차 취하]취하(포기)서
[Withdrawal of Procedure such as Patent, etc.] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2018.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0716877-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-0049090-87
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화물 반도체를 이용한 이종접합 트랜지스터에 있어서,기판상에 GaN으로 에피 성장된 버퍼층;상기 버퍼층 상부에 에피 성장된 AlGaN으로 이루어진 장벽층;상기 장벽층 상부에 이격되어 국부적으로 선택 성장된 복수의 캡층;상기 캡층 사이의 장벽층 상에 형성된 게이트 전극 및상기 캡층 상부에 각각 형성되는 소스 전극과 드레인 전극을 포함하여,리세스 게이트 구조가 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체를 이용한 이종접합 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서,상기 이종접합 트랜지스터는 장벽층의 두께를 조절하여 노말리 오프(normally off) 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체를 이용한 이종접합 트랜지스터
3 3
질화물 반도체를 이용한 이종접합 트랜지스터에 있어서,기판상에 GaN으로 에피 성장된 버퍼층;상기 버퍼층 상부에 이격되어 국부적으로 선택 성장된 에피 성장된 AlGaN으로 이루어진 복수의 장벽층;상기 국부적으로 선택 성장된 장벽층 상부에 선택 성장된 복수의 캡층;상기 캡층 사이의 버퍼층 상에 형성된 게이트 전극 및상기 캡층 상부에 각각 형성되는 소스 전극과 드레인 전극을 포함하여,리세스 게이트 구조가 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체를 이용한 이종접합 트랜지스터
4 4
제3항에 있어서,상기 게이트 전극은,게이트 산화막 및 게이트 금속으로 형성되어 MIS 구조가 되어 노말리 오프(normally off) 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체를 이용한 이종접합 트랜지스터
5 5
질화물 반도체를 이용한 이종접합 트랜지스터 제조 방법에 있어서,GaN으로 이루어진 질화물 반도체가 포함된 버퍼층을 성장하는 단계;상기 버퍼층 상부에 AlGaN으로 이루어진 장벽층을 성장하는 단계;상기 장벽층 상부에 성장억제 산화막을 마스크로 하여 국부적으로 이격하여 캡층을 선택 성장하는 단계;상기 캡층 사이의 장벽층상에 게이트 산화막을 형성하는 단계 및상기 게이트 산화막 상에 게이트 금속을 형성하고, 캡층에 각각 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하여,선택 성장에 의해 리세스 게이트 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체를 이용한 이종접합 트랜지스터 제조 방법
6 6
질화물 반도체를 이용한 이종접합 트랜지스터 제조 방법에 있어서,GaN으로 이루어진 질화물 반도체가 포함된 버퍼층을 에피 성장하는 단계;성장억제 산화막을 마스크로 사용하여 상기 버퍼층 상부에 국부적으로 이격되어 에피 성장하는 복수의 AlGaN 장벽층을 성장하는 단계; 상기 성장된 장벽층 상부에 캡층을 연속하여 선택 성장하는 단계;상기 캡층 사이의 버퍼층에 게이트 산화막을 형성하는 단계 및상기 게이트 산화막 상에 게이트 금속을 형성하고, 캡층에 각각 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하여,선택 성장에 의해 리세스 게이트 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체를 이용한 이종접합 트랜지스터 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 주식회사 시지트로닉스 경제협력권산업육성사업 고효율하이브리드 PV 및 ESS 인버터용 III-N 전력소자 개발
2 교육부 전북대학교 대학중점연구소지원사업 차세대 환경-생명 융합 반도체 실용화 기술개발