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기판;상기 기판 위에 형성된 중간층;상기 중간층 위에 형성된 나노쉬트;상기 나노쉬트 상에 부착된 그래핀 퀀텀 닷(GQDs: graphene quantum dots)을 포함하는 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 중간층이 알루미늄(Al)과 아연(Zn) 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제2항에 있어서, 상기 기판이 유연한 (flexible) 한 것을 특징으로 하는 발광소자
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제2항에 있어서, 상기 기판이 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)인 것을 특징을 하는 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 나노쉬트가 아연산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광소자
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기판에 시드층(seed layer)을 박막층으로 형성하는 단계;상기 박막층에 하이드로 써멀 그로스 메쏘드 (Hydro thermal growth method)아연산화물 나노쉬트( ZnO nanosheets)구조를 성장시키는 단계;상기 나노쉬트 구조 위에 그래핀 퀀텀 닷 (GQDs)이 도포되는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 시드층이 알루미늄(Al)인 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 알루미늄(Al)이 이빔(e-beam)으로 증착된 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 아연산화물 나노쉬트 구조를 성장시키는 단계는 상기 시드층이 형성된 기판을 DI water와 18 mM zinc nitrate hexahydrate와 20 mM hexamethylenetetramine이 혼합된 솔루션에 담근 후, 90 °C 의 오븐 온도에서 20 ~ 180분 동안 아연산화물 나노쉬트 (ZnO-NS) 를 성장시키는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 그래핀 퀀텀 닷 (GQDs)이 도포되는 단계는 상기 아연산화물 나노쉬트 (ZnO-NS) 구조 위에 그래핀 퀀텀 닷 솔루션을 스프레이 방법으로 코팅하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 스프레이 방법은 핫플레이트위에 놓이는 기판위의 온도가 약 100-110 °C 이고 2 mL(오차범위 0
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