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저마나이드 형성방법 및 그 저마나이드를 포함하는 반도체 소자(Method for forming gemanides and devices obtained thereof)

  • 기술번호 : KST2018003217
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 접촉저항을 낮출 수 있는 저마나이드 형성방법 및 저마나이드를 포함하는 반도체 소자에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 저마나이드 형성 방법은 P형 게르마늄 기판 위에 주석을 증착하여 주석 층을 형성하는 단계; 상기 주석 층 상에 금속을 증착하여 금속 층을 형성하는 단계; 및 상기 주석 층 및 상기 금속 층이 형성된 게르마늄 기판을 열처리하는 단계;를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020180032656 (2018.03.21)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0031667 (2018.03.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2016-0079302 (2016.06.24)
관련 출원번호 1020160079302
심사청구여부/일자 Y (2018.03.21)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이희덕 대한민국 대전광역시 서구
2 김제영 대한민국 대전광역시 중구
3 이 맹 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
4 신건호 대한민국 대전광역시 유성구
5 이정찬 대한민국 충청남도 공주시 신금*길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인피너클 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, *층(역삼동, 성림대봉빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2018.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-0282474-88
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0261934-99
3 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0418894-98
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게르마늄 기판 위에 주석을 장착하여 주석 층을 형성하는 단계;상기 주석 층 상에 금속을 장착하여 금속 층을 형성하는 단계; 및상기 주석 층 및 상기 금속 층이 형성된 게르마늄 기판을 열처리하는 단계를 포함하되상기 게르마늄은 기판은 1016cm-3의 도핑 밀도를 갖는 P형 게르마늄 기판이고,상기 금속 층은 니켈 층이며,상기 니켈 층 위에 타이타늄 나이트라이드(TiN)를 증착하여 타이타늄 나이트 라이드 층을 형성하고,상기 주석 층, 니켈 층, 및 타이타늄 나이트라이드가 이루는 총 두께를 기준 으로 각각 약 24%, 약 46% 및 약 30%의 두께비율을 갖는 것을 특징으로 하는 저마나이드 형성방법
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제1항에 있어서,상기 주석 및 상기 금속은 스퍼터링(sputtering)방식을 통해 증착되는 것을 특징으로 하는 저마나이드 형성방법
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제1 항에 있어서,상기 열처리하는 단계는,상기 주석 층 상기 금속 층이 형성된 게르마늄 기판을 300°C의 온도에서 어닐링(Rapid Thermal Annealing)하는 저마나이드 형성방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020180000944 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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