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금속-GO 코어-쉘 복합 나노구조체, 이를 포함하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자, 및 상기 메모리 소자의 제조 방법(METAL-GO CORE-SHELL COMPOSITE NANO STRUCTURE, NON-VOLATILE RESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY DEVICE INCLUDING THEREOF, AND METHOD OF PREPARING THE MEMORY DEVICE)

  • 기술번호 : KST2018003222
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속-GO 코어-쉘 복합 나노구조체, 상기 금속-GO 코어-쉘 복합 나노구조체를 포함하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자, 및 상기 메모리 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/14(2013.01) H01L 45/14(2013.01) H01L 45/14(2013.01) H01L 45/14(2013.01)
출원번호/일자 1020160112112 (2016.08.31)
출원인 이화여자대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0024984 (2018.03.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.31)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 이화여자대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동하 대한민국 서울특별시 마포구
2 박철민 대한민국 서울특별시 서초구
3 라니 아딜라 파키스탄 서울특별시 성북구
4 김한기 미국 서울특별시 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 이화여자대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2016-0851141-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0135977-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0638833-83
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-1056264-06
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.10.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1056283-63
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0829967-16
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2017.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-1300244-06
9 법정기간연장승인서
2018.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0002570-67
10 면담 결과 기록서
2018.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0010190-85
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-0074515-94
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.01.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0074564-10
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0113626-59
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.02.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0203509-13
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0203464-46
16 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0204011-03
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번호 청구항
1 1
금속 코어(core) 및 상기 코어에 랩핑(wrapping)된 복수의 그래핀 옥사이드(graphene oxide, GO) 시트들의 유전체 쉘(shell)을 포함하는, 금속 코어 및 GO 시트들의 유전체 쉘의 복합 나노구조체로서,상기 랩핑은 상기 금속 코어 및 상기 그래핀 옥사이드 시트들 간의 정전기적 상호작용에 의한 것인, 금속 코어 및 GO 시트들의 유전체 쉘의 복합 나노구조체
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속은 전하 트랩 역할을 수행할 수 있는 금속을 포함하는 것인, 금속 코어 및 GO 시트들의 유전체 쉘의 복합 나노구조체
3 3
삭제
4 4
기재 상에 형성되는 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성된 금속 코어 및 상기 코어에 랩핑된 복수의 그래핀 옥사이드 시트들의 유전체 쉘을 포함하는, 금속 코어 및 GO 시트들의 유전체 쉘의 복합 나노구조체 층; 및상기 복합 나노구조체 층 상에 형성된 상부 전극을 포함하는, 비휘발성 저항 변화 메모리 소자로서,상기 랩핑은 상기 금속 코어 및 상기 그래핀 옥사이드 시트들 간의 정전기적 상호작용에 의한 것인, 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
5 5
제 4 항에 있어서,상기 금속은 전하 트랩 역할을 수행할 수 있는 금속을 포함하는 것인, 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
6 6
삭제
7 7
제 4 항에 있어서,상기 GO 시트들의 유전체 쉘의 두께는 2 nm 내지 100 nm인 것인, 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
8 8
제 4 항, 제 5 항 및 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 비휘발성 저항 변화 메모리 소자는 크로스 바 구조를 가지는 것인, 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
9 9
기재 상에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 금속 코어 및 상기 코어에 랩핑된 복수의 그래핀 옥사이드 시트들의 유전체 쉘을 포함하는, 금속 코어 및 GO 시트들의 유전체 쉘의 복합 나노구조체 층을 형성하는 단계; 및상기 복합 나노구조체 층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 비휘발성 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법으로서,상기 금속 코어 및 GO 시트들의 유전체 쉘의 복합 나노구조체 층을 형성하는 단계는, 복수 개의 상기 금속 코어 및 GO 시트들의 유전체 쉘의 복합 나노구조체를 포함하는 용액을 상기 하부 전극 상에 코팅함으로써 단일 스텝, 용액 공정에 의해 수행되는 것이고,상기 랩핑은 상기 금속 코어 및 상기 그래핀 옥사이드 시트들 간의 정전기적 상호작용에 의한 것인, 비휘발성 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 금속은 전하 트랩 역할을 수행할 수 있는 금속을 포함하는 것인, 비휘발성 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
11 11
삭제
12 12
제 9 항에 있어서,상기 GO 시트들의 유전체 쉘의 두께는 2 nm 내지 100 nm인 것인, 비휘발성 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
13 13
제 9 항, 제 10 항 및 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 비휘발성 저항 변화 메모리 소자는 크로스 바 구조를 가지는 것인, 비휘발성 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
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1 WO2018043894 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2018043894 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 이화여자대학교 산학협력단 기초연구사업(학술진흥)-중견연구자지원사업-도약연구지원사업(도전)(융합) 플라즈모닉 결합효과 극대화 발현 하이브리드 나노구조체 도출에 의한 광전환 효율 향상 연구