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칼코겐화물-비전도체 나노복합소재 박막을 포함하는 상변화 소자 및 그 제조방법(phase change device having chalcogenide-nonconductor nanocomposite material thin film and method of manufacturing the same)

  • 기술번호 : KST2018003241
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 칼코겐화물의 상변화 특성을 이용하는 상변화 소자 및 그 제조방법으로서, 특히 칼코겐화물과 비전도체를 조합한 나노복합소재 박막의 줄 발열 촉진 특성으로 인해 칼코겐화물의 상변화에 필요한 전력이 감소되는 상변화 소자에 관한 것이다.또한, 본 발명은 비전도체 입자의 스핀코팅과 칼코겐화물의 리플로우 특성을 이용하여 칼코겐화물-비전도체 나노복합소재 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/141(2013.01) H01L 45/141(2013.01) H01L 45/141(2013.01) H01L 45/141(2013.01) H01L 45/141(2013.01)
출원번호/일자 1020160117122 (2016.09.12)
출원인 한밭대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0029353 (2018.03.21) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.12)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승윤 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이성렬 대한민국 대전광역시 서구 문예로 **, *층 ***호(둔산동, 오성빌딩)(특허법인오암)
2 이성준 대한민국 대전광역시 서구 문예로 **, *층 ***호(둔산동, 오성빌딩)(특허법인오암)
3 이한욱 대한민국 대전광역시 서구 문예로 **, *층 ***호(둔산동, 오성빌딩)(특허법인오암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0887607-63
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5058417-94
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2017-5065033-29
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.02.28 수리 (Accepted) 9-1-2018-0007987-13
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0188759-58
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.05.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0450604-79
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-0450603-23
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0638400-62
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2018.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0983997-42
11 법정기간연장승인서
 2018.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0157425-45
12 면담 결과 기록서
 2018.11.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0132329-62
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.11.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1112036-30
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-1112008-62
15 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2018.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0789312-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.12 수리 (Accepted) 4-1-2019-5072792-98
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번호 청구항
1 1
기판 상부에 형성된 제 1전극;상기 제 1전극 상부에 형성된 절연막;상기 절연막 내에 형성된 발열층;상기 발열층과 접촉하도록 형성된, 칼코겐화물 매질에 비전도체 입자가 분산 상으로 구성되고, 상기 비전도체가 무게 백분율로 20% 내지 50% 포함되되,상기 비전도체 입자가 포함된 콜로이드를 스핀코팅하고 콜로이드 분산매를 증발시키기 위해 열처리한 후 칼코겐화물 박막을 증착하며, 상기 콜로이드 내에서의 상기 비전도체 입자의 농도, 상기 스핀코팅의 속도, 상기 스핀코팅의 시간 또는 상기 분산매의 증발 온도를 변화시킴으로써, 상기 칼코겐화물 매질 내에 분포하는 상기 비전도체 분산 상의 거리를 조절하여 상변화 거동을 제어할 수 있는 칼코겐화물-비전도체 나노복합소재 박막층; 및상기 나노복합소재 박막층 상부에 형성된 제 2전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 칼코겐화물-비전도체 나노복합소재 박막을 포함하는 상변화 소자이며,상기 칼코겐화물-비전도체 나노복합소재 박막층을 구성하는 칼코겐화물은 GeTe, SiTe, SbTe, GeSbTe, InSbTe, GaSbTe, GaSeTe, SnSbTe, SiSbTe, GeSiSbTe, GeSnSbTe, GeSbSeTe, AgInSbTe, SbSe, InSe, SbSbSe 및 GaSbSe으로 이루어진 군에서 선택되는 1종이고,상기 칼코겐화물-비전도체 나노복합소재 박막층을 구성하는 비전도체는 ZrO2, Al2O3, TiO2, AlTiO, HfO2, SiO2, Si3N4, Si, Ge, SiGe, GaAs 및 InP로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 칼코겐화물-비전도체 나노복합소재 박막을 포함하는 상변화 소자
2 2
제 1항에 있어서,상기 제 1전극은 금속 재질 또는 금속 원소를 포함하는 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 칼코겐화물-비전도체 나노복합소재 박막을 포함하는 상변화 소자
3 3
제 1항에 있어서,상기 발열층의 폭은 0
4 4
제 1항에 있어서, 상기 발열층의 저항값은 20×103 ohm 이하인 것을 특징으로 하는 칼코겐화물-비전도체 나노복합소재 박막을 포함하는 상변화 소자
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1항에 있어서, 상기 제 2전극은 금속 재질 또는 금속 원소를 포함하는 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 칼코겐화물-비전도체 나노복합소재 박막을 포함하는 상변화 소자
8 8
기판 상부에 제 1전극을 형성하는 제 1단계;상기 제 1전극 상부에 절연막을 증착하는 제 2단계;상기 절연막을 건식 식각하여 제 1전극을 노출시키는 컨택 홀을 형성하는 제 3단계;상기 컨택 홀 내에 발열층을 형성하는 제 4단계;상기 발열층이 형성된 절연막 전체 상부를 덮도록 칼코겐화물 매질에 비전도체 입자가 분산 상으로 구성되고, 상기 비전도체가 무게 백분율로 20% 내지 50% 포함되되,상기 비전도체 입자가 포함된 콜로이드를 스핀코팅하고 콜로이드 분산매를 증발시키기 위해 열처리한 후 칼코겐화물 박막을 증착하며, 상기 콜로이드 내에서의 상기 비전도체 입자의 농도, 상기 스핀코팅의 속도, 상기 스핀코팅의 시간 또는 상기 분산매의 증발 온도를 변화시킴으로써, 상기 칼코겐화물 매질 내에 분포하는 상기 비전도체 분산 상의 거리를 조절하여 상변화 거동을 제어할 수 있는 칼코겐화물-비전도체 나노복합소재 박막층을 형성하는 제 5단계; 및상기 칼코겐화물-비전도체 나노복합소재 박막층 상부에 제 2전극을 증착하는 제 6단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 칼코겐화물-비전도체 나노복합소재 박막을 포함하는 상변화 소자의 제조방법이며,상기 칼코겐화물-비전도체 나노복합소재 박막층을 구성하는 칼코겐화물은 GeTe, SiTe, SbTe, GeSbTe, InSbTe, GaSbTe, GaSeTe, SnSbTe, SiSbTe, GeSiSbTe, GeSnSbTe, GeSbSeTe, AgInSbTe, SbSe, InSe, SbSbSe 및 GaSbSe으로 이루어진 군에서 선택되는 1종이고,상기 칼코겐화물-비전도체 나노복합소재 박막층을 구성하는 비전도체는 ZrO2, Al2O3, TiO2, AlTiO, HfO2, SiO2, Si3N4, Si, Ge, SiGe, GaAs 및 InP로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 칼코겐화물-비전도체 나노복합소재 박막을 포함하는 상변화 소자의 제조방법
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제 8항에 있어서,상기 칼코겐화물 박막 증착 후, 450℃ 이하의 온도범위에서 리플로우를 위한 열처리를 진행하는 것을 특징으로 하는 칼코겐화물-비전도체 나노복합소재 박막을 포함하는 상변화 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 한밭대학교 이공학개인기초연구지원 실리콘 박막 태양전지의 투명화 및 컬러화를 위한 파장선택 다층구조 연구