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탄소 코팅된 (SiLiOx-LiSi) 또는 도핑된 탄소 코팅된 (SiLiOx-LiSi)의 제조 방법 및 그 구조체(Mass production method of carbon coated (SiLiOx-LiSi) or doped carbon coated (SiLiOx-LiSi) and the structure manufactured by the same)

  • 기술번호 : KST2018003253
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탄소 코팅된 (SiLiOx-LiSi) 또는 도핑된 탄소 코팅된 (SiLiOx-LiSi)의 제조 방법이 제공된다. 고온 고압 밀폐형 반응기 내에 Si 또는 Si-SiOx 나노입자와 리튬소스를 공급하고, 고온 고압 밀폐형 반응기를 완전 밀폐하고, 반응기를 가열하여 상기 반응기 내에 자가 생성된 압력과 500 내지 750℃인 반응 온도 하에서 상기 나노입자의 표면에 리튬을 도핑하여 리튬 도핑된 (SiOx-Si), 리튬 도핑된 (C-SiOx-Si) 또는 리튬 도핑된 (N-도우핑된 C-SiOx-Si) 나노입자를 단일 공정으로 제조한다.
Int. CL C01B 33/18 (2006.01.01) C01B 33/02 (2006.01.01) H01M 4/36 (2006.01.01) H01M 4/587 (2010.01.01) H01M 10/0525 (2010.01.01)
CPC C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01)
출원번호/일자 1020160118183 (2016.09.13)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1969524-0000 (2019.04.10)
공개번호/일자 10-2018-0029723 (2018.03.21) 문서열기
공고번호/일자 (20190416) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.13)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정남조 대한민국 대전광역시 유성구
2 김찬수 대한민국 제주특별자치도 제주시 화삼로 **,
3 최지연 대한민국 서울특별시 송파구
4 남주연 대한민국 제주특별자치도 제주시 구
5 박순철 대한민국 제주특별자치도 제주시 구
6 장문석 대한민국 대전광역시 서구
7 전강민 대한민국 부산광역시 사하구
8 한지형 대한민국 제주특별자치도 제주시 구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2016-0895924-64
2 보정요구서
Request for Amendment
2016.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0140607-92
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-0950325-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0079258-62
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0326043-34
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0435502-13
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.05.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0435503-69
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2018.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0531694-36
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-0991852-74
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.10.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0991853-19
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
13 등록결정서
Decision to grant
2019.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0043924-19
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
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번호 청구항
1 1
고온 고압 밀폐형 반응기 내에 Si 또는 Si-SiOx 나노입자와 리튬 소스를 공급하고 상기 고온 고압 밀폐형 반응기를 완전 밀폐하고, 상기 반응기를 가열하여 상기 반응기 내에 자가 생성된 압력과 500 내지 750℃인 반응 온도 하에서 상기 나노입자의 표면에 리튬을 도핑하여 리튬 도핑된 (SiOx-Si) 나노입자를 단일 공정으로 제조하는 방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 리튬 소스는 리튬 설파이드(Lithium sulfide , LiS) 또는 리튬 하이드라이드(Lithium hydride, LiH)인 방법
3 3
제1 항에 있어서, 상기 리튬 소스와 함께 탄소 소스를 공급하는 방법
4 4
제1 항에 있어서, 상기 리튬 소스 및 탄소 소스와 함께 도핑 소스를 공급하는 방법
5 5
제1 항에 있어서, 상기 리튬 도핑된 (SiOx-Si) 나노입자를 형성한 후, 상기 반응기 내의 가스를 배출하고, 반응 온도를 재조절하고, 불활성 가스 또는 추가 반응 가스를 더 공급하여 추가 열처리 또는 추가 도핑을 더 수행하는 방법
6 6
고온 고압 밀폐형 반응기 내에 리튬 도핑된 (SiOx-Si), 리튬 도핑된 (C-SiOx-Si) 또는 리튬 도핑된 (N-도우핑된 C-SiOx-Si) 나노입자와 순수 탄소소스또는 도핑 원소 함유 탄소소스를 함께 공급하고, 상기 고온 고압 밀폐형 반응기를 완전 밀폐하고, 상기 반응기를 가열하여 상기 반응기 내에 자가 생성된 압력과 750 내지 950℃인 반응 온도 하에서 상기 나노입자의 표면에 탄소층을 코팅하여 탄소층 코팅된 (SiLiOx-LiSi), 탄소층 코팅된 (N-도우핑된 SiLiOx-LiSi), 상기 도핑 원소가 도핑된 탄소층 코팅된 (SiLiOx-LiSi) 또는 상기 도핑 원소와 N이 도우핑된 탄소층 코팅된 (SiLiOx-LiSi) 나노입자를 단일 공정으로 제조하는 방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 순수 탄소소스 또는 상기 도핑 원소 함유 탄소소스는 상기 코팅시 손실 없이 100% 상기 나노입자의 탄소층 코팅, 상기 도핑 원소가 도핑된 탄소층 코팅 또는 상기 도핑 원소와 N이 도우핑된 탄소층 코팅을 위해 사용되는 방법
8 8
제 6항에 있어서, 상기 공급 단계시 상기 순수 탄소소스와 함께 도핑 소스를 공급하는 방법
9 9
제 6항에 있어서, 탄소층 코팅된 (SiLiOx-LiSi), 탄소층 코팅된 (N-도우핑된 SiLiOx-LiSi), 상기 도핑 원소가 도핑된 탄소층 코팅된 (SiLiOx-LiSi) 또는 상기 도핑 원소와 N이 도우핑된 탄소층 코팅된 (SiLiOx-LiSi) 나노입자를 형성한 후, 상기 반응기 내의 가스를 배출하고, 반응 온도를 재조절하고, 불활성 가스 또는 추가 반응 가스를 더 공급하여 추가 열처리 또는 추가 도핑을 더 수행하는 방법
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
고온 고압 밀폐형 반응기 내에 Si 또는 Si-SiOx 나노입자와 탄소를 포함하는 리튬 소스 또는 탄소와 질소를 포함하는 리튬 소스를 공급하고, 상기 고온 고압 밀폐형 반응기를 완전 밀폐하고, 상기 반응기를 가열하여 상기 반응기 내에 자가 생성된 압력과 500 내지 750℃인 반응 온도 하에서 상기 나노입자의 표면에 리튬을 도핑하여 리튬 도핑된 (C-SiOx-Si) 또는 리튬 도핑된 (N-도우핑된 C-SiOx-Si) 나노입자를 단일 공정으로 제조하는 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 탄소를 포함하는 리튬 소스는 리튬 아세틸아세토네이트(Lithium acetylacetonate, LiO2C5H7), 리튬 카보네이트(Lithium carbonante, Li2CO3), 또는 리튬 아세토아세테이트(Lithium acetoacetate , LiO3C4H5)이고, 상기 탄소와 질소를 포함하는 리튬 소스는 리튬 디메틸아미드(Lithium dimethylamide, C2H6LiN)인 방법
15 15
제13항에 있어서, 상기 리튬 소스와 함께 도핑 소스를 공급하는 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN106544640 CN 중국 FAMILY
2 EP03144277 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 KR101653962 KR 대한민국 FAMILY
4 KR101678187 KR 대한민국 FAMILY
5 KR1020180029722 KR 대한민국 FAMILY
6 US10427982 US 미국 FAMILY
7 US20170081248 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN106544640 CN 중국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국에너지기술연구원 주요사업(구,기본사업) 전기충전 인프라 구축용 염분차발전 원천기술 개발