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고온 고압 밀폐형 반응기 내에 Si 또는 Si-SiOx 나노입자와 리튬 소스를 공급하고 상기 고온 고압 밀폐형 반응기를 완전 밀폐하고, 상기 반응기를 가열하여 상기 반응기 내에 자가 생성된 압력과 500 내지 750℃인 반응 온도 하에서 상기 나노입자의 표면에 리튬을 도핑하여 리튬 도핑된 (SiOx-Si) 나노입자를 단일 공정으로 제조하는 방법
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제1 항에 있어서, 상기 리튬 소스는 리튬 설파이드(Lithium sulfide , LiS) 또는 리튬 하이드라이드(Lithium hydride, LiH)인 방법
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제1 항에 있어서, 상기 리튬 소스와 함께 탄소 소스를 공급하는 방법
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제1 항에 있어서, 상기 리튬 소스 및 탄소 소스와 함께 도핑 소스를 공급하는 방법
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제1 항에 있어서, 상기 리튬 도핑된 (SiOx-Si) 나노입자를 형성한 후, 상기 반응기 내의 가스를 배출하고, 반응 온도를 재조절하고, 불활성 가스 또는 추가 반응 가스를 더 공급하여 추가 열처리 또는 추가 도핑을 더 수행하는 방법
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고온 고압 밀폐형 반응기 내에 리튬 도핑된 (SiOx-Si), 리튬 도핑된 (C-SiOx-Si) 또는 리튬 도핑된 (N-도우핑된 C-SiOx-Si) 나노입자와 순수 탄소소스또는 도핑 원소 함유 탄소소스를 함께 공급하고, 상기 고온 고압 밀폐형 반응기를 완전 밀폐하고, 상기 반응기를 가열하여 상기 반응기 내에 자가 생성된 압력과 750 내지 950℃인 반응 온도 하에서 상기 나노입자의 표면에 탄소층을 코팅하여 탄소층 코팅된 (SiLiOx-LiSi), 탄소층 코팅된 (N-도우핑된 SiLiOx-LiSi), 상기 도핑 원소가 도핑된 탄소층 코팅된 (SiLiOx-LiSi) 또는 상기 도핑 원소와 N이 도우핑된 탄소층 코팅된 (SiLiOx-LiSi) 나노입자를 단일 공정으로 제조하는 방법
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제 6항에 있어서, 상기 순수 탄소소스 또는 상기 도핑 원소 함유 탄소소스는 상기 코팅시 손실 없이 100% 상기 나노입자의 탄소층 코팅, 상기 도핑 원소가 도핑된 탄소층 코팅 또는 상기 도핑 원소와 N이 도우핑된 탄소층 코팅을 위해 사용되는 방법
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제 6항에 있어서, 상기 공급 단계시 상기 순수 탄소소스와 함께 도핑 소스를 공급하는 방법
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제 6항에 있어서, 탄소층 코팅된 (SiLiOx-LiSi), 탄소층 코팅된 (N-도우핑된 SiLiOx-LiSi), 상기 도핑 원소가 도핑된 탄소층 코팅된 (SiLiOx-LiSi) 또는 상기 도핑 원소와 N이 도우핑된 탄소층 코팅된 (SiLiOx-LiSi) 나노입자를 형성한 후, 상기 반응기 내의 가스를 배출하고, 반응 온도를 재조절하고, 불활성 가스 또는 추가 반응 가스를 더 공급하여 추가 열처리 또는 추가 도핑을 더 수행하는 방법
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고온 고압 밀폐형 반응기 내에 Si 또는 Si-SiOx 나노입자와 탄소를 포함하는 리튬 소스 또는 탄소와 질소를 포함하는 리튬 소스를 공급하고, 상기 고온 고압 밀폐형 반응기를 완전 밀폐하고, 상기 반응기를 가열하여 상기 반응기 내에 자가 생성된 압력과 500 내지 750℃인 반응 온도 하에서 상기 나노입자의 표면에 리튬을 도핑하여 리튬 도핑된 (C-SiOx-Si) 또는 리튬 도핑된 (N-도우핑된 C-SiOx-Si) 나노입자를 단일 공정으로 제조하는 방법
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제13항에 있어서, 상기 탄소를 포함하는 리튬 소스는 리튬 아세틸아세토네이트(Lithium acetylacetonate, LiO2C5H7), 리튬 카보네이트(Lithium carbonante, Li2CO3), 또는 리튬 아세토아세테이트(Lithium acetoacetate , LiO3C4H5)이고, 상기 탄소와 질소를 포함하는 리튬 소스는 리튬 디메틸아미드(Lithium dimethylamide, C2H6LiN)인 방법
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제13항에 있어서, 상기 리튬 소스와 함께 도핑 소스를 공급하는 방법
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