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전도성 가요성 기재상에 형성되는 다공질 제1금속산화물층과 상기 다공질 제1금속산화물층상에 염료를 흡착한 구조를 포함한 광전극의 제조방법에 있어서, ⅰ)C6 내지 C12의 직쇄 또는 분지쇄 알킬 알콜 및 C1 내지 C3의 할로겐화탄소를 체적비로 1:0
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제1항에 있어서, ⅳ)다공질 제1금속산화물층에 잔류한 유기물을 제거하는 단계를 더 포함한 가요성 광전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 전기전도성을 가진 가요성 기재는 플라스틱 기재상에 금속, 금속 질화물, 제2금속산화물, 탄소화합물, 또는 전도성 고분자로 이루어진 평균 두께 1 내지 1000nm인 전도성 필름층을 형성하여 이루어진 것임을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1금속산화물은 주석(Sn)산화물, 안티몬(Sb), 나이오븀(Nb) 또는 불소 도핑된 주석(Sn)산화물, 인듐(In)산화물, 주석 도핑된 인듐(In)산화물, 아연(Zn)산화물, 알루미늄(Al), 붕소(B), 갈륨(Ga), 수소(H), 인듐(In), 이트륨(Y), 타이타늄(Ti), 실리콘(Si) 또는 주석(Sn) 도핑된 아연(Zn)산화물, 마그네슘(Mg)산화물, 캐드뮴(Cd)산화물, 마그네슘아연(MgZn)산화물, 인듐아연(InZn)산화물, 구리알루미늄(CuAl)산화물, 실버(Ag)산화물, 갈륨(Ga)산화물, 아연주석산화물(ZnSnO), 타이타늄산화물(TiO2) 및 아연인듐주석(ZIS)산화물, 니켈(Ni)산화물, 로듐(Rh)산화물, 루세늄(Ru)산화물, 이리듐(Ir)산화물, 구리(Cu)산화물, 코발트(Co)산화물, 텅스텐(W)산화물, 티타늄(Ti)산화물, 지르코늄(Zr)산화물, 스트론튬(Sr)산화물, 란타넘(La)산화물, 바나듐(V)산화물, 몰리브데넘(Mo)산화물, 나이오븀(Nb)산화물, 알루미늄(Al)산화물, 이트늄(Y)산화물, 스칸듐(Sc)산화물, 사마륨(Sm)산화물, 스트론튬타이타늄(SrTi)산화물로 이루어진 군으로부터 1종 이상인 것을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 금속질화물은 질화타이타늄(Ti), 질화지르코늄(Zr), 질화하프늄, 질화나이오븀(Nb), 질화탄탈륨(Ta), 질화바나듐, 질화크롬(Cr), 질화몰리브데늄(Mo),질화텅스텐(W), 질화알루미늄(Al), 질화갈륨(Ga), 질화인듐(In), 질화실리콘(Si) 및 질화게르마늄(Ge)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 제2금속산화물은 주석(Sn)산화물, 안티몬(Sb), 나이오븀(Nb) 또는 불소 도핑된 주석(Sn)산화물, 인듐(In)산화물, 주석 도핑된 인듐(In)산화물, 아연(Zn)산화물, 알루미늄(Al), 붕소(B), 갈륨(Ga), 수소(H), 인듐(In), 이트륨(Y), 타이타늄(Ti), 실리콘(Si) 또는 주석(Sn) 도핑된 아연(Zn)산화물, 마그네슘(Mg)산화물, 캐드뮴(Cd)산화물, 마그네슘아연(MgZn)산화물, 인듐아연(InZn)산화물, 구리알루미늄(CuAl)산화물, 실버(Ag)산화물, 갈륨(Ga)산화물, 아연주석산화물(ZNSNO), 타이타늄산화물(TiO2) 및 아연인듐주석(ZIS)산화물, 니켈(Ni)산화물, 로듐(Rh)산화물, 루세늄(Ru)산화물, 이리듐(Ir)산화물, 구리(Cu)산화물, 코발트(Co)산화물, 텅스텐(W)산화물, 티타늄(Ti)산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 탄소화합물은 활성탄, 흑연, 카본 나노튜브, 카본블랙, 그라펜으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 PEDOT (폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜))- PSS(폴리(스티렌설포네이트)), 폴리아닐린-CSA, 펜타센, 폴리아세틸렌, P3HT(폴리(3-헥실티오펜), 폴리실록산 카르바졸, 폴리아닐린, 폴리에틸렌 옥사이드, (폴리(1-메톡시-4-(0-디스퍼스레드1)-2,5-페닐렌-비닐렌), 폴리인돌, 폴리카르바졸, 폴리피리디아진, 폴리이소티아나프탈렌, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리비닐피리딘, 폴리티오펜, 폴리플루오렌, 폴리피리딘, 폴리피롤, 폴리설퍼나이트라이드 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 알킬 알콜은 C7 내지 C10의 직쇄 알킬알콜인 것을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 할로겐화탄소는 사염화탄소, 옥살릴 염화물(C2Cl2O2), Chloroacetyl chloride(C2H2Cl2O), Thionyl chloride(SOCl2), Tetrachloroethylene(C2Cl4), 1,1,2,2-Tetrachloroethane(C2H2Cl4), 2,3-Dichloropropionyl chloride(C3H3Cl3O), Dichloroacetyl chloride(C2HCl3O), 3-Chloropropionyl chloride(C3H4Cl2O) 및 2,3-Dichloropropionyl chloride(CH2ClCHClCOCl)로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 가요성 광전극
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제11항의 가요성 광전극을 포함한 염료감응형 태양전지
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