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란탄족 물질 도핑 기반의 고 전도성 유연 투명전극 및 이의 제조방법(HIGHLY CONDUCTIVE FLEXIBLE TRANSPARENT ELECTRODES BASED LANTHANOID DOPING AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF)

  • 기술번호 : KST2018003327
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 란탄족 물질 도핑 기반의 고 전도성 유연 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 기판; 및 상기 기판 상에 형성되고, 국부적으로 나노결정 닷이 분포된 란탄족 물질을 도핑한 비정질 박막; 을 포함하는, 란탄족 물질 도핑 기반의 고 전도성 유연 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 플렉서블 또는 웨어러블 소자에 적용 가능한 유연성과 전기적 특성을 갖는, 고 전도성 유연 투명전극을 제공할 수 있다.
Int. CL H01B 5/14 (2006.01.01) B32B 37/15 (2006.01.01) B32B 15/09 (2006.01.01) B32B 15/082 (2006.01.01) B32B 9/00 (2006.01.01) B32B 17/06 (2006.01.01) B32B 9/04 (2006.01.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020160115595 (2016.09.08)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0028205 (2018.03.16) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020180088725;
심사청구여부/일자 Y (2016.09.08)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경국 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 김동준 대한민국 서울특별시 동작구
3 연규재 대한민국 서울특별시 양천구
4 정소애 대한민국 서울특별시 서초구
5 최현준 대한민국 인천광역시 계양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 경기도 시흥시 산기대학로
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0877780-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2017-0007419-78
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0650767-49
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-1087496-07
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-1257436-66
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0062584-08
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.01.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0062585-43
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0357641-90
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2018.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0636990-84
11 법정기간연장승인서
 2018.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0101298-97
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.07.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0752979-79
13 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2018.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0753050-58
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0752977-88
15 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2018.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0576033-76
16 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2020.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2020-0691366-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 및 상기 기판 상에 형성되고, 국부적으로 나노결정 닷이 분포된 란탄족 물질을 도핑한 비정질 산화물 반도체 박막; 을 포함하고, 상기 란탄족 물질은, Sm, Gd 또는 이 둘을 포함하고,비정질 란탄족 물질 대 상기 나노결정 닷은, 1:0
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 기판은, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트 및 폴리비닐알코올로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 폴리머를 포함하는 유연 기판, 사파이어 기판, 실리콘 기판 및 고내열성 유리기판으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 란탄족 물질 도핑 기반의 고 전도성 유연 투명전극
4 4
삭제
5 5
란탄족 물질 도핑 기반의 고 전도성 유연 투명전극의 제조방법에 있어서,파우더 형태의 란탄족 도핑 물질 타켓을 이용하여 기판 상에 란탄족 물질이 도핑된 비정질 박막을 성장시키는 단계; 및상기 란탄족 물질이 도핑된 비정질 박막을 열처리하여 상기 비정질 박막 내에서 국부적으로 분포된 나노결정 닷을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 나노결정 닷을 형성하는 단계는, 200 ℃ 내지 650 ℃에서 30초 내지 5분 동안 열처리하고,상기 란탄족 물질이 도핑된 비정질 박막을 성장시키는 단계는, 상온 내지 200 ℃ 온도에서 실시되고,상기 나노결정 닷을 형성하는 단계는 50 ℃ 내지 100 ℃ 승온 속도로 가열하고, 비활성 기체 분위기에서 열처리하고,상기 기판 상에 형성되고, 국부적으로 나노결정 닷이 분포된 란탄족 물질을 도핑한 비정질 산화물 반도체 박막; 을 포함하고, 상기 란탄족 물질은, Sm, Gd 또는 이 둘을 포함하고,상기 투명전극은, 비정질 란탄족 물질 대 상기 나노결정 닷은, 1:0
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020180088624 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 한국산업기술대학교 산학협력단 BK21플러스사업 에너지 세이빙 인재양성을 위한 창의공학 디자인 컨버전스(신기술융합학과)
2 산업통상자원부 (주)아바텍 산업소재핵심기술개발-세라믹 고유연성 디스플레이용 면상 산화물 기반 비정질 투명전극 소재개발