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가변 저항체, 이를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법(Variable resistor, non-volatile memory device using the same, and method of fabricating the same)

  • 기술번호 : KST2018003343
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가변 저항체, 이를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 1 전극; 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치되고, 초기 구조로서 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극을 가로질러 경사 배향되어 결정화된 브라운밀러라이트(Brownmillerite) 구조를 갖는 저항성 스위칭 층을 포함하는 가변 저항체가 제공된다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/1253(2013.01) H01L 45/1253(2013.01) H01L 45/1253(2013.01) H01L 45/1253(2013.01)
출원번호/일자 1020160116797 (2016.09.09)
출원인 한국외국어대학교 연구산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0028859 (2018.03.19) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.09)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국외국어대학교 연구산학협력단 대한민국 경기도 용인시 처인구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정창욱 대한민국 경기도 용인시 처인구
2 아자리아 수산트 구나르 인도 경기도 용인시 처인구
3 날라카틀라 벤카타 라빈드라 인도 경기도 용인시 처인구
4 이보화 대한민국 경기도 용인시 처인구
5 류춘리 중국 경기도 용인시 처인구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국외국어대학교 연구산학협력단 대한민국 경기도 용인시 처인구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-0885285-18
2 보정요구서
Request for Amendment
2016.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0139922-34
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0934593-04
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.03.08 수리 (Accepted) 9-1-2018-0008623-99
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0188761-40
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-0498414-14
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0602595-11
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0709270-19
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0709239-14
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0773828-77
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2018.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-1268505-11
13 법정기간연장승인서
2018.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0199276-12
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-0046229-74
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.01.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0046227-83
16 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0049799-37
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 전극;제 2 전극; 및상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치되고, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극을 가로질러 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극과 교차할 수 있도록 8 면체 슬라브층들과 상기 8 면체 슬라브층들 사이의 4 면체 슬라브층의 적층 구조가 경사 배향된 결정면을 가지며, 상기 경사 배향된 결정면이 (100) 방향 대비 포밍 전압을 감소 또는 0이 되도록 (111) 방향으로 우선 배향된 도전성 경로를 형성하는 저항성 스위칭 층을 포함하는 가변 저항체
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 저항성 스위칭 층은, (Ba, Sr, Ca)2(Fe, Co)2O5, Ca2Al2O5, 또는 Ca2SiO4을 포함하는 가변 저항체
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 어느 하나는 상기 저항성 스위칭 층에 산소 이온의 공급을 위한 도전성 금속 산화물을 포함하는 가변 저항체
8 8
삭제
9 9
제 7 항에 있어서,상기 도전성 금속 산화물은 밀러 지수 (111) 방향으로 우선 배향된 가변 저항체
10 10
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 어느 하나는 페로브스카이트 결정 구조의 에피택셜 기저층을 포함하는 가변 저항체
11 11
제 1 도전성 라인, 제 2 도전성 라인, 및 상기 제 1 도전성 라인과 상기 제 2 도전성 라인 사이의 메모리 셀의 어레이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자로서, 상기 메모리 셀은, 상기 제 1 도전성 라인에 결합된 제 1 전극;상기 제 2 도전성 라인에 결합된 제 2 전극; 및상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치되고, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극을 가로질러 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극과 교차할 수 있도록 8 면체 슬라브층들과 상기 8 면체 슬라브층들 사이의 4 면체 슬라브층의 적층 구조가 경사 배향된 결정면을 가지며, 상기 경사 배향된 결정면이 (100) 방향 대비 포밍 전압을 감소 또는 0이 되도록 (111) 방향으로 우선 배향된 도전성 경로를 형성하는 저항성 스위칭 층을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
12 12
삭제
13 13
제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 상에 초기 구조로서 경사 배향되어 결정화된 브라운밀러라이트 구조를 갖는 저항성 스위칭 층을 형성하는 단계; 및상기 저항성 스위칭 층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 저항성 스위칭 층은, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극을 가로질러 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극과 교차할 수 있도록 8 면체 슬라브층들과 상기 8 면체 슬라브층들 사이의 4 면체 슬라브층의 적층 구조가 경사 배향된 결정면을 가지며, 상기 경사 배향된 결정면이 (100) 방향 대비 포밍 전압을 감소 또는 0이 되도록 (111) 방향으로 우선 배향된 도전성 경로를 형성하는 가변 저항체의 제조 방법
14 14
제 13 항에 있어서, 제 1 전극을 형성하는 단계 이전에, 페로브스카이트 결정 구조의 비도전성 에피택셜 기저층을 형성하는 단계를 더 포함하는 가변 저항체의 제조 방법
15 15
삭제
16 16
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 연구재단 중견연구자지원사업 페로브스카이트 산화물 박막을 이용한 신기능성 연구
2 미래창조과학부 연구재단 중견연구자지원사업 층상 구조 산화물 메모리 연구
3 미래창조과학부 연구재단 중견연구자지원사업(도약) 브라운밀러라이트 산화물의 저항 스위칭 연구