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III-V족 화합물의 면방향 의존성을 이용한 에피택셜 리프트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법(METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE BY EPITAXIAL LIFT-OFF USING PLANE DEPENDENCY OF III-V COMPOUND)

  • 기술번호 : KST2018003374
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 에피택셜 리프트오프(Epitaxial Lift-Off; ELO)에 의한 반도체 소자의 제조 방법은, 제1 기판상에 III-V족 화합물을 포함하는 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층상에 소자층을 형성하는 단계; 상기 희생층 및 상기 소자층을, 상기 희생층의 상기 III-V족 화합물의 결정면 방향에 기초하여 결정되는 제1 방향을 따라 연장되는 부분을 가지는 형상으로 패터닝하는 단계; 패터닝된 상기 소자층을 제2 기판상에 접합하는 단계; 및 상기 희생층 및 상기 제1 기판을 제거하기 위하여, 상기 소자층이 상기 제2 기판상에 접합된 상태에서 식각 용액을 이용하여 상기 희생층을 식각하는 단계를 포함한다. 상기 반도체 소자의 제조 방법은, ELO 공정에 있어서 III-V족 화합물의 고유 특성인 결정 방향(cystal orientation)에 따른 식각 속도의 차이를 이용하여 공정 수율을 향상시키고 공정 속도를 빠르게 할 수 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/30 (2010.01.01) H01L 33/34 (2010.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01)
CPC H01L 33/0093(2013.01) H01L 33/0093(2013.01) H01L 33/0093(2013.01) H01L 33/0093(2013.01) H01L 33/0093(2013.01) H01L 33/0093(2013.01)
출원번호/일자 1020160120538 (2016.09.21)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0031981 (2018.03.29) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.21)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상현 대한민국 서울특별시 성북구
2 김형준 대한민국 서울특별시 성북구
3 심재필 대한민국 서울특별시 성북구
4 김성광 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0913754-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0708235-18
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0137423-83
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0647509-16
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.11.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1124312-28
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-1124311-83
8 등록결정서
Decision to grant		 2018.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0220560-11
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번호 청구항
1 1
III-V족 화합물의 결정구조를 이용하여 식각 속도를 향상시키기 위한 반도체 소자의 제조 방법으로서,제1 기판상에 결정면 방향별로 상이한 식각 속도를 갖는 III-V족 화합물을 포함하는 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층상에 소자층을 형성하는 단계; 상기 희생층 및 상기 소자층을, 상기 희생층의 상기 III-V족 화합물의 결정면 방향에 기초하여 결정되는 제1 방향을 따라 연장되는 부분을 가지는 형상으로 패터닝하는 단계; 패터닝된 상기 소자층을 제2 기판상에 접합하는 단계; 및 상기 희생층 및 상기 제1 기판을 제거하기 위하여, 상기 소자층이 상기 제2 기판상에 접합된 상태에서 식각 용액을 이용하여 상기 희생층을 식각하는 단계를 포함하는 에피택셜 리프트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 제1 방향은 상기 희생층의 상기 III-V족 화합물의 식각 속도가 가장 빠른 격자 방향과 직교하는 방향인 에피택셜 리프트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 희생층을 식각하는 단계는, 상기 희생층의 측면을 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로부터 식각하는 단계를 포함하는 에피택셜 리프트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 희생층의 상기 III-V족 화합물은 (100) 결정면을 가지며, 상기 제1 방향은 003c#001003e# 격자 방향인 에피택셜 리프트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 희생층의 상기 III-V족 화합물은 (110) 결정면을 가지며, 상기 제1 방향은 003c#-100003e# 격자 방향인 에피택셜 리프트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 식각 용액은 불화수소(HF) 및 탈이온수를 포함하는 에피택셜 리프트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 식각 용액에서 불화수소(HF) 및 탈이온수의 부피 비율은 1:3인 에피택셜 리프트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 희생층을 형성하는 단계 전에, 상기 제1 기판상에 에치스톱층을 형성하는 단계를 더 포함하는 에피택셜 리프트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 제1 기판은 III-V족 화합물을 포함하며, 상기 희생층은 에피택시 성장 방식으로 상기 제1 기판상에 형성되는 에피택셜 리프트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법
10 10
제 1항에 있어서, 상기 제2 기판은 실리콘(Si)을 포함하는 에피택셜 리프트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술연구원 개인연구지원 전사프린팅과 strain engineering을 이용한 실리콘 기판 상 III-V 화합물반도체 MOSFET 기술 개발
2 산업통상자원부 한국과학기술연구원 전자정보디바이스산업원천기술개발 실리콘 기판 상 III-V 화합물반도체 MOSFET 및 모놀리식 3차원 집적을 위한 전사공정 기술 개발