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박막 태양전지로서,상기 박막 태양전지는 기판, 투명 전도 산화막 후면전극, 후면 버퍼층, 광흡수층, 버퍼층, 윈도우층 및 전면전극이 순차적으로 형성되어 있으며,상기 후면 버퍼층은 NaF 또는 ZnO인 박막 태양전지
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제1항에 있어서,상기 투명 전도 산화막 후면전극은 알루미늄 도핑 아연 산화막(AZO), 주석 도핑 인듐 산화막(ITO), 플로린 도핑 주석 산화막(FTO), 아연 산화막(ZnO), 주석 산화막(SnO2), 카드뮴 산화막(CdO), 인듐 산화막(In2O3), 갈륨 산화막(Ga2O3)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
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제1항에 있어서,상기 투명 전도 산화막 후면전극의 두께는 10 내지 700nm인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
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제1항에 있어서,상기 후면 버퍼층의 두께는 5 내지 10nm인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
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제1항에 있어서,상기 광흡수층은 CIS(Copper, Indium, Sulfur 또는 Selenide), CIGS(Copper, Indium, Galium, Sulfur 또는 Selenide) 또는 CZTS(Copper, Zinc, Tin, Sulfur 또는 Selenid) 중 선택되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
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제1항에 있어서,상기 태양전지는 양면에서 빛을 흡수하여 소자효율이 증대되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
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a) 투명 전도 산화막 후면전극이 형성된 기판을 준비하는 단계;b) 상기 후면전극 상에 후면 버퍼층으로 NaF 또는 ZnO을 형성한 후 광흡수층을 형성하는 단계;c) 상기 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;d) 상기 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계; 및e) 상기 윈도우층 상에 전면전극을 형성하는 단계를 포함하는, 박막 태양전지의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 a) 단계에서 기판에 형성되는 투명 전도 산화막 후면전극의 두께는 10 내지 700nm인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 투명 전도 산화막 후면전극은 알루미늄 도핑 아연 산화막(AZO), 주석 도핑 인듐 산화막(ITO), 플로린 도핑 주석 산화막(FTO), 아연 산화막(ZnO), 주석 산화막(SnO2), 카드뮴 산화막(CdO), 인듐 산화막(In2O3), 갈륨 산화막(Ga2O3)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 a)단계에서 투명 전도 산화막 후면전극은 스퍼터링법(sputtering), 증발법(evaporation), CVD법(Chemical vapor deposition), 유기금속화학기상증착(MOCVD), 근접승화법(Close-spaced sublimation, CSS), 스프레이 피롤리시스(Spray pyrolysis), 화학 스프레이법(Chemical spraying), 스크린프린팅법(Screeen printing), 비진공 액상성막법, CBD법(Chemical bath deposition), VTD법(Vapor transport deposition), 및 전착법(electrodeposition) 중에서 선택된 어느 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
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제10항에 있어서,상기 후면 버퍼층의 두께는 5 내지 10nm로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 b) 단계의 광흡수층은 CIS(Copper, Indium, Sulfur 또는 Selenide), CIGS(Copper, Indium, Galium, Sulfur 또는 Selenide) 또는 CZTS(Copper, Zinc, Tin, Sulfur 또는 Selenid) 중 선택되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 b) 단계에서 광흡수층은 금속 전구체를 후면전극 상에 증착한 후 VI족 원소 함유 기체 분위기 하에서 열처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 VI족 원소는 황, 셀레늄 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 열처리는 200℃ 내지 400℃의 온도에서 1분 내지 60분 동안 예비열처리를 수행한 후, 400℃ 내지 700℃의 온도에서 1분 내지 120분 동안 본열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제19항에 있어서,상기 본열처리는 700내지 800 Torr 압력에서 진행되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 b) 단계의 광흡수층은 50 nm 내지 2 ㎛의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 c) 단계의 버퍼층은 CdS, ZnS, Zn(O,S), CdZnS 및 ZnSe로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 d) 단계의 윈도우층은 ZnO:Al, ZnO:AZO, ZnO:B(BZO) 및 ZnO:Ga(GZO)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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