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챔버 내에서 증착용 금속이 포함된 타켓과 기판 사이에서 플라즈마를 발생시켜서 기판에 상기 증착용 금속을 증착시키는 스퍼터 장치를 이용한 수소분리막 제조방법에 있어서,상기 스퍼터장치는, 상기 챔버의 상부면 측에 방사상으로 형성되며 다수의 타겟건 모듈을 포함하는 타켓건 모듈 장치;상기 챔버의 내부에 형성된 기판홀더;상기 기판홀더의 하부에 장착되어 상기 기판의 온도를 제어하는 기판 급속가열 모듈;상기 챔버의 하부 측에 설치되며 상기 기판홀더의 회전을 제어하는 기판홀더 회전 조절장치;상기 기판홀더의 상, 하 이동을 제어하는 기판홀더 높이 조절장치;상기 챔버의 측면 벽에 형성되며, 제1 진공 펌프의 배기량을 제어하는 주배기 밸브와 연결되어 상기 챔버 내의 주배기 분위기를 유지시키는 제1 주 배기구;상기 제1 주 배기구의 하부에 장착되며, 제2 진공 펌프의 배기량을 제어하는 제2 배기밸브에 연결되어 상기 챔버 내의 초기 배기 기능을 수행하는 제2 보조 배기구;상기 제2 진공 펌프와 밀착 배기밸브를 통하여 연결되며 상기 기판홀더의 하부 측과 연결되어 상기 기판의 밀착배기를 수행하는 밀착배기관; 및상기 스퍼터 장치의 각 구성부를 제어하여 스퍼터링 공정제어를 수행하는 제어부; 를 포함하되,상기 기판 급속가열 모듈은,열원을 발생시키는 점 형태로 다수 배열된 800 ~ 1200nm 파장 대역의 할로겐램프;금 도금되어 다수의 할로겐램프의 각각의 하부에 장착되는 반원형의 반사판; 및 상기 기판홀더의 하부의 온도를 센싱하는 온도센서; 를 포함하며, 상기 기판홀더는 상기 반사판의 집광초점위치에 배치되는 것을 특징으로 하며,상기 수소분리막 제조방법은,상기 기판으로 사용되는 다공성 니켈 지지체 준비단계;상기 다공성 니켈 지지체의 표면을 처리하는 표면개질 단계;상기 다공성 니켈 지지체에 팔라듐 나노 입자의 핵을 생성시키는 팔라듐 핵 생성 단계;상기 기판 급속가열 모듈을 이용하여 상기 다공성 니켈 지지체에 팔라듐 나노 시드층을 형성하는 단계; 및상기 팔라듐 나노 시드층 상부에 팔라듐과 금, 은, 구리, 니켈의 합금 금속 중에서 선택되는 하나 이상의 합금용 금속층들이 증착되는 팔라듐 합금 치밀층 형성 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 수소분리막 제조방법
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제11항에 있어서,상기 표면개질 단계는,상기 다공성 니켈 지지체의 표면의 거대 기공들의 크기와 불균일한 표면 조도 및 평탄도를 매끄럽게 연마시키는 표면연마 단계;상기 연마된 다공성 니켈 지지체의 연마된 표면과 기공의 단차를 감소시키기 위해 기공들에 YSZ 5㎛ 분말 또는 100㎚ 입도의 세라믹 분말을 물에 희석하여 제조한 슬러리를 연마된 지지체 표면에 도포하여 매립을 수행하는 진공 매립 단계;상기 진공 매립 단계 이후에 매립이 수행된 다공성 니켈 지지체를 브러시를 이용하여 폴리비닐알코올로 세정하는 단계;상기 세정된 다공성 니켈 지지체를 70(±5%)℃의 온도에서 진공 건조기를 이용하여 2(±5%)시간 동안 건조 시키는 건조단계; 및질소 퍼지를 실시한 후, 1
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제11항에 있어서,상기 팔라듐 핵 생성 단계는,상기 제1 진공펌프를 구동하여 상기 챔버 내에 설정된 공정 압력을 형성하며, 상기 제2 진공펌프를 구동하고 상기 밀착 배기밸브를 개방하며 상기 다공성 니켈 지지체에 밀착배기를 수행하여 국부 진공을 형성하고, 상기 타겟건 모듈 장치를 작동시켜서 팔라듐의 스퍼터링을 수행하되,상기 타켓과 상기 다공성 니켈 지지체의 거리를 30 ~ 50mm 범위 내에서 고정하고, 160 ~ 200W의 직류전력, 15 ~ 20 sccm의 아르곤 가스, 1
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제13항에 있어서,상기 팔라듐 나노 시드층을 형성하는 단계는, 상기 팔라듐 입자 핵 생성 단계와 동일한 공정조건에 이어서 상기 기판 급속가열 모듈을 동작시켜서 상기 다공성 니켈 지지체의 온도를 200 ~ 400℃ 범위에서 일정 온도로 가열시키는 급속가열 공정이 더 포함하여 상기 팔라듐 나노 시드층을 형성하는 것을 특징으로 하는 수소분리막 제조방법
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제11항에 있어서,상기 팔라듐 합금 치밀층 형성단계에서는,상기 타켓과 상기 다공성 니켈 지지체의 거리를 50mm ~ 100mm 범위 내에서 고정하고, 상기 챔버 내의 압력을 1
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