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하이브리드 칩 내장형 CMOS 온도 센서 및 이의 온도 측정 방법(HYBRID ON-CHIP CMOS TEMPERATURE SENSOR AND TEMPERATURE MEASUREMENT METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2018003530
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하이브리드 칩 내장형 CMOS 온도 센서 및 이의 온도 측정 방법에 관한 것으로서, 비례 전류(PTAT: Proportional To Absolute Temperature) 및 상보 전류(CTAT; Complementary To Absolute Temperature)를 생성하는 PTAT-CTAT 발생기, 온도에 따라 상기 상보 전류의 양을 결정하는 전류원 타입의 디지털 아날로그 컨버터, 상기 비례 전류와 상기 상보 전류의 크기를 비교하는 비교기, 및 상기 비교기에서 출력 값을 받아서 SAR 타입 온도 측정 방법과 ΣΔ 타입 온도 측정 방법을 혼합하여 측정한 온도를 디지털로 출력해주는 제어 로직을 포함함으로써, 고속 고정밀의 온도 측정이 가능할 수 있다.
Int. CL G01K 7/01 (2006.01.01) H01L 27/06 (2006.01.01) H01L 35/00 (2006.01.01)
CPC G01K 7/01(2013.01) G01K 7/01(2013.01) G01K 7/01(2013.01)
출원번호/일자 1020160121389 (2016.09.22)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0032710 (2018.04.02) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양병도 대한민국 대전광역시 서구
2 김태우 대한민국 경기도 파주시 금
3 우기찬 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
4 황선광 대한민국 충청남도 서천군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 추혁 대한민국 경기도 화성시 동탄대로 ***-** 효성아이씨티타워 ****호(지엠국제특허)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 실리콘파이브 충청북도 청주시 청원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0919064-66
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.07.07 수리 (Accepted) 9-1-2017-0021330-32
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0358622-01
6 [출원서 등 보정(보완)]보정서
2018.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0750787-63
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0750656-91
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0750669-84
9 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
2018.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0750868-63
10 등록결정서
Decision to grant
2018.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0874136-82
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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비례 전류(PTAT: Proportional To Absolute Temperature) 및 상보 전류(CTAT; Complementary To Absolute Temperature)를 생성하는 PTAT-CTAT 발생기,온도에 따라 상기 상보 전류의 양을 결정하는 전류원 타입의 디지털 아날로그 컨버터,상기 비례 전류와 상기 상보 전류의 크기를 비교하는 비교기, 및상기 비교기에서 출력 값을 받아서 연속 근사 레지스터(SAR; Successive Approximation Register) 타입 온도 측정 방법과 ΣΔ 타입 온도 측정 방법을 혼합하여 측정한 온도를 디지털로 출력해주는 제어 로직을 포함하는, 하이브리드 칩 내장형 CMOS 온도 센서
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청구항 1에 있어서,상기 제어 로직은:이진 가중치 전류 회로(binary weighted current circuit)를 통해, 상기 비교기의 출력 값에 따라 상기 상보 전류의 크기를 변경시키는 단계, 및변경된 상기 상보 전류를 상기 비례 전류와 비교해서 상기 SAR 타입의 아날로그 디지털 변환기(Analog-Digital Converter) 온도 센서의 측정 방법에 따라 상기 비례 전류가 상기 상보 전류보다 커지기 시작하는 상보 전류를 탐색하는 단계를 수행하도록 구성되는, 하이브리드 칩 내장형 CMOS 온도 센서
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청구항 2에 있어서,상기 제어 로직은:탐색된 상기 상보 전류 값에서 일정한 값을 차감한 후 ΣΔ 타입 온도 센서의 측정 방법에 따라 상기 이진 가중치 전류 회로에서 LSB(Least Significant Bit) 단위로 탐색된 상기 상보 전류 값을 더하며 상기 비례 전류가 상기 상보 전류보다 커지기 시작하는 상보 전류를 탐색하는 단계를 더 수행하도록 구성되는, 하이브리드 칩 내장형 CMOS 온도 센서
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청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,메모리 소자를 이용하여 상기 PTAT-CTAT 발생기로 인해 발생한 실제 온도와 측정된 온도 간 오차를 보상하는 온도 오차 보정 회로를 더 포함하는, 하이브리드 칩 내장형 CMOS 온도 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 충북대학교 산학협력단 산학협력선도대학육성사업 고효율 DC-DC 전압 변환기를 위한 정밀 제로 전류 감지회로