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마이크로 소자 어레이 및 이의 형성방법(Micro-LED Array and Method of forming the same)

  • 기술번호 : KST2018003622
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 마이크로 소자 어레이의 구조 및 마이크로 소자 어레이의 형성방법이 개시된다. 마이크로 소자는 발광 다이오드를 마이크로 사이즈로 형성한 것으로 디스플레이에 사용될 수 있다. 전사 기판 상에 실장된 마이크로 소자 상에는 자화층이 형성되고, 형성된 자화층에 자계를 인가하여 마이크로 소자를 선택적으로 이송할 수 있다.
Int. CL H01L 27/15 (2006.01.01) H01L 33/36 (2010.01.01) H01L 33/02 (2010.01.01)
CPC H01L 27/153(2013.01) H01L 27/153(2013.01) H01L 27/153(2013.01) H01L 27/153(2013.01)
출원번호/일자 1020160123754 (2016.09.27)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0033927 (2018.04.04) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.27)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성주 대한민국 광주광역시 북구
2 임용철 대한민국 광주광역시 북구
3 이광재 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0933507-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.09.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0005286-41
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0022693-96
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.03.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0226423-68
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2018-0226422-12
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0507902-31
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0836489-56
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.08.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0836492-94
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0601467-54
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번호 청구항
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성장용 기판 상에 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계상기 제1 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2 반도체층의 일부를 제거하여 상기 성장용 기판의 일부를 노출시켜서, 인접한 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층과 완전히 분리된 개별화된 마이크로 소자를 형성하는 단계상기 개별화된 마이크로 소자를 전사 기판 상에 전사하여 상기 제1 반도체층이 최상층이 되고, 상기 제1 반도체층의 표면을 노출시키는 단계상기 전사 기판 상의 마이크로 소자에서 상기 제1 반도체층의 노출된 상부 표면을 완전히 차폐하는 자화층을 형성하는 단계 및상기 자화층에 특정 방향의 자계를 가진 이송 헤드를 도입하여 상기 마이크로 소자를 디스플레이용 수용 기판 상에 이동시키는 단계를 포함하는 마이크로 소자 어레이의 형성방법
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제6항에 있어서, 상기 개별화된 마이크로 소자를 형성하는 단계 이전에 상기 제2 반도체층 상에 제2 전극층 및 접합층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 어레이의 형성방법
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제7항에 있어서, 상기 개별화된 마이크로 소자를 상기 전사 기판에 전사하는 단계는,상기 접합층을 상기 전사 기판 상에 융착하는 단계; 및상기 성장용 기판을 상기 개별화된 마이크로 소자로부터 분리시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 어레이의 형성방법
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제8항에 있어서, 상기 마이크로 소자를 상기 수용 기판 상에 이동시키는 단계는,상기 융착된 접합층을 용융하고, 상기 이송 헤드를 통해 상기 마이크로 소자를 상기 전사 기판으로부터 분리하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 어레이의 형성방법
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제6항에 있어서, 상기 자화층을 형성하는 단계는,상기 전사 기판 상의 제1 반도체층 상에 상기 자화층을 증착하는 단계; 및상기 자화층을 특정 방향의 자계를 인가하여 상기 자화층을 특정 방향으로 자화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 어레이의 형성방법
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제10항에 있어서, 상기 자화층을 형성하는 단계 이후에 상기 자화층 상에 절연성을 가진 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 어레이의 형성방법
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제6항에 있어서, 상기 전사 기판은 돌출부와 상기 돌출부에 의해 정의되는 홈을 가지고, 상기 개별화된 마이크로 소자는 상기 홈에 유입되는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 어레이의 형성방법
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제12항에 있어서, 상기 홈은 상기 개별화된 마이크로 소자에 상응하여 구비되며, 상기 홈을 정의하는 상기 돌출부의 높이는 1um 내지 3um인 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 어레이의 형성방법
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