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기판;상기 기판과 p-n 접합을 이루도록 상기 기판 상에 형성되는 에미터부;상기 에미터부 상에 형성되고, 상기 에미터부와 전기적으로 연결되는 제 1 전극층;상기 기판을 기준으로 상기 제 1 전극층의 반대측에 형성되는 보호막; 및상기 보호막 상에 형성되고, 상기 보호막을 관통하는 관통부를 통해 상기 기판과 전기적으로 연결되는 제 2 전극층; 을 포함하는 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 관통부는 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층에 수직된 면 중 어느 하나로부터 다른 하나까지 연장 형성되는 태양 전지
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제 2 항에 있어서,상기 관통부는 상기 보호막을 관통하는 복수의 비아홀로 구성되고, 상기 복수의 비아홀은 서로 접하도록 형성되는 태양 전지
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제 3 항에 있어서,상기 복수의 비아홀 각각의 직경은 20nm인 태양 전지
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제 4 항에 있어서,상기 관통부는 복수로 형성되며, 상기 관통부 각각은 소정 간격 이격되되, 서로 평행하게 형성되는 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 보호막은 알루미늄 산화막으로 이루어지는 제 1 보호층; 및실리콘 질화막으로 이루어지는 제 2 보호층을 포함하고,상기 제 1 보호층은 상기 기판과 상기 제 2 보호층 사이에 배치되는 태양 전지
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제 6 항에 있어서,상기 제 1 보호층의 두께는 약 10 nm인 태양 전지
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제 6 항에 있어서,상기 제 2 보호층의 두께는 25 nm인 태양 전지
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p형 또는 n형 중 어느 하나로 도전된 기판에 p형 또는 n형 중 다른 하나로 도전되도록 상기 기판의 일면에 불순물을 도핑하는 에미터부 형성 단계;상기 기판을 기준으로 상기 에미터부의 반대측에 알루미늄 산화막을 적층하는 제 1 보호층 형성 단계 및 상기 제 1 보호층 상에 실리콘 질화막을 적층하는 제 2 보호층 형성 단계를 포함하는 보호막 형성 단계;상기 제 2 보호층에 레이저 빔을 조사하여 상기 보호막을 관통하는 홀 형성 단계; 및상기 에미터부 및 상기 제 2 보호층 상에 스크린 인쇄법으로 제 1 전극부 및 제 2 전극부를 형성하는 단계; 를 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 홀 형성 단계는 상기 홀이 상기 제 1 전극 층 및 상기 제 2 전극 층에 수직된 면 중 어느 하나로부터 다른 하나까지 연장 형성되도록, 연속적으로 이루어지는 태양 전지 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 보호막 형성 단계 이후, 상기 제 1 전극부 및 상기 제 2 전극부 형성 단계 전, 상기 에미터부 상에 실리콘 질화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지 제조 방법
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