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기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 후면 전극을 형성하는 단계; 및상기 후면 전극을 나트륨(Na)이 포함된 용액으로 도핑하는 단계;를 포함하는, 박막 내에 나트륨이 함유된 CZTS계 박막 태양전지 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 나트륨이 없는 기판으로서, 몰리브덴 필름(Mo film); 스테인리스 필름(STS); 폴리이미드(PI) 고분자 기판; 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 고분자 기판; 보로실리게이트 유리 기판; 또는 석영(Quartz)의 유리 기판인 것을 특징으로 하는, 박막 내에 나트륨이 함유된 CZTS계 박막 태양전지 제조 방법
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제1항에 있어서,나트륨(Na) 공급원으로는 Na2S(sodium sulfide), NaOH(sodium hydroxide), NaCl(sodium chloride), Na2CO3(soda ash), NaHCO3(baking soda), NaNO3(sodium nitrate), Na2S2O35H2O(sodium thiosulfate) 및 Na2B4O710H2O(borax)으로 이루어진 군 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 박막 내에 나트륨이 함유된 CZTS계 박막 태양전지 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 나트륨(Na)이 포함된 용액은 나트륨 공급원을 포함하는 용액 총 중량 기준으로 1~3중량%(w/v)으로 함유되어 있는 것을 특징으로 하는, 박막 내에 나트륨이 함유된 CZTS계 박막 태양전지 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 도핑은 35~45℃의 나트륨(Na)이 포함된 용액으로 5~40분 디핑 (dipping)하거나, 또는 5분~30분 동안 초음파 처리하는 것을 특징으로 하는, 박막 내에 나트륨이 함유된 CZTS계 박막 태양전지 제조 방법
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제1항에 있어서,나트륨이 포함된 용액이 도핑된 몰리브덴 전극 상에 전구체를 증착하여 전구체층을 형성하는 단계; 상기 증착된 전구체층을 황화 또는 셀렌화 처리하여 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계; 및 상기 윈도우층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 내에 나트륨이 함유된 CZTS계 박막 태양전지 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 전구체는 Cu, Zn 또는 Sn의 순수 금속 물질; CuS 또는 SnS의 금속 황화 물질; CuSe, ZnSe 또는 SnSe의 금속 셀렌 화합물; 및 CuSSe, ZnSSe 또는 SnSSe의 금속 황화 셀렌 화합물;로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상을 적층구조 형태로 사용하는 것을 특징으로 하는, 박막 내에 나트륨이 함유된 CZTS계 박막 태양전지 제조 방법
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제1항 내지 제7항 중 어느 하나의 항으로 제조된, 박막 내에 나트륨이 함유된 CZTS계 박막 태양전지
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