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(a) 기판 위에 몰리브덴(Mo) 후면 전극층을 형성하는 단계;(b) 상기 후면 전극층 위에 은(Ag)을 적층하여 은 적층층을 형성하는 단계;(c) 상기 은 적층층 위에 구리(Cu), 아연(Zn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 금속 전구체를 증착시켜 금속 전구체층을 형성하는 단계; 및(d) 불활성기체 분위기 하에서 500℃ 이하의 온도에서 400~600초간 열처리하는 단계를 포함하는, 은(Ag)이 첨가된 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (a) 단계의 기판은 유리 기판, 폴리머 기판 또는 휘어지는 금속 기판인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 은(Ag)의 적층량은 적층층이 1nm ~ 20nm의 두께를 갖도록 적층하는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계의 금속 전구체 증착은 스퍼터링 공정, 증발 공정 또는 용액 공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 (c) 단계에서 은(Ag) 적층을 위한 증착은 진공증착법 또는 비진공증착법을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서,상기 (d) 단계에서 상기 불활성 기체는 아르곤 기체이며,상기 열처리는 500℃ 이하에서 셀렌화 처리하거나, 상기 금속 전구체 박막층을 500℃ 이하에서 황화 처리하는 것을 특징으로 하는 방법
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제6항에 있어서,열처리가 완료된 은(Ag)이 첨가된 CZTS계 흡수층 박막의 조성비는 [Cu]/[Zn]+[Sn]가 0
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 은(Ag)이 첨가된 CZTS계 박막 태양전지
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제8항에 있어서,상기 태양전지는 1nm ~ 20nm의 두께의 은 적층층을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는, 은(Ag)이 첨가된 CZTS계 박막 태양전지
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