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서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 위상 절연 층; 및상기 위상 절연 층의 상기 제1 면 상에 배치되는 전이금속 산화물 층을 포함하는 전자 장치
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제1 항에 있어서,상기 위상 절연 층은 1nm 내지 10nm의 두께를 갖는 전자 장치
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제1 항에 있어서,상기 위상 절연 층은 화학식 AXBYCZDW(0003c#X≤10, 0003c#Y≤10, 0003c#Z≤10, 0003c#W≤10)로 표현되는 화합물을 포함하되, 상기 A 및 상기 B는 각각 Bi, Sb, Tl, Pb, Sn, In, Ga, 또는 Ge 중에서 선택된 원소이고, 상기 C 및 상기 D는 각각 Se, Te, 또는 S 중에서 선택된 원소인 전자 장치
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제1 항에 있어서,상기 전이금속 산화물 층은 상기 제1 면과 접하는 전자 장치
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제1 항에 있어서,상기 전이금속 산화물 층 상에 제공되는 게이트 전극을 더 포함하되,상기 게이트 전극은 상기 전이금속 산화물 층에 전압을 가하도록 구성되는 전자 장치
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제5 항에 있어서, 상기 전압에 의해 상기 전이금속 산화물 층의 산소 결함들의 밀도가 제어되는 전자 장치
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7
제5 항에 있어서,상기 전압에 의해 상기 전이금속 산화물 층의 산소 결함들의 전하 상태가 제어되는 전자 장치
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8
제1 항에 있어서, 상기 제2 면 상에 배치되는 제1 및 제2 소스/드레인 전극들을 더 포함하되,상기 제1 및 제2 소스/드레인 전극들 사이의 상기 제2 면은 채널 영역으로 정의되고,평면적 관점에서, 상기 전이금속 산화물 층은 상기 채널 영역과 적어도 부분적으로 중첩되는 전자 장치
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9
제1 항에 있어서, 상기 제1 면 상에 배치되는 제1 및 제2 소스/드레인 전극들을 더 포함하되,상기 제1 및 제2 소스/드레인 전극들은 상기 전이금속 산화물 층을 사이에 두고 서로 이격하는 전자 장치
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10
제1 항에 있어서,상기 전이금속 산화물 층은 제1 서브 산화물 층 및 제2 서브 산화물 층을 포함하되,상기 제2 서브 전이금속 산화물 층의 산소 결함들의 밀도는 상기 제1 서브 전이금속 산화물 층의 산소 결함들의 밀도보다 큰 전자 장치
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제10 항에 있어서,상기 제1 서브 산화물 층은 상기 위상 절연 층과 상기 제2 서브 산화물 층 사이에 위치하는 전자 장치
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제10 항에 있어서,상기 제2 서브 산화물 층은 상기 위상 절연 층과 상기 제1 서브 산화물 층 사이에 위치하는 전자 장치
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위상 절연 층, 상기 위상 절연 층의 표면은 채널 영역을 포함하는 것;평면적 관점에서, 상기 채널 영역과 중첩되도록 제공되는 전이금속 산화물 층; 및상기 전이금속 산화물 층 상에 제공되는 게이트 전극을 더 포함하되,상기 게이트 전극은 상기 전이금속 산화물 층에 전압을 가하도록 구성되는 전자 장치
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제13 항에 있어서,상기 위상 절연 층은 1nm 내지 10nm의 두께를 갖는 전자 장치
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제13 항에 있어서,상기 채널 영역의 저항은 상기 전압에 의해 제어되는 전자 장치
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제15 항에 있어서, 상기 전압에 의해 상기 전이금속 산화물 층의 산소 결함들의 밀도가 제어되는 전자 장치
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제15 항에 있어서,상기 전압에 의해 상기 전이금속 산화물 층의 산소 결함들의 전하 상태가 제어되는 전자 장치
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서로 대향하는 일면 및 타면을 포함하는 위상 절연 층;상기 일면 상에 서로 이격하여 제공되는 제1 및 제2 소스/드레인 전극들, 상기 제1 및 제2 소스/드레인 전극들 사이의 상기 일면은 채널 영역으로 정의되는 것;상기 위상 절연 층의 상기 일면 또는 상기 타면 상에 제공되는 전이금속 산화물 층, 평면적 관점에서 상기 전이금속 산화물 층은 상기 채널 영역과 적어도 부분적으로 중첩되는 것; 및상기 전이금속 산화물 층 상에 제공되는 게이트 전극을 포함하는 전자 장치
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제18 항에 있어서,상기 위상 절연 층은 1nm 내지 10nm의 두께를 갖는 전자 장치
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제18 항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 전이금속 산화물 층에 전압을 가하도록 구성되고,상기 전이금속 산화물 층에 가해지는 상기 전압에 의해 상기 채널 영역의 저항 상태가 제어되는 전자 장치
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