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금속반도체접합 다이오드의 제조방법(Method for manufacturing metal semiconductor connecting diode)

  • 기술번호 : KST2018003728
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 금속반도체접합 다이오드의 제조방법은 AlGaN/GaN 기판의 다이오드에서 양극의 금속과 AlGaN/GaN 이종접합면의 접촉을 증가시켜 다이오드의 전류 밀도를 높이고 턴온 전압을 줄이게 한다.본 발명에 의하면 금속과 접촉되는 반도체 이종접합면이 크게 증가하게 됨으로써 금속으로부터 활성층에 주입되는 전류의 양이 크게 증가하여 결과적으로 다이오드의 전류밀도가 증가하고 온저항이 감소하여 다이오드의 순방향 특성이 현저히 개선된다.
Int. CL H01L 29/872 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H05H 1/46 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/3065 (2006.01.01)
CPC H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01)
출원번호/일자 1020160125042 (2016.09.28)
출원인 전북대학교산학협력단, 주식회사 시지트로닉스
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0035049 (2018.04.05) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.28)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 주식회사 시지트로닉스 대한민국 전라북도 완주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양전욱 대한민국 전라북도 전주시 완산구
2 김정진 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 심규환 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
2 주식회사 시지트로닉스 전라북도 완주군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0942909-71
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0662644-68
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1149249-79
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1271534-61
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.01.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0074924-54
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-0074923-19
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0364542-32
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2018-0541409-84
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.06.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0541410-20
10 등록결정서
Decision to grant
2018.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0516929-74
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-0049090-87
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
AlGaN/GaN 기판의 다이오드에서 양극의 금속과 AlGaN/GaN 이종접합면의 접촉을 증가시키기 위하여,나노비드를 형성하는 단계;산소 플라즈마를 이용하여 상기 나노비드의 크기를 감소시키고 상기 나노비드를 분리시키는 단계;전자선 증착 방법을 이용하여 Ni을 증착하는 단계;리프트-오프 방식으로 상기 나노비드 및 상기 나노비드 위에 증착된 Ni을 제거하여 원형 상의 홈을 갖는 Ni 층을 형성하는 단계; 및상기 Ni을 이용하여 상기 AlGaN/GaN 기판을 식각하는 단계;를 포함하며,상기 Ni을 제거하는 공정을 통해 상기 기판 상에서 AlGaN/GaN 접합면을 노출되도록 하고,격자 형상, 벌집 형상 및 구 형상 중 어느 하나의 형상이 연속적으로 접촉되어 있는 형태를 이용하며 상기 AlGaN/GaN 접합면을 사면식각하여 형성하되 양극과 음극 사이의 AlGaN/GaN 도전층의 연속성을 유지하며,상기 AlGaN/GaN 기판의 다이오드에서 양극의 금속과 AlGaN/GaN 이종접합면의 접촉을 증가시켜 다이오드의 전류 밀도를 높이고, 금속으로부터 반도체의 도전층으로 전하 주입을 용이하게 하여 순방향 특성에서 턴온 전압을 줄이는,금속반도체접합 다이오드의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 Ni을 대신하여 SiO2를 방향성 증착하는 단계;상기 나노비드 상의 SiO2를 리프트-오프하는 단계;SiO2를 식각 마스크로 이용하여 상기 AlGaN/GaN 기판을 식각하는 단계; 및SiO2를 제거하는 단계;를 포함하고, 이를 통해 상기 기판 상에 AlGaN/GaN 접합면을 노출하게 하는,금속반도체접합 다이오드의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 AlGaN/GaN 기판의 다이오드에서 양극의 금속과 AlGaN/GaN 접합면의 접촉을 증가시켜 다이오드의 전류 밀도를 높이고 턴온 전압을 줄이는 한편, 양극의 가장자리에서 양극 금속과 접촉되는 AlGaN 층 일부를 식각하여 다이오드의 역방향 누설전류를 줄이는,금속반도체접합 다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 전북대학교산학협력단 산학협력중점사업 AC220V용 GaN SBD 소자기술 개발