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적층형 투명전극 및 이의 제조방법(Stacking type transparent electrode and the preparing method thereof)

  • 기술번호 : KST2018003752
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 적층형 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 제1 전도성 고분자층; 제2 전도성 고분자층; 및 상기 상부 전도성 고분자층 및 하부 전도성 고분자층 사이에 배치된 금속층;을 포함하는 적층형 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL B32B 15/08 (2006.01.01) H01B 13/00 (2006.01.01) B32B 15/20 (2006.01.01)
CPC B32B 15/08(2013.01) B32B 15/08(2013.01) B32B 15/08(2013.01) B32B 15/08(2013.01) B32B 15/08(2013.01) B32B 15/08(2013.01) B32B 15/08(2013.01) B32B 15/08(2013.01) B32B 15/08(2013.01) B32B 15/08(2013.01)
출원번호/일자 1020160122932 (2016.09.26)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0034728 (2018.04.05) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상주 대한민국 대구광역시 동구
2 길은경 대한민국 대구광역시 달서구
3 성시준 대한민국 대구광역시 수성구
4 김대환 대한민국 대구광역시 수성동*
5 강진규 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0928439-95
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0170401-08
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0828361-91
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.01.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0064913-73
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0064860-41
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0293072-31
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0531783-55
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.05.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0531838-78
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0422517-40
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전도성 고분자층;제2 전도성 고분자층; 및상기 제1 전도성 고분자층 및 제2 전도성 고분자층 사이에 임베드되어 배치된 1 내지 3 nm 두께의 연속적인 박막 형태의 금속층; 을 포함하는 적층형 투명전극
2 2
제1항에 있어서,상기 금속층은 Au, Ag, Cu, Ni, Ti, Al 및 W 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 투명전극
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 전도성 고분자층의 두께는5 내지 40 nm인 것을 특징으로 하는 적층형 투명전극
6 6
제1항에 있어서,상기 제2 전도성 고분자층의 두께는2 내지 20 nm인 것을 특징으로 하는 적층형 투명전극
7 7
제1항에 있어서,상기 제1 전도성 고분자 및 제2 전도성 고분자는폴리에틸렌다이옥시티오펜, 폴리아세틸렌, 폴리아닐린, 폴리피롤 및 폴리티오펜 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 투명전극
8 8
제1 전도성 고분자를 포함하는 코팅용액을 기판상에 코팅해 제1 전도성 고분자층을 형성하는 단계(단계 1);상기 제1 전도성 고분자층 상에 1 내지 3 nm 두께로 연속적인 박막 형태의 금속층을 적층하는 단계(단계 2); 및제2 전도성 고분자를 포함하는 코팅용액을 상기 금속층 상에 코팅해 제2 전도성 고분자층을 형성하는 단계(단계 3);를 포함하고, 상기 금속층은 상기 제1 전도성 고분자층 및 제2 전도성 고분자층 사이에 임베드되어 있는 것인, 적층형 투명전극의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 대구경북과학기술원 대구경북과학기술원연구운영비지원 유무기 융합 멀티 플랫폼 기반 고성능 태양전지 기술 개발
2 미래창조과학부 대구경북과학기술원 기관고유사업 초고효율 탠덤 소자용 신소재 기반 반투명 넓은 밴드갭 태양전지 개발