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투명기판; 상기 투명기판 상부에 형성된 제1투명전극; 상기 제 1투명전극 상부에 형성되고 상방 또는 하방으로 돌출부를 포함하는 광흡수층; 및상기 광흡수층 상부에 형성된 제2투명전극;을 포함하는 반투명 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 상방으로 돌출부를 포함하는 광흡수층은 광흡수층 형성 후 패터닝을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반투명 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 하방으로 돌출부를 포함하는 광흡수층은 투명기판을 패터닝하고 그 위로 제1투명전극 및 광흡수층을 코팅하되, 제1투명전극이 투명기판과 동일한 형태의 패턴을 갖도록 코팅함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 반투명 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 광흡수층 중 돌출부 및 비돌출부의 비율이 조절되는 것을 특징으로 하는 반투명 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 광흡수층의 상방 또는 하방 돌출부 형태는 사각형, 삼각형, 원형 및 반원형으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 반투명 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 제1투명전극 및 제2투명전극은 알루미늄 첨가 산화아연(AZO), 인듐주석산화물(ITO), 불화주석산화물(FTO), 폴리에틸렌디옥시티오펜(PEDOT) 및 은 나노와이어(Ag NW) 으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 이의 혼합물인 것을 특징으로 하는 반투명 태양전지
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7
제1항에 있어서, 상기 광흡수층은 전자전달층과 정공전달층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반투명 태양전지
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제7항에 있어서, 상기 전자전달층은 Ti산화물, Zn산화물, In산화물, Sn산화물, W산화물, Nb산화물, Mo산화물, Mg산화물, Zr산화물, Sr산화물, Yr산화물, La산화물, V산화물, Al산화물, Y산화물, Sc산화물, Sm산화물, Ga산화물, In산화물, SrTi산화물, 상기 산화물의 복합물 및 상기 산화물과 복합물로 코팅된 무기입자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 반투명 태양전지
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제7항에 있어서, 상기 전자전달층의 두께는 0
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10
제7항에 있어서, 상기 정공전달층은 p형 반도체 또는 p형 전도성 고분자인 것을 특징으로 하는 반투명 태양전지
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11
제7항에 있어서, 상기 전공전달층의 두께는 0
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12
투명기판을 패터닝하는 단계(단계 1);상기 패터닝에 의해 형성된 투명기판의 돌출부 및 비돌출부 상에 상기 투명기판의 패턴과 동일한 형상으로 패턴이 형성되도록 제1투명전극을 형성하는 단계(단계 2);상기 제1투명전극 상의 비돌출부를 채우면서 광흡수층을 형성하는 단계(단계3); 및상기 광흡수층 상부에 제2투명전극을 형성하는 단계(단계 4);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반투명 태양전지의 제조방법
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13
투명기판 상에 제1투명전극 및 광흡수층을 순차적으로 형성하는 단계(단계 1);상기 광흡수층을 패터닝 하는 단계(단계 2); 및상기 패터닝에 의해 형성된 광흡수층의 비돌출부를 채우면서 제2투명전극을 형성하는 단계(단계 3);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반투명 태양전지의 제조방법
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제12항 또는 제13항에 있어서상기 패터닝은 잉크젯 프린팅(Inkjet printing), 스탬핑(Stamping), 소프트 리소그래피(Soft-lithography) 및 원자증착법으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종으로 수행되는 것을 특징으로 하는 반투명 태양전지의 제조방법
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제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 제1투명전극, 광흡수층 및 제2투명전극은 원자층증착 또는 스핀 코팅으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반투명 태양전지의 제조방법
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