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크로스토크를 감소시키는 실리콘 광증배관 소자(SILICON PHOTOMULTIPLIER REDUCING OPTICAL CROSSTALK)

  • 기술번호 : KST2018003789
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다수의 마이크로 픽셀로 이루어진 크로스토크를 감소시키는 실리콘 광증배관 소자(Silicon Photomultiplier)에 대해 개시한다. 본 발명에서 제안하는 실리콘 광증배관 소자는 마이크로 픽셀들을 전기적으로 서로 분리시키는 다수의 트랜치 구조; 및 트랜치 구조 내부에 채워져 마이크로 픽셀 간의 크로스토크 현상을 감소시키는 알루미늄 물질을 포함한다.
Int. CL G01J 1/44 (2006.01.01) H01L 31/107 (2006.01.01)
CPC G01J 1/44(2013.01) G01J 1/44(2013.01) G01J 1/44(2013.01)
출원번호/일자 1020160125250 (2016.09.29)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0035334 (2018.04.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이직 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 박일흥 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 이혜영 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
4 전진아 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0944337-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
다수의 마이크로 픽셀로 이루어진 실리콘 광증배관 소자(Silicon Photomultiplier)에 있어서,상기 마이크로 픽셀들을 광학적으로 서로 분리시키는 다수의 트랜치 구조; 및상기 트랜치 구조 내부에 채워져 상기 마이크로 픽셀 간의 크로스토크 현상을 감소시키는 알루미늄 물질을 포함하는 실리콘 광증배관 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 트랜치 구조는 STI(Shallow Trench Isolation) 공정에 따른 식각에 의해 형성되는 실리콘 광증배관 소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 트랜치 구조는 일자 구조, U자 구조, V자 구조 중 어느 하나의 형태로 형성되는 실리콘 광증배관 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 방위사업청 성균관대학교 산학협력단 국방 특화 연구실 사업 차세대 광센서 특화 연구실