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광검출 효율이 향상된 실리콘 광증배관 소자(SILICON PHOTOMULTIPLIER IMPROVING HIGH PHOTO DETECTION EFFICIENCY)

기술번호 : KST2018003790
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 다수의 마이크로 픽셀로 이루어진 광검출 효율이 향상된 실리콘 광증배관 소자(Silicon Photomultiplier)에 대해 개시한다. 마이크로 픽셀은 p 전도성 타입 또는 n 전도성 타입의 실리콘 기판; 기판 위에 형성되는 기판과 동일한 전도성 타입의 에피텍시층; 에피텍시층 내에 형성되는 PN 접합층; 및 PN 접합층에서 발생하는 유효 광전류를 증가시키도록 PN 접합층 위에 실리콘 질화막과 실리콘 산화막의 2중 막으로 형성되는 절연층을 포함한다.
Int. CL	G01J 1/44 (2006.01.01) H01L 31/107 (2006.01.01)
CPC	G01J 1/44(2013.01) G01J 1/44(2013.01) G01J 1/44(2013.01)
출원번호/일자	1020160125236 (2016.09.29)
출원인	성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2018-0035327 (2018.04.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	공개
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	N
심사청구항수	5

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	성균관대학교산학협력단	대한민국	경기도 수원시 장안구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이직	대한민국	경기도 수원시 장안구
2	박일흥	대한민국	경기도 수원시 장안구
3	이혜영	대한민국	충청북도 청주시 흥덕구
4	전진아	대한민국	서울특별시 송파구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인엠에이피에스	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 , 층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2016.09.29	수리 (Accepted)	1-1-2016-0944277-60
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43

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번호	청구항
1	1 다수의 마이크로 픽셀로 이루어진 실리콘 광증배관 소자(Silicon Photomultiplier)에 있어서,상기 마이크로 픽셀은p 전도성 타입 또는 n 전도성 타입의 실리콘 기판;상기 기판 위에 형성되는 상기 기판과 동일한 전도성 타입의 에피텍시층; 상기 에피텍시층 내에 형성되는 PN 접합층; 및 상기 PN 접합층에서 발생하는 유효 광전류를 증가시키도록 상기 PN 접합층 위에 실리콘 질화막과 실리콘 산화막의 2중 막으로 형성되는 절연층을 포함하는 실리콘 광증배관 소자
2	2 제 1 항에 있어서,상기 절연층은 50~200nm의 두께를 가지며 형성되는 실리콘 광증배관 소자
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 PN 접합층은 상기 마이크로 픽셀에 형성되는 전기장이 상기 기판과 수평이 되도록 형성되는 실리콘 광증배관 소자
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 PN 접합층은상기 에피텍시층 내에 1017~1018cm-3의 도핑 농도로 형성되는 상기 기판과 동일한 전도성 타입의 제 1 전도성층; 및상기 제 1 전도성층 위에 1019~1021cm-3의 도핑 농도로 형성되는 상기 기판과 반대인 전도성 타입의 제 2 전도성층을 포함하는 실리콘 광증배관 소자
5	5 다수의 마이크로 픽셀로 이루어진 실리콘 광증배관 소자(Silicon Photomultiplier)에 있어서,상기 마이크로 픽셀은1012~1016cm-3의 도핑 농도로 형성되는 p 전도성 타입 또는 n 전도성 타입의 실리콘 기판;상기 기판의 도핑 농도와 동일한 도핑 농도로 상기 기판 위에 형성되는 상기 기판과 동일한 전도성 타입의 에피텍시층; 상기 에피텍시층 내에 형성되는 PN 접합층; 및 상기 PN 접합층에서 발생하는 유효 광전류를 증가시키도록 상기 PN 접합층 위에 실리콘 질화막과 실리콘 산화막의 2중 막으로 형성되는 절연층을 포함하는 실리콘 광증배관 소자

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	방위사업청	성균관대학교 산학협력단	국방 특화 연구실 사업	차세대 광센서 특화 연구실

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2016.09.29	수리 (Accepted)	1-1-2016-0944277-60
2	출원인정보변경(경정)신고서	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43


과제고유번호	1711009944
세부과제번호	2006-0050686
연구과제명	MEMS 우주망원경 연구단
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	성균관대학
성과제출연도	2014
연구기간	200604~201502
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	기타


과제고유번호	1711037382
세부과제번호	2015R1A2A1A01006870
연구과제명	국제우주정거장 우주실험을 통한 우주선의 기원 규명 연구
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2016
연구기간	201605~201704
기여율	0.3
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	ST(우주항공기술)


과제고유번호	1711043492
세부과제번호	2015R1A2A1A15055344
연구과제명	감마선폭발 초기광 최초관측 위성 탑재체 개발 성과확산연구
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2016
연구기간	201611~201710
기여율	0.2
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	ST(우주항공기술)

특허성과

[1020160125250]	크로스토크를 감소시키는 실리콘 광증배관 소자(SILICON PHOTOMULTIPLIER REDUCING OPTICAL CROSSTALK)	새창보기
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[1020140152753]	확산 방지층을 이용한 실리콘 광증배 소자 및 그 제조 방법(METHOD FOR SILICON PHOTOMULTIPLIER USING DIFFUSION BARRIER AND APPARATUS)	새창보기

중요키워드

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