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(1) 기판의 적어도 일면에 랭뮤어 방법을 이용하여 양친매성을 갖는 제1 산화그래핀 단층막을 형성하는 단계;(2) 상기 제1 산화그래핀 단층막 상에 극성 블록 및 비극성 블록을 포함하는 제1 블록공중합체 박막층을 형성하는 단계;(3) 상기 제1 블록공중합체 박막층을 가열하여 어닐링을 수행하여 제1 블록공중합체 박막층의 블록공중합체 나노 구조가 제1 산화그래핀 단층막의 수평면에 대하여 수직으로 배향되는 자기조립 단계;(4) 상기 제1 블록공중합체 박막층 상에 랭뮤어 방법을 이용하여 양친매성을 갖는 제2 산화그래핀 단층막을 형성하는 단계;(5) 상기 제2 산화그래핀 단층막 상에 극성 블록 및 비극성 블록을 포함하는 제2 블록공중합체 박막층을 형성하는 단계;및(6) 상기 제2 블록공중합체 박막층을 가열하여 어닐링을 수행하여 제2 블록공중합체 박막층의 블록공중합체 나노 구조가 제2 산화그래핀 단층막의 수평면에 대하여 수직으로 배향되는 자기조립 단계;를 포함하고, 상기 (4) 내지 (6)단계를 2회 이상 수행하는 것을 특징으로 하는 블록공중합체 다층 박막의 제조방법
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(1) 기판의 적어도 일면에 랭뮤어 방법을 이용하여 양친매성을 갖는 제1 산화그래핀 단층막을 형성하는 단계;(2) 상기 제1 산화그래핀 단층막 상에 극성 블록 및 비극성 블록을 포함하는 제1 블록공중합체 박막층을 형성하는 단계;(3) 상기 제1 블록공중합체 박막층 상에 랭뮤어 방법을 이용하여 양친매성을 갖는 제2 산화그래핀 단층막을 형성하는 단계;(4) 상기 제2 산화그래핀 단층막 상에 극성 블록 및 비극성 블록을 포함하는 제2 블록공중합체 박막층을 형성하는 단계;및(5) 상기 제1 및 제2 블록공중합체 박막층을 가열하여 어닐링을 수행하여 제1 및 제2 블록공중합체 박막층의 블록공중합체 나노 구조가 각각 제1 및 제2 산화그래핀 단층막의 수평면에 대하여 수직으로 배향되는 자기조립 단계;를 포함하고,상기 (3) 및 (4)단계를 2회 이상 수행하는 것을 특징으로 하는 블록공중합체 다층 박막의 제조방법
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제1항 및 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 (1) 단계의 기판은 Si(실리콘), 스피넬, 사파이어, 유리, GaAs(갈륨비소), InP(인화인듐), 또는 SiC(탄화규소) 중 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 블록공중합체 다층 박막의 제조방법
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제1항 및 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 산화그래핀 단층막의 두께는 0
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제1항 및 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 랭뮤어 방법은 랭뮤어-쉐이퍼 방법인 것을 특징으로 하는 블록공중합체 다층 박막의 제조방법
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제1항 및 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 랭뮤어 방법 수행 시 사용되는 산화그래핀 분산액의 농도는 20 ~ 60ppm인 것을 특징으로 하는 블록공중합체 다층 박막의 제조방법
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제1항 및 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 블록공중합체는 PS-b-PBMA, PS-b-PMMA, PS-b-P2VP, PS-b-P4VP, PS-b-PB, PEO-b-PIP 또는 PB-b-PEO 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 블록공중합체 다층 박막의 제조방법
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제1항 및 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 블록공중합체 박막층 내 비극성 그룹의 함량은 블록공중합체 100 중량%에 대하여 35 ~ 50 중량% 인 것을 특징으로 하는 블록공중합체 다층 박막의 제조방법
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제1항 및 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 제1 블록공중합체 박막층 형성은 스핀코팅(spin coating) 방법으로 수행되며, 제2 블록공중합체 박막층 형성은 플로팅(floating) 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 블록공중합체 다층 박막의 제조방법
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제1항 및 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 어닐링은 상기 블록공중합체의 유리전이온도(Tg) 이상으로 수행되는 것을 특징으로 하는 블록공중합체 다층 박막의 제조방법
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기판;상기 기판의 적어도 일면에 형성되며 양친매성을 갖는 제1 산화그래핀 단층막;및상기 제1 산화그래핀 단층막 상에 형성되며, 상기 제1 산화그래핀 단층막의 수평면에 대하여 블록공중합체 나노 구조가 수직으로 배향되는 제1 블록공중합체 박막층을 포함하는 제 1그룹;상기 제 1그룹 상에 형성되며 양친매성을 갖는 제2 산화그래핀 단층막;및상기 제2 산화그래핀 단층막 상에 형성되며, 상기 제2 산화그래핀 단층막의 수평면에 대하여 블록공중합체 나노 구조가 수직으로 배향되는 제2 블록공중합체 박막층을 포함하는 제 2그룹;을 포함하고,상기 제2그룹을 반복 유닛으로 하여, 반복 유닛이 2회 이상 적층되는 것을 특징으로 하는 블록공중합체 다층 박막
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제13항에 있어서,상기 산화그래핀 단층막의 표면조도 Ra 값이 0
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