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칼코게나이드 박막의 제조방법(METHOD OF MANUFACTURING CHALCOGENIDE THIN FILM)

  • 기술번호 : KST2018003924
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 (a) 전이금속 전구체, 황(S) 화합물 및 이온성 액체를 포함하는 전구체 용액을 기판 상에 코팅하는 단계; 및 (b) 마이크로파를 조사하는 단계;를 포함하는 칼코게나이드 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 칼코게나이드 박막의 제조방법은 마이크로파를 이용하여, 용액공정으로 빠르고 저렴하게 대면적으로 박막을 형성할 수 있고, 박막의 두께조절이 가능하며, 결정성이 우수한 박막을 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02568(2013.01)H01L 21/02568(2013.01)H01L 21/02568(2013.01)H01L 21/02568(2013.01)H01L 21/02568(2013.01)
출원번호/일자 1020160126662 (2016.09.30)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0036278 (2018.04.09) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.30)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정운룡 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 양희승 대한민국 서울특별시 구로구
3 기리 아누팜 인도 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이수열 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **(서초동) *층(국제특허다호)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-0952982-73
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2017.06.15 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2017-0573173-53
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2017.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-0586095-94
4 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2017.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0082399-74
5 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2017.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0589148-30
6 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2017.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0084383-91
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0090018-04
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0489511-70
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0928510-19
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.09.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0928566-54
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2018.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0739091-37
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.11.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1086914-57
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-1086905-46
15 등록결정서
Decision to grant		 2018.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0819222-87
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 전이금속 전구체, 황(S) 화합물 및 이온성 액체를 포함하는 전구체 용액을 기판 상에 코팅하여 코팅층을 형성하는 단계; (a') 상기 기판 상에 코팅된 코팅층을 커버 부재로 덮는 단계: 및(b) 상기 코팅층이 형성된 기판 및 상기 커버 부재에 마이크로파를 조사하여 상기 기판과 상기 커버 부재 사이에 칼코게나이드 박막을 제조하는 단계;를 포함하는 것인 칼코게나이드 박막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 마이크로파의 세기가 100 내지 1,000 W인 것을 특징으로 하는 칼코게나이드 박막의 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 마이크로파가 0
4 4
제1항에 있어서,상기 전이금속 전구체가 몰리브데늄 클로라이드(MoCl5), 소디움 몰리브데이트(Na2MoO4), 암모늄 테트라티오몰리브데이트((NH4)2MoS4), 암모늄 몰리브데이트((NH4)6Mo7O274H2O) 및 몰리브데늄 트리옥사이드(MoO3) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 칼코게나이드 박막의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 황 화합물이 티오우레아(CH4N2S), 이황화탄소(CS2), 황화나트륨(Na2S) 및 티오아세트아미드(C2H5NS) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 칼코게나이드 박막의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 이온성 액체가 상기 마이크로파의 발열체(susceptor)인 것을 특징으로 하는 칼코게나이드 박막의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 이온성 액체가　BMIM-BF4,　EMIM-BF4, EMIM-TFSI, EMIM-TCB,　BMIM-TFSI, EMIM-SO4,　DMIM-BF4 및 DMIM-TFSI 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 칼코게나이드 박막의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,단계 (a) 이전에, 상기 기판에 산소 플라즈마 처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 칼코게나이드 박막의 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 기판이 실리콘 웨이퍼, 사파이어 기판, 마이카 기판, ITO, FTO 및 유리 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 칼코게나이드 박막의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼가 p-도핑된 것을 특징으로 하는 칼코게나이드 박막의 제조방법
11 11
삭제
12 12
제1항에 있어서,상기 커버 부재가 실리콘 웨이퍼, 사파이어 기판, 마이카 기판, ITO, FTO 및 유리 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 칼코게나이드 박막의 제조방법
13 13
제1항에 있어서,단계 (b) 이후에, 잔류하는 이온성 액체를 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 칼코게나이드 박막의 제조방법
14 14
(a) 수지패턴이 형성된 기판을 준비하는 단계;(b) 수지패턴 사이에 노출된 상기 기판 상에 전이금속 전구체, 황(S) 화합물 및 이온성 액체를 포함하는 전구체 용액을 코팅하여 패턴화된 코팅층을 형성하는 단계;(c) 상기 기판의 상기 패턴화된 코팅층을 제1 커버 부재로 덮는 단계;(d) 소정의 시간 이후에 상기 제1 커버 부재를 패턴화된 상기 코팅층으로부터 제거하는 단계;(e) 상기 수지패턴을 상기 기판으로부터 제거하는 단계; (e’) 상기 기판 상에 형성된 패턴화된 코팅층을 제2 커버 부재로 덮는 단계: 및(f) 상기 패턴화된 코팅층이 형성된 기판 및 상기 제2 커버 부재에 마이크로파를 조사하여 상기 기판과 상기 제2 커버 부재 사이에 패턴화된 칼코게나이드 박막을 제조하는 단계;를포함하는 칼코게나이드 박막의 제조방법
15 15
제14항에 있어서,상기 수지패턴이 폴리카프로락톤[poly(ε-caprolactone)], 폴리디옥사논(polydioxanone), 폴리락틱산[poly(lactic acid)], 폴리글리콜산[poly(glycolic acid)] 및 폴리(γ-에틸 글루타메이트)[poly(γ-ethyl glutamate)] 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 칼코게나이드 박막의 제조방법
16 16
제14항에 있어서,단계 (e)에서, 상기 수지패턴을 톨루엔, 클로로포름, 헥산 및 다이클로로메테인(CH2Cl2) 중에서 선택된 1종 이상을 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 칼코게나이드 박막의 제조방법
17 17
제14항에 있어서,상기 제1 커버 부재가 유리, 실리콘 웨이퍼, 사파이어 기판, 마이카 기판, ITO 및 FTO 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 칼코게나이드 박막의 제조방법
18 18
삭제
19 19
제14항에 있어서,상기 제2 커버 부재가 실리콘 웨이퍼, 사파이어 기판, 마이카 기판, ITO, FTO 및 유리 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 칼코게나이드 박막의 제조방법
20 20
제1항 또는 제14항에 따른 칼코게나이드 박막의 제조방법을 포함하는 광전자소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 포항공과대학교 중견연구자지원 대면적 유연기판 상에 금속칼코겐 초박막 용액기반 직접 성장 및 마이크로패턴화 기술 개발