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반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 형성된 제1 반도체층;상기 제1 반도체층 상에 형성되어 있고, 상기 제1 반도체층과 동일 재료이고, 패턴 구조로 형성된 도트층;상기 제1 반도체층 상의 가장 자리에 배치된 제1 전극;상기 도트층 상에 형성된 수직 비대칭 형상의 수직 나노선;상기 수직 나노선 상에 형성된 제2 반도체층;상기 수직 나노선 사이의 공간을 매립하고, 상기 도트층 상에 형성되어 있는 유전체층;상기 유전체층 및 상기 제2 반도체층 상에 형성되어 있는 투명전극층; 및상기 투명전극층 상의 가장자리에 배치된 제2 전극을 포함하고,상기 수직 나노선의 단면 형상이 사다리꼴 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 수직 나노선 광검출기
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제1항에 있어서,상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층에는 서로 다른 타입의 도핑 물질이 주입되고, 상기 도핑 물질의 농도가 서로 다른 것을 특징으로 하는 수직 나노선 광검출기
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제4항에 있어서,상기 도핑 물질은 n 타입이고, 상기 n 타입 도핑 물질은 P, As 및 Sb로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수직 나노선 광검출기
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제4항에 있어서,상기 도핑 물질은 p 타입이고, 상기 p 타입 도핑 물질은 B, BF2, Al 및 Ga로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수직 나노선 광검출기
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제4항에 있어서,상기 도핑 물질의 농도는 1015cm-3 내지 1021cm-3의 범위인 것을 특징으로 하는 수직 나노선 광검출기
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제1항에 있어서,상기 유전체층은 상기 수직 나노선 보다 유전율이 낮은 것을 특징으로 하는 수직 나노선 광검출기
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제1항에 있어서,상기 유전체층은 유기 특성의 감광성 물질, TiO2, ZrO2, SiOx 및 SiNx로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수직 나노선 광검출기
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반도체 기판;상기 반도체 기판을 패터닝하여 형성된 수직 비대칭 형상의 수직 나노선;상기 수직 나노선 상에 배치되어 있고, 상기 반도체 기판 상에 형성되어 있는 제3 반도체층;상기 제3 반도체층 상에 배치되어 있는 투명전극층;상기 투명전극층 상에 배치되어 있고, 상기 반도체 기판의 가장 자리에 형성된 제3 전극;상기 반도체 기판에서 상기 수직 나노선이 형성될 면의 타면에 배치된 제4 반도체층; 및 상기 제4 반도체층 상에 배치된 후면 전극을 포함하고,상기 수직 나노선의 단면 형상이 사다리꼴 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 수직 나노선 광검출기
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제10항에 있어서,상기 수직 나노선과 상기 제3 반도체층은 서로 다른 타입의 도핑 물질이 주입되고, 상기 도핑 물질의 농도가 서로 다른 것을 특징으로 하는 수직 나노선 광검출기
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제13항에 있어서,상기 도핑 물질은 n 타입이고, 상기 n 타입 도핑 물질은 P, As 및 Sb로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수직 나노선 광검출기
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제13항에 있어서,상기 도핑 물질은 p 타입이고, 상기 p 타입 도핑 물질은 B, BF2, Al 및 Ga로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수직 나노선 광검출기
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제13항에 있어서,상기 도핑 물질의 농도는 1015cm-3 내지 1021cm-3의 범위인 것을 특징으로 하는 수직 나노선 광검출기
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제10항에 있어서,상기 제4 반도체층은 상기 반도체 기판에서 상기 수직 나노선이 형성될 면의 타면에 고농도의 도핑 물질을 주입하여 형성되고, 기판과 같은 도핑 타입인 실리콘인 것을 특징으로 하는 수직 나노선 광검출기
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제10항에 있어서,상기 제3 반도체층은 상기 수직 나노선 보다 높은 농도의 도핑 물질이 주입된 것을 특징으로 하는 수직 나노선 광검출기
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제10항에 있어서,상기 투명전극층 상에 상기 투명전극층보다 유전율이 낮은 유전체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 나노선 광검출기
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제19항에 있어서,상기 유전체층은 유기 특성의 감광성 물질, TiO2, ZrO2, SiOx 및 SiNx로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수직 나노선 광검출기
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반도체 기판을 식각하여 비대칭 형상의 수직 나노선을 형성하는 단계;상기 반도체 기판 및 상기 반도체 기판에 접한 상기 수직 나노선의 경계 영역에 도핑 물질을 주입하여 각각 제1 반도체층 및 도트층을 형성하는 단계; 상기 수직 나노선의 끝단에 도핑 물질을 주입하여 제2 반도체층을 형성하는 단계;상기 수직 나노선 사이를 유전체 물질로 매립하여 유전체층을 형성하는 단계;상기 제2 반도체층 및 상기 유전체층 상에 투명전극층을 형성하는 단계;상기 투명전극층 상에 배치되고, 상기 제1 반도체층의 가장 자리에 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 투명전극층 상의 가장 자리에 제2 전극을 배치하는 단계를 포함하고,상기 수직 나노선의 단면 형상이 사다리꼴 구조를 가지는 수직 나노선 광검출기 제조 방법
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반도체 기판에서 수직 나노선이 형성될 면의 타면에 도핑 물질을 주입하여 제4 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체 기판을 식각하여 비대칭 형상의 수직 나노선을 형성하는 단계;상기 반도체 기판 및 상기 수직 나노선 상에 제3 반도체층을 형성하는 단계;상기 제3 반도체층 상에 투명전극층을 형성하는 단계;상기 반도체 기판 상의 가장자리에 배치하고, 상기 투명전극층 상에 제3 전극을 형성하는 단계; 및상기 제4 반도체층 상에 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 수직 나노선의 단면 형상이 사다리꼴 구조를 가지는 수직 나노선 광검출기 제조방법
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