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질화물 반도체의 결함 검사 방법(METHODS FOR INSPECTING DEFECTS OF NITRIDE SEMICONDUCTOR)

  • 기술번호 : KST2018003944
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 반도체의 결함 검사 방법에 관한 것으로, 기판 상에 질화물 반도체를 형성하는 것, 상기 질화물 반도체를 전처리 하는 것, 및 상기 질화물 반도체의 표면 이미지를 획득하는 것을 포함하되, 상기 질화물 반도체를 전처리 하는 것은 상기 질화물 반도체 상에, 상기 질화물 반도체의 상면과 접하는 마스크 패턴을 형성하는 것, 상기 마스크 패턴이 형성된 상기 질화물 반도체 상에 열처리 공정을 수행하는 것, 및 습식 식각 공정을 수행하여 상기 마스크 패턴을 제거하는 것을 포함하는 질화물 반도체의 결함 검사 방법이 제공된다.
Int. CL H01L 21/66 (2006.01.01) G01N 21/88 (2006.01.01) G01N 21/95 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01)
출원번호/일자 1020160126992 (2016.09.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0036876 (2018.04.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.06.18)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배성범 대한민국 대전광역시 유성구
2 김성복 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-0954466-72
2 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
 2020.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2020-0629444-61
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.06.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0629443-15
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번호 청구항
1 1
기판 상에 질화물 반도체를 형성하는 것;상기 질화물 반도체를 전처리 하는 것; 및상기 질화물 반도체의 표면 이미지를 획득하는 것을 포함하되, 상기 질화물 반도체를 전처리 하는 것은:상기 질화물 반도체 상에, 상기 질화물 반도체의 상면과 접하는 마스크 패턴을 형성하는 것;상기 마스크 패턴이 형성된 상기 질화물 반도체 상에 열처리 공정을 수행하는 것; 및습식 식각 공정을 수행하여 상기 마스크 패턴을 제거하는 것을 포함하는 질화물 반도체의 결함 검사 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국전자통신연구원 산업핵심기술개발사업 차세대 반도체소자용 에피성장 측정·분석 및 전력반도체 원천기술 개발