| 1 |
1
기판;유기결정 박막;상기 유기결정 박막 상에 배치된 절연층; 및상기 절연층 상에 플라즈모닉 금속나노구조체가 배치되고,상기 절연층이 유기 절연층이고, 상기 절연층의 두께가 8 내지 12 나노미터(nm)인 인광 발광 구조체
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 유기결정 박막은 제1 방향족 고리기에 연결된 카르보닐기의 산소와 제2 방향족 고리기에 연결된 할로겐원자 사이에 할로겐 결합으로 형성된 유기 혼합결정 박막인 인광 발광 구조체
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 유기결정 박막은 하기 화학식 1 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 인광 발광 구조체:[화학식 1]상기 화학식 1에서,CY1은 C6 내지 C30의 방향족 고리기이며;R1은 수소원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5의 알킬기이며;R2, R3는 서로 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10의 알콕시기, 또는 이들의 조합이며;R4는 할로겐원자이다
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 유기결정 박막은 연속적 형태를 갖는 박막인 인광 발광 구조체
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 유기결정 박막의 두께는 50nm 내지 150nm이고 상기 유기결정 박막의 두께 편차가 1% 미만인 인광 발광 구조체
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 절연층은 고분자 전해질층인 인광 발광 구조체
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 절연층은 양전하를 갖는 고분자와 음전하를 갖는 고분자가 교대로 적층된 고분자 전해질층인 인광 발광 구조체
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 플라즈모닉 금속나노구조체는 Ag, Au, Al, Cu, Li, Pd, Pt, 및 이들 합금으로부터 선택된 1종인 인광 발광 구조체
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 플라즈모닉 금속나노구조체의 평균입경(D50)은 5 내지 100 나노미터(nm)인 인광 발광 구조체
|
| 12 |
12
제1항에 있어서, 상기 절연층 상에서 상기 플라즈모닉 금속나노구조체의 밀도는 5 내지 2000 개/mm2인 인광 발광 구조체
|
| 13 |
13
제1항에 있어서,상기 플라즈모닉 금속나노구조체의 흡수파장은 상기 유기결정 박막의 발광파장과 중첩하는 인광 발광 구조체
|
| 14 |
14
제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 웨이퍼 기판, 글라스 기판, 또는 석영 기판을 포함하는 인광 발광 구조체
|
| 15 |
15
기판 상에 유기결정 형성용 용액을 도포 및 어닐링 처리하여 유기결정을 성장시키고 박막을 형성하는 단계;상기 유기결정 박막 상에 고분자 전해질 절연층을 형성하는 단계; 및상기 고분자 전해질 절연층 상에 플라즈모닉 금속나노구조체를 도입하여 인광 발광 구조체를 제조하는 단계;를 포함하고,상기 고분자 전해질 절연층의 두께가 8 내지 12 나노미터(nm)인 인광 발광 구조체의 제조방법
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 유기결정 형성용 용액은 하기 화학식 1 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 인광 발광 구조체의 제조방법:[화학식 1]상기 화학식 1에서,CY1은 C6 내지 C30의 방향족 고리기이며;R1은 수소원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5의 알킬기이며;R2, R3는 서로 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10의 알콕시기, 또는 이들의 조합이며;R4는 할로겐원자이다
|
| 17 |
17
제15항에 있어서,상기 도포방법은 스핀코팅, 스프레이코팅, 드랍코팅, 딥코팅, 또는 증착법인 인광 발광 구조체의 제조방법
|
| 18 |
18
제15항에 있어서,상기 어닐링 처리는 공기분위기 하에 70℃에서 수행되는 인광 발광 구조체의 제조방법
|
| 19 |
19
제15항에 있어서,상기 고분자 전해질 절연층을 형성하는 단계는 상기 유기결정 박막 상에 층상조립법(layer-by-layer assembly method)에 의해 고분자 전해질 절연층을 형성하는 인광 발광 구조체의 제조방법
|
| 20 |
20
제15항에 있어서,상기 플라즈모닉 금속나노구조체를 도입하는 단계는 정전기적 상호작용에 의하여 상기 고분자 전해질 절연층 상에 흡착시키는 인광 발광 구조체의 제조방법
|
