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복수의 전계효과 트랜지스터를 포함하여 이루어지는 가스 센서에 있어서,채널층이 제1두께의 유기 반도체 층으로 이루어지는 제1트랜지스터; 및채널층이 상기 제1두께와 다른 제2두께의 유기 반도체 층으로 이루어지는 제2트랜지스터를 포함하는 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 제1 및 제2트랜지스터는,기판;상기 기판 위에 배치되는 게이트 전극;상기 게이트 전극을 덮도록 배치되는 절연막;상기 절연막 위에 배치되는 소스 및 드레인 전극; 및 상기 절연막 위에 배치되고, 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 배치되는 유기 반도체층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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2항에 있어서,상기 유기 반도체층은 diketopyrrolopyrrole-thieno[3,2-b]thiophene로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제3항에 있어서,상기 제1두께는 1 내지 5nm인 것을 특징으로 하고,상기 제2두께는 8 내지 12nm인 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제4항에 있어상기 가스 센서는 암모니아, 에탄올 및 에틸렌 기체 중 적어도 하나를 선택적으로 검출하는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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