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레이저빔 조사에 의하여 부피가 팽창하여 응력이 발생하고, 상기 응력에 의하여 변형이 발생하여 에너지 밴드가 간접 천이형으로부터 직접 천이형으로 변환된 게르마늄 기판에 있어서,상기 레이저빔은 상기 게르마늄 기판의 용융점 미만에 대응되는 출력밀도를 갖는 게르마늄 기판
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제 1 항에 있어서,상기 레이저빔은, 상기 게르마늄 기판이 흡수할 수 있는 파장을 갖는 게르마늄 기판
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레이저빔 조사에 의하여 부피가 팽창하여 응력이 발생하고, 상기 응력에 의하여 변형이 발생하여 에너지 밴드가 간접 천이형으로부터 직접 천이형으로 변환된 게르마늄 기판과;상기 게르마늄 기판 상부에 형성되는 p형 반도체층과;상기 p형 반도체층 상부에 형성되는 n형 반도체층과;상기 p형 반도체층 및 상기 n형 반도체층에 각각 연결되는 제1 및 제2전극을 포함하고,상기 레이저빔은 상기 게르마늄 기판의 용융점 미만에 대응되는 출력밀도를 갖는 광전소자
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제 3 항에 있어서,상기 p형 반도체층은 상기 게르마늄 기판의 일부를 p형 불순물로 도핑하여 형성되는 광전소자
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게르마늄 기판에 레이저빔을 조사하는 단계와;상기 게르마늄 기판 상부에 p형 반도체층을 형성하는 단계와;상기 p형 반도체층 상부에 n형 반도체층을 형성하는 단계와;상기 p형 반도체층 및 상기 n형 반도체층에 각각 연결되는 제1 및 제2전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 게르마늄 기판은, 상기 레이저빔의 조사에 의하여 부피가 팽창하여 응력이 발생하고, 상기 응력에 의하여 변형이 발생하여 에너지 밴드가 간접 천이형으로부터 직접 천이형으로 변환되고,상기 레이저빔은 상기 게르마늄 기판의 용융점 미만에 대응되는 출력밀도를 갖는 광전소자의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 레이저빔은, 상기 게르마늄 기판이 흡수할 수 있는 파장을 갖는 광전소자의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 p형 반도체층을 형성하는 단계는, 상기 게르마늄 기판의 일부를 p형 불순물로 도핑하는 단계를 포함하는 광전소자의 제조방법
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