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다층 구조를 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법(SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MULTILAYER AND THE FABRICATION METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2018004250
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 다층 구조를 갖는 반도체 소자는, 수용 웨이퍼 상에 형성되고 수직으로 이격된 복수의 채널층으로 구성된 게이트 영역; 상기 게이트 영역의 양측에 각각 형성되어 상기 채널층들과 연결된 소스/드레인 영역들; 상기 소스/드레인 영역의 각 층과 층 사이에 형성된 선택적 식각층을 포함하는 점에 그 특징이 있다. 본 발명은 게이트 올 어라운드형 반도체 소자의 다층 구조를 형성하는 데 있어서 공정과정을 단순화하여 시간 및 비용을 줄일 수 있다.
Int. CL H01L 29/423 (2006.01.01) H01L 29/49 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 21/3105 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01)
CPC H01L 29/42392(2013.01) H01L 29/42392(2013.01) H01L 29/42392(2013.01) H01L 29/42392(2013.01) H01L 29/42392(2013.01) H01L 29/42392(2013.01) H01L 29/42392(2013.01)
출원번호/일자 1020160046062 (2016.04.15)
출원인 고려대학교 산학협력단, 인하대학교 산학협력단, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1784489-0000 (2017.09.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20171012) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.15)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
2 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구
3 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유현용 대한민국 서울특별시 서초구
2 최리노 대한민국 서울특별시 마포구
3 최창환 대한민국 서울특별시 성동구
4 김승환 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김등용 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 *** *층-***(구로동,제이엔케이디지털타워)(동진국제특허법률사무소)
2 김홍석 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로 **길 ***, ***호(구로동,JnK 디지털타워)(동진국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
2 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
3 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-0360738-75
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0557218-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.09.09 수리 (Accepted) 9-1-2016-0038837-20
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0202873-40
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.05.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0478394-85
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-0478311-17
9 등록결정서
Decision to grant
2017.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0665774-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
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절연층 및 반도체층이 순차적으로 형성된 기판상에 선택적 식각층을 증착하여 제1결과물을 형성하는 단계; 상기 기판이 상부로 향하도록 위치시키고, 상기 선택적 식각층을 수용 웨이퍼상에 접하여 본딩시키는 단계; 상기 기판 및 절연층을 식각하여 상기 반도체층을 노출시키는 단계;상기 노출된 반도체층 상에 기판, 절연층, 반도체층 및 선택적 식각층으로 형성된 제2결과물을 접하여 본딩시킨 후, 상기 제2결과물의 반도체층이 노출되도록 식각하는 공정을 반복적으로 수행하여 다층 구조를 형성하는 단계를 포함하는 다층 구조를 갖는 반도체 소자의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 다층 구조를 형성하는 단계 이후,최상단의 반도체층 상에 소정 패턴으로 감광성 물질를 도포한 후, 상기 다층의 반도체층 및 선택적 식각층을 식각하여 게이트 영역 및 소스/드레인 영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 다층 구조를 갖는 반도체 소자의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 게이트 영역 및 소스/드레인 영역을 형성한 후, 상기 게이트 영역의 층과 층 사이의 선택적 식각층을 습식 식각을 이용하여 제거하는 단계를 더 포함하는 다층 구조를 갖는 반도체 소자의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 선택적 식각층은 상기 반도체층보다 식각률이 큰 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 구조를 갖는 반도체 소자의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 반도체층은 단결정 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 구조를 갖는 반도체 소자의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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1 미래창조과학부 한양대학교 산학협력단 나노소재기술개발사업 초절전 3D IoT 소자 플랫폼 구현을 위한 저온 기반 단위 공정개발